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包郵 固態(tài)電子器件-(第七版)

出版社：電子工業(yè)出版社出版時(shí)間：2018-03-01
開(kāi)本： 16開(kāi) 頁(yè)數(shù)： 411
中 圖 價(jià):¥78.5(7.2折) 定價(jià)  ¥109.0 登錄后可看到會(huì)員價(jià)
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固態(tài)電子器件-(第七版) 版權(quán)信息

固態(tài)電子器件-(第七版) 本書(shū)特色

本書(shū)是固態(tài)電子器件的教材，全書(shū)分為固體物理基礎(chǔ)和半導(dǎo)體器件物理兩大部分，共10章。第1章至第4章介紹半導(dǎo)體材料及其生長(zhǎng)技術(shù)、量子力學(xué)基礎(chǔ)、半導(dǎo)體能帶以及過(guò)剩載流子。第5章至第10章介紹各種電子器件和集成電路的結(jié)構(gòu)、工作原理以及制造工藝等，包括：p-n結(jié)、金屬-半導(dǎo)體結(jié)、異質(zhì)結(jié)；場(chǎng)效應(yīng)晶體管；雙極結(jié)型晶體管；光電子器件；高頻、大功率及納電子器件。第9章使用較大篇幅介紹CMOS制造工藝，從器件物理角度介紹SRAM、DRAM、CCD、閃存等集成器件的結(jié)構(gòu)和工作原理。本書(shū)的器件種類基本涵蓋了所有的器件大類，反映了現(xiàn)代電子器件的基礎(chǔ)理論、工作原理、二級(jí)效應(yīng)以及發(fā)展趨勢(shì)。各章均給出小結(jié)，并附有習(xí)題、參考讀物和自測(cè)題。

固態(tài)電子器件-(第七版) 內(nèi)容簡(jiǎn)介

本書(shū)反映了現(xiàn)代電子器件的基礎(chǔ)理論、工作原理、二級(jí)效應(yīng)以及發(fā)展趨勢(shì)。各章均給出小結(jié)，并附有習(xí)題、參考讀物和自測(cè)題。

