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元器件簡明要求和應(yīng)用指南 版權(quán)信息
- ISBN：9787515921105
- 條形碼：9787515921105 ; 978-7-5159-2110-5
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊數(shù)：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>
元器件簡明要求和應(yīng)用指南 內(nèi)容簡介
本書包括：主要種類元器件及其用途、主要元器件性能參數(shù)及其含義、質(zhì)量保證標(biāo)準(zhǔn)及質(zhì)量等級、元器件監(jiān)制和驗(yàn)收、可靠性試驗(yàn)及可靠性設(shè)計、靜電和輻射損傷及其防護(hù)、主要元器件應(yīng)用注意事項(xiàng)、失效分析及失效機(jī)理、制造工藝，以及附表。本書幾乎不涉及深奧的數(shù)理知識，緊密結(jié)合應(yīng)用中的實(shí)際問題，深入淺出、通俗易懂、簡明扼要地敘述了與元器件有關(guān)的一般要求及應(yīng)用的基本知識。本書具有較強(qiáng)的實(shí)用性、可操作性，可供從事元器件質(zhì)量控制、測試、管理的人員和工程技術(shù)人員查閱和參考。
元器件簡明要求和應(yīng)用指南 目錄
**部分 主要種類元器件及其用途
1.元器件（3E元器件）
2.標(biāo)準(zhǔn)元器件
3.關(guān)鍵元器件
4.元器件系列型譜
5.標(biāo)準(zhǔn)化
6.通用化
7.系統(tǒng)化
8.模塊化
9.無源元件（元件）
10.有源元件（器件）
11.分立元器件
12.有源結(jié)
13.有源電路區(qū)
14.電子真空器件
15.價帶、導(dǎo)帶和禁帶（能帶圖）
16.雜質(zhì)能級
17.半導(dǎo)體
18.PN結(jié)（耗盡層、阻擋層）
19.PN結(jié)單向?qū)щ娦?br /> 20.PN結(jié)反向擊穿特性
21.PN結(jié)電容效應(yīng)
22.半導(dǎo)體器件
23.半導(dǎo)體二極管
24.檢波二極管
25.整流二極管
26.快恢復(fù)整流二極管
27.開關(guān)二極管
28.穩(wěn)壓二極管（齊納二極管）
29.瞬態(tài)電壓抑制二極管（TVS）
30.恒流二極管（電流調(diào)整二極管）
31.雙向觸發(fā)二極管（二端交流器件）
32.單結(jié)晶體管（UJT）
33.點(diǎn)接觸二極管
34.肖特基勢壘二極管（SBD）
35.變?nèi)荻䴓O管
36.隧道二極管
37.體效應(yīng)二極管（TED）
38.階躍恢復(fù)二極管（SRD）
39.PIN二極管
40.雪崩渡越時間二極管
41.發(fā)光二極管（發(fā)射二極管）
42.半導(dǎo)體晶體管
43.雙極型晶體管（BJT）
44.三極管
45.晶閘管（晶體閘流管或可控硅器件）
46.單向晶閘管
47.雙向晶閘管
48.可關(guān)斷晶閘管
49.光控晶閘管（LCR）
50.逆導(dǎo)晶閘管
51.快速晶閘管
52.單極型晶體管（FET）
53.結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）
54.MOS場效應(yīng)晶體管（MOSFET）
55.N溝道場效應(yīng)晶體管
56.P溝道場效應(yīng)晶體管
57.N溝道或P溝道耗盡型MOS場效應(yīng)晶體管
58.N溝道或P溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管
59.雙柵極MOS場效應(yīng)晶體管
60.VMOS功率場效應(yīng)晶體管
61.肖特基勢壘柵場效應(yīng)晶體管（MESFET）
62.絕緣柵雙極晶體管（IGBT）
63.光電器件
……
第二部分 主要元器件性能參數(shù)及其含義
第三部分 元器件質(zhì)量保證標(biāo)準(zhǔn)及質(zhì)量等級
第四部分 元器件監(jiān)制和驗(yàn)收
第五部分 可靠性試驗(yàn)及可靠性設(shè)計
