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元器件簡明要求和應用指南 版權信息
- ISBN：9787515921105
- 條形碼：9787515921105 ; 978-7-5159-2110-5
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>
元器件簡明要求和應用指南 內容簡介
本書包括：主要種類元器件及其用途、主要元器件性能參數及其含義、質量保證標準及質量等級、元器件監制和驗收、可靠性試驗及可靠性設計、靜電和輻射損傷及其防護、主要元器件應用注意事項、失效分析及失效機理、制造工藝，以及附表。本書幾乎不涉及深奧的數理知識，緊密結合應用中的實際問題，深入淺出、通俗易懂、簡明扼要地敘述了與元器件有關的一般要求及應用的基本知識。本書具有較強的實用性、可操作性，可供從事元器件質量控制、測試、管理的人員和工程技術人員查閱和參考。
元器件簡明要求和應用指南 目錄
**部分 主要種類元器件及其用途
1.元器件（3E元器件）
2.標準元器件
3.關鍵元器件
4.元器件系列型譜
5.標準化
6.通用化
7.系統化
8.模塊化
9.無源元件（元件）
10.有源元件（器件）
11.分立元器件
12.有源結
13.有源電路區
14.電子真空器件
15.價帶、導帶和禁帶（能帶圖）
16.雜質能級
17.半導體
18.PN結（耗盡層、阻擋層）
19.PN結單向導電性
20.PN結反向擊穿特性
21.PN結電容效應
22.半導體器件
23.半導體二極管
24.檢波二極管
25.整流二極管
26.快恢復整流二極管
27.開關二極管
28.穩壓二極管（齊納二極管）
29.瞬態電壓抑制二極管（TVS）
30.恒流二極管（電流調整二極管）
31.雙向觸發二極管（二端交流器件）
32.單結晶體管（UJT）
33.點接觸二極管
34.肖特基勢壘二極管（SBD）
35.變容二極管
36.隧道二極管
37.體效應二極管（TED）
38.階躍恢復二極管（SRD）
39.PIN二極管
40.雪崩渡越時間二極管
41.發光二極管（發射二極管）
42.半導體晶體管
43.雙極型晶體管（BJT）
44.三極管
45.晶閘管（晶體閘流管或可控硅器件）
46.單向晶閘管
47.雙向晶閘管
48.可關斷晶閘管
49.光控晶閘管（LCR）
50.逆導晶閘管
51.快速晶閘管
52.單極型晶體管（FET）
53.結型場效應晶體管（JFET）
54.MOS場效應晶體管（MOSFET）
55.N溝道場效應晶體管
56.P溝道場效應晶體管
57.N溝道或P溝道耗盡型MOS場效應晶體管
58.N溝道或P溝道增強型MOS場效應晶體管
59.雙柵極MOS場效應晶體管
60.VMOS功率場效應晶體管
61.肖特基勢壘柵場效應晶體管（MESFET）
62.絕緣柵雙極晶體管（IGBT）
63.光電器件
……
第二部分 主要元器件性能參數及其含義
第三部分 元器件質量保證標準及質量等級
第四部分 元器件監制和驗收
第五部分 可靠性試驗及可靠性設計
第六部分 靜電和輻射損傷及其防護
第七部分 部分元器件應用注意事項
第八部分 失效分析及失效機理
第九部分 制造工藝
附表
1.元器件（3E元器件）
2.標準元器件
3.關鍵元器件
4.元器件系列型譜
5.標準化
6.通用化
7.系統化
8.模塊化
9.無源元件（元件）
10.有源元件（器件）
11.分立元器件
12.有源結
13.有源電路區
14.電子真空器件
15.價帶、導帶和禁帶（能帶圖）
16.雜質能級
17.半導體
18.PN結（耗盡層、阻擋層）
19.PN結單向導電性
20.PN結反向擊穿特性
21.PN結電容效應
22.半導體器件
23.半導體二極管
24.檢波二極管
25.整流二極管
26.快恢復整流二極管
27.開關二極管
28.穩壓二極管（齊納二極管）
29.瞬態電壓抑制二極管（TVS）
30.恒流二極管（電流調整二極管）
31.雙向觸發二極管（二端交流器件）
32.單結晶體管（UJT）
33.點接觸二極管
34.肖特基勢壘二極管（SBD）
35.變容二極管
36.隧道二極管
37.體效應二極管（TED）
38.階躍恢復二極管（SRD）
39.PIN二極管
40.雪崩渡越時間二極管
41.發光二極管（發射二極管）
42.半導體晶體管
43.雙極型晶體管（BJT）
44.三極管
45.晶閘管（晶體閘流管或可控硅器件）
46.單向晶閘管
47.雙向晶閘管
48.可關斷晶閘管
49.光控晶閘管（LCR）
50.逆導晶閘管
51.快速晶閘管
52.單極型晶體管（FET）
53.結型場效應晶體管（JFET）
54.MOS場效應晶體管（MOSFET）
55.N溝道場效應晶體管
56.P溝道場效應晶體管
57.N溝道或P溝道耗盡型MOS場效應晶體管
58.N溝道或P溝道增強型MOS場效應晶體管
59.雙柵極MOS場效應晶體管
60.VMOS功率場效應晶體管
61.肖特基勢壘柵場效應晶體管（MESFET）
62.絕緣柵雙極晶體管（IGBT）
63.光電器件
……
第二部分 主要元器件性能參數及其含義
第三部分 元器件質量保證標準及質量等級
第四部分 元器件監制和驗收
第五部分 可靠性試驗及可靠性設計
第六部分 靜電和輻射損傷及其防護
第七部分 部分元器件應用注意事項
第八部分 失效分析及失效機理
第九部分 制造工藝
附表
展開全部
元器件簡明要求和應用指南 作者簡介
翁榮泉，1938年生，福建省福州市人，1965年畢業于成都電訊工程學院半導體專業，獲工學學士學位，高級工程師。航天科工集團某院元器件專家組成員，北京航天新立科技有限公司元器件技術顧問。長期從事半導體器件制造工藝以及重點型號系列元器件的篩選、檢測和驗收等工作。曾榮獲航天科工集團某院先進工作者、質量部型號突出貢獻獎等。負責和參與了航天科工集團某院元器件優選目錄、多項元器件技術標準的編寫。研究元器件應用課題十余項，在軍用元器件質量保證、失效分析、制造工藝、下廠驗收等方面取得了多項研究成果。
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