固態(tài)電子器件-(第七版) 目錄

目 錄
第1章 晶體性質(zhì)和半導(dǎo)體生長(zhǎng) 1
1.1 半導(dǎo)體材料 1
1.2 晶格 2
1.2.1 周期結(jié)構(gòu) 2
1.2.2 立方晶格 4
1.2.3 晶面與晶向 5
1.2.4 金剛石晶格 7
1.3 大塊晶體生長(zhǎng) 9
1.3.1 原材料的制備 9
1.3.2 單晶的生長(zhǎng) 9
1.3.3 晶片加工 11
1.3.4 晶體摻雜 11
1.4 薄層晶體的外延生長(zhǎng) 12
1.4.1 外延生長(zhǎng)的晶格匹配 13
1.4.2 氣相外延 14
1.4.3 分子束外延 16
1.5 周期性結(jié)構(gòu)中波的傳播 17
小結(jié) 18
習(xí)題 19
參考讀物 20
自測(cè)題 20
第2章 原子和電子 22
2.1 關(guān)于物理模型 22
2.2 重要實(shí)驗(yàn)及其結(jié)果 23
2.2.1 光電效應(yīng) 23
2.2.2 原子光譜 25
2.3 玻爾模型 26
2.4 量子力學(xué)基礎(chǔ)知識(shí) 28
2.4.1 幾率和不確定性原理 29
2.4.2 薛定諤波動(dòng)方程 30
2.4.3 勢(shì)阱問(wèn)題 32
2.4.4 量子隧穿 33
2.5 原子結(jié)構(gòu)和元素周期表 34
2.5.1 氫原子 34
2.5.2 元素周期表 36
小結(jié) 39
習(xí)題 40
參考讀物 41
自測(cè)題 41
第3章 半導(dǎo)體的能帶和載流子 43
3.1 固體結(jié)合性質(zhì)與能帶 43
3.1.1 固體的結(jié)合性質(zhì) 43
3.1.2 能帶 45
3.1.3 金屬、半導(dǎo)體和絕緣體 47
3.1.4 直接禁帶半導(dǎo)體和間接禁帶半導(dǎo)體 48
3.1.5 化合物半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)隨組分的變化 49
3.2 半導(dǎo)體中的載流子 50
3.2.1 電子和空穴 51
3.2.2 有效質(zhì)量 54
3.2.3 本征半導(dǎo)體 56
3.2.4 非本征半導(dǎo)體 57
3.2.5 量子阱中的電子和空穴 60
3.3 載流子濃度 60
3.3.1 費(fèi)米能級(jí) 61
3.3.2 平衡態(tài)電子和空穴濃度 62
3.3.3 載流子濃度對(duì)溫度的依賴關(guān)系 66
3.3.4 雜質(zhì)補(bǔ)償和空間電荷中性 67
3.4 載流子在電場(chǎng)和磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng) 68
3.4.1 電導(dǎo)率和遷移率 68
3.4.2 電阻率 71
3.4.3 遷移率對(duì)溫度和摻雜濃度的依賴關(guān)系 72
3.4.4 高場(chǎng)效應(yīng) 74
3.4.5 霍爾效應(yīng) 74
3.5 平衡態(tài)費(fèi)米能級(jí)的不變性 76
小結(jié) 77
習(xí)題 78
參考讀物 80
自測(cè)題 81
第4章 半導(dǎo)體中的過(guò)剩載流子 83
4.1 半導(dǎo)體對(duì)光的吸收特性 83
4.2 半導(dǎo)體發(fā)光 85
4.2.1 光致發(fā)光 85
4.2.2 電致發(fā)光 87
4.3 載流子壽命和光電導(dǎo) 87
4.3.1 電子和空穴的直接復(fù)合 87
4.3.2 間接復(fù)合；載流子俘獲 89
4.3.3 穩(wěn)態(tài)載流子濃度；準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí) 91
4.3.4 光電導(dǎo) 93
4.4 載流子在半導(dǎo)體中的擴(kuò)散 93
4.4.1 擴(kuò)散機(jī)制 94
4.4.2 載流子的擴(kuò)散和漂移；自建電場(chǎng) 96
4.4.3 擴(kuò)散和復(fù)合；連續(xù)性方程 98
4.4.4 穩(wěn)態(tài)注入；擴(kuò)散長(zhǎng)度 99
4.4.5 Haynes-Shockley實(shí)驗(yàn) 101
4.4.6 準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)的空間梯度 103
小結(jié) 104
習(xí)題 104
參考讀物 107
自測(cè)題 107
第5章 半導(dǎo)體p-n結(jié)和金屬-半導(dǎo)體結(jié) 109
5.1 p-n結(jié)的制造 109
5.1.1 熱氧化 109
5.1.2 擴(kuò)散 111
5.1.3 快速熱處理 112
5.1.4 離子注入 113
5.1.5 化學(xué)氣相淀積 114
5.1.6 光刻 115
5.1.7 腐蝕(刻蝕) 117
5.1.8 金屬化 118
5.2 平衡態(tài)p-n結(jié) 120
5.2.1 接觸電勢(shì) 120
5.2.2 平衡態(tài)費(fèi)米能級(jí) 123
5.2.3 結(jié)的空間電荷 124
5.3 結(jié)的正偏和反偏；穩(wěn)態(tài)特性 127
5.3.1 結(jié)電流的定性分析 127
5.3.2 載流子的注入 130
5.3.3 反向偏置 136
5.4 反向擊穿 138
5.4.1 齊納擊穿 139
5.4.2 雪崩擊穿 140
5.4.3 整流二極管 142
5.4.4 擊穿二極管 144
5.5 瞬態(tài)特性和交流特性 144
5.5.1 存儲(chǔ)電荷的瞬態(tài)變化 145
5.5.2 反向恢復(fù)過(guò)程 147
5.5.3 開(kāi)關(guān)二極管 149
5.5.4 p-n結(jié)電容 149
5.5.5 變?nèi)荻䴓O管 152
5.6 對(duì)二極管簡(jiǎn)單理論的修正 153
5.6.1 接觸電勢(shì)對(duì)載流子注入的影響 154
5.6.2 空間電荷區(qū)內(nèi)載流子的產(chǎn)生和復(fù)合 155
5.6.3 歐姆損耗 157
5.6.4 緩變結(jié) 159
5.7 金屬-半導(dǎo)體結(jié) 160
5.7.1 肖特基勢(shì)壘 160
5.7.2 整流接觸 161
5.7.3 歐姆接觸 163
5.7.4 典型的肖特基勢(shì)壘 164
5.8 異質(zhì)結(jié) 165
小結(jié) 168
習(xí)題 169
參考讀物 175
自測(cè)題 175
第6章 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 177
6.1 場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理 178
6.1.1 晶體管的負(fù)載線 178
6.1.2 放大和開(kāi)關(guān)作用 178
6.2 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 179
6.2.1 夾斷和飽和 180
6.2.2 柵的控制作用 181
6.2.3 電流-電壓特性 182
6.3 金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 184
6.3.1 GaAs金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 184
6.3.2 高電子遷移率晶體管 185
6.3.3 短溝效應(yīng) 186
6.4 金屬-絕緣體-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 187
6.4.1 MOSFET的基本工作原理 187
6.4.2 理想MOS結(jié)構(gòu)的性質(zhì) 190