第六部分 靜電和輻射損傷及其防護(hù)
第七部分 部分元器件應(yīng)用注意事項(xiàng)
第八部分 失效分析及失效機(jī)理
第九部分 制造工藝
附表
1.元器件（3E元器件）
2.標(biāo)準(zhǔn)元器件
3.關(guān)鍵元器件
4.元器件系列型譜
5.標(biāo)準(zhǔn)化
6.通用化
7.系統(tǒng)化
8.模塊化
9.無源元件（元件）
10.有源元件（器件）
11.分立元器件
12.有源結(jié)
13.有源電路區(qū)
14.電子真空器件
15.價帶、導(dǎo)帶和禁帶（能帶圖）
16.雜質(zhì)能級
17.半導(dǎo)體
18.PN結(jié)（耗盡層、阻擋層）
19.PN結(jié)單向?qū)щ娦?br /> 20.PN結(jié)反向擊穿特性
21.PN結(jié)電容效應(yīng)
22.半導(dǎo)體器件
23.半導(dǎo)體二極管
24.檢波二極管
25.整流二極管
26.快恢復(fù)整流二極管
27.開關(guān)二極管
28.穩(wěn)壓二極管（齊納二極管）
29.瞬態(tài)電壓抑制二極管（TVS）
30.恒流二極管（電流調(diào)整二極管）
31.雙向觸發(fā)二極管（二端交流器件）
32.單結(jié)晶體管（UJT）
33.點(diǎn)接觸二極管
34.肖特基勢壘二極管（SBD）
35.變?nèi)荻䴓O管
36.隧道二極管
37.體效應(yīng)二極管（TED）
38.階躍恢復(fù)二極管（SRD）
39.PIN二極管
40.雪崩渡越時間二極管
41.發(fā)光二極管（發(fā)射二極管）
42.半導(dǎo)體晶體管
43.雙極型晶體管（BJT）
44.三極管
45.晶閘管（晶體閘流管或可控硅器件）
46.單向晶閘管
47.雙向晶閘管
48.可關(guān)斷晶閘管
49.光控晶閘管（LCR）
50.逆導(dǎo)晶閘管
51.快速晶閘管
52.單極型晶體管（FET）
53.結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）
54.MOS場效應(yīng)晶體管（MOSFET）
55.N溝道場效應(yīng)晶體管
56.P溝道場效應(yīng)晶體管
57.N溝道或P溝道耗盡型MOS場效應(yīng)晶體管
58.N溝道或P溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管
59.雙柵極MOS場效應(yīng)晶體管
60.VMOS功率場效應(yīng)晶體管
61.肖特基勢壘柵場效應(yīng)晶體管（MESFET）
62.絕緣柵雙極晶體管（IGBT）
63.光電器件
……
第二部分 主要元器件性能參數(shù)及其含義
第三部分 元器件質(zhì)量保證標(biāo)準(zhǔn)及質(zhì)量等級
第四部分 元器件監(jiān)制和驗(yàn)收
第五部分 可靠性試驗(yàn)及可靠性設(shè)計
第六部分 靜電和輻射損傷及其防護(hù)
第七部分 部分元器件應(yīng)用注意事項(xiàng)
第八部分 失效分析及失效機(jī)理
第九部分 制造工藝
附表
展開全部
元器件簡明要求和應(yīng)用指南 作者簡介
翁榮泉，1938年生，福建省福州市人，1965年畢業(yè)于成都電訊工程學(xué)院半導(dǎo)體專業(yè)，獲工學(xué)學(xué)士學(xué)位，高級工程師。航天科工集團(tuán)某院元器件專家組成員，北京航天新立科技有限公司元器件技術(shù)顧問。長期從事半導(dǎo)體器件制造工藝以及重點(diǎn)型號系列元器件的篩選、檢測和驗(yàn)收等工作。曾榮獲航天科工集團(tuán)某院先進(jìn)工作者、質(zhì)量部型號突出貢獻(xiàn)獎等。負(fù)責(zé)和參與了航天科工集團(tuán)某院元器件優(yōu)選目錄、多項(xiàng)元器件技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的編寫。研究元器件應(yīng)用課題十余項(xiàng)，在軍用元器件質(zhì)量保證、失效分析、制造工藝、下廠驗(yàn)收等方面取得了多項(xiàng)研究成果。
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