6.4.3 真實(shí)表面的影響 197
6.4.4 閾值電壓 199
6.4.5 電容-電壓(C-V)特性分析 200
6.4.6 瞬態(tài)電容測(cè)量(C-t測(cè)量) 203
6.4.7 氧化層的電流-電壓(I-V)特性 204
6.5 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 206
6.5.1 輸出特性 207
6.5.2 轉(zhuǎn)移特性 209
6.5.3 遷移率模型 211
6.5.4 短溝MOSFET的I-V特性 213
6.5.5 閾值電壓的控制 214
6.5.6 襯底偏置效應(yīng)(體效應(yīng)) 217
6.5.7 亞閾值區(qū)特性 219
6.5.8 MOSFET的等效電路 220
6.5.9 按比例縮小和熱電子效應(yīng) 221
6.5.10 漏致勢(shì)壘降低效應(yīng) 225
6.5.11 短溝效應(yīng)和窄溝效應(yīng) 226
6.5.12 柵誘導(dǎo)泄漏電流 227
6.6 先進(jìn)MOSFET結(jié)構(gòu) 228
6.6.1 金屬柵-高k介質(zhì)MOS結(jié)構(gòu) 228
6.6.2 高遷移率溝道材料和應(yīng)變硅材料 229
6.6.3 SOI MOSFET和FinFET 231
小結(jié) 233
習(xí)題 234
參考讀物 237
自測(cè)題 238
第7章 雙極結(jié)型晶體管 242
7.1 BJT的基本工作原理 242
7.2 BJT的放大作用 244
7.3 BJT的制造工藝簡(jiǎn)介 247
7.4 少數(shù)載流子分布和器件的端電流 249
7.4.1 基區(qū)內(nèi)擴(kuò)散方程的求解 249
7.4.2 端電流分析 252
7.4.3 端電流的近似表達(dá)式 253
7.4.4 電流傳輸系數(shù) 255
7.5 BJT的偏置狀態(tài)和工作模式 256
7.5.1 BJT的耦合二極管模型 256
7.5.2 電荷控制分析 260
7.6 BJT的開(kāi)關(guān)特性 262
7.6.1 截止 262
7.6.2 飽和 263
7.6.3 開(kāi)關(guān)周期 264
7.6.4 開(kāi)關(guān)晶體管的主要參數(shù) 264
7.7 某些重要的物理效應(yīng) 265
7.7.1 載流子在基區(qū)的漂移 266
7.7.2 基區(qū)變窄效應(yīng)(Early效應(yīng)) 267
7.7.3 雪崩擊穿 268
7.7.4 小注入和大注入；熱效應(yīng) 269
7.7.5 基區(qū)串聯(lián)電阻：發(fā)射極電流集邊效應(yīng) 269
7.7.6 BJT的Gummel-Poon模型 270
7.7.7 基區(qū)變寬效應(yīng)(Kirk效應(yīng)) 274
7.8 BJT的頻率限制因素 275
7.8.1 結(jié)電容和充電時(shí)間 275
7.8.2 渡越時(shí)間效應(yīng) 277
7.8.3 Webster效應(yīng) 277
7.8.4 高頻晶體管 278
7.9 異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管 279
小結(jié) 281
習(xí)題 281
參考讀物 284
自測(cè)題 284
第8章 光電子器件 286
8.1 光電二極管 286
8.1.1 p-n結(jié)對(duì)光照的響應(yīng) 286
8.1.2 太陽(yáng)能電池 289
8.1.3 光探測(cè)器 291
8.1.4 光探測(cè)器的增益、帶寬和信噪比 293
8.2 發(fā)光二極管 295
8.2.1 發(fā)光材料 295
8.2.2 光纖通信 298
8.3 激光器 300
8.4 半導(dǎo)體激光器 303
8.4.1 粒子數(shù)反轉(zhuǎn) 303
8.4.2 p-n結(jié)激光器的發(fā)射光譜 304
8.4.3 半導(dǎo)體激光器的主要制造步驟 305
8.4.4 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)激光器 306
8.4.5 半導(dǎo)體激光器所用的材料 308
8.4.6 量子級(jí)聯(lián)激光器 309
小結(jié) 310
習(xí)題 311
參考讀物 312
自測(cè)題 313
第9章 半導(dǎo)體集成電路 314
9.1 集成電路的背景知識(shí) 314
9.1.1 集成化的優(yōu)點(diǎn) 314
9.1.2 集成電路的分類 315
9.2 集成電路的發(fā)展歷程 316
9.3 單片集成電路元件 318
9.3.1 CMOS工藝集成 319
9.3.2 其他元件的集成 329
9.4 電荷轉(zhuǎn)移器件 333
9.4.1 MOS電容的動(dòng)態(tài)效應(yīng) 333
9.4.2 CCD的基本結(jié)構(gòu)和工作原理 334
9.4.3 CCD器件結(jié)構(gòu)的改進(jìn) 335
9.4.4 CCD的應(yīng)用 336
9.5 超大規(guī)模集成電路 336
9.5.1 邏輯器件 338
9.5.2 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 345
9.6 測(cè)試、壓焊與封裝 353
9.6.1 測(cè)試 354
9.6.2 引線壓焊 354
9.6.3 芯片倒裝技術(shù) 356
9.6.4 封裝 357
小結(jié) 358
習(xí)題 359
參考讀物 359
自測(cè)題 359
第10章 高頻、大功率及納電子器件 361
10.1 隧道二極管 361
10.2 碰撞雪崩渡越時(shí)間(IMPATT)二極管 364
10.3 耿氏(Gunn)二極管 366
10.3.1 電子轉(zhuǎn)移機(jī)制 366
10.3.2 空間電荷疇的形成及其漂移 368
10.4 p-n-p-n二極管 369
10.4.1 基本結(jié)構(gòu) 370
10.4.2 雙晶體管模型 371
10.4.3 電流傳輸系數(shù)的改變 371
10.4.4 正向阻斷態(tài) 372
10.4.5 正向?qū)☉B(tài) 372
10.4.6 觸發(fā)機(jī)制 373
10.5 半導(dǎo)體可控整流器 374
10.5.1 柵極的控制作用 374
10.5.2 SCR的關(guān)斷 375
10.6 絕緣柵雙極型晶體管 376
10.7 納電子器件 377
10.7.1 零維量子點(diǎn) 378
10.7.2 一維量子線 378
10.7.3 二維層狀晶體 379
10.7.4 自旋電子存儲(chǔ)器 380
10.7.5 納電子阻變存儲(chǔ)器 382
小結(jié) 382
習(xí)題 383
參考讀物 384
自測(cè)題 384
附錄A 常用符號(hào)的定義 385
附錄B 物理常量和換算因子 389
附錄C 常用半導(dǎo)體材料的性質(zhì)(300 K) 390
附錄D 導(dǎo)帶態(tài)密度的推導(dǎo) 391
附錄E 費(fèi)米-狄拉克分布的推導(dǎo) 394
附錄F Si(100)面干氧和濕氧生長(zhǎng)SiO2層的厚度隨氧化時(shí)間和溫度的變化關(guān)系 397
附錄G 某些雜質(zhì)在Si中的固溶度 398
附錄H 某些雜質(zhì)在Si和SiO2中的擴(kuò)散系數(shù) 399
附錄I Si中離子注入的射程與射程偏差隨注入能量的變化關(guān)系 400
部分自測(cè)題答案 401
術(shù)語(yǔ)表 403
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固態(tài)電子器件-(第七版) 作者簡(jiǎn)介

Ben G. Streetman，IEEE、美國(guó)國(guó)家工程院院士、美國(guó)藝術(shù)與科學(xué)院院士、美國(guó)電化學(xué)學(xué)會(huì)（ECS）會(huì)士。現(xiàn)任美國(guó)得克薩斯大學(xué)?W斯汀分校工程學(xué)院名譽(yù)院長(zhǎng)。他是該校電氣與計(jì)算機(jī)工程退休教授，也是該校微電子研究中心的創(chuàng)始人和第一任主任（1984—1996年）。Streetman教授的教學(xué)領(lǐng)域和研究興趣主要涉及半導(dǎo)體材料與半導(dǎo)體器件。Sanjay Kumar Banerjee，IEEE，美國(guó)得克薩斯大學(xué)?W斯汀分校電氣與計(jì)算機(jī)工程科克雷爾講座教授，現(xiàn)任該校微電子研究中心主任。
Ben G. Streetman，IEEE、美國(guó)國(guó)家工程院院士、美國(guó)藝術(shù)與科學(xué)院院士、美國(guó)電化學(xué)學(xué)會(huì)（ECS）會(huì)士。現(xiàn)任美國(guó)得克薩斯大學(xué)?W斯汀分校工程學(xué)院名譽(yù)院長(zhǎng)。他是該校電氣與計(jì)算機(jī)工程退休教授，也是該校微電子研究中心的創(chuàng)始人和第一任主任（1984—1996年）。Streetman教授的教學(xué)領(lǐng)域和研究興趣主要涉及半導(dǎo)體材料與半導(dǎo)體器件。Sanjay K. Banerjee，IEEE，美國(guó)得克薩斯大學(xué)?W斯汀分校電氣與計(jì)算機(jī)工程科克雷爾講座教授，現(xiàn)任該校微電子研究中心主任。

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