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第三代半導體技術與應用(中國芯片制造系列) 版權信息
- ISBN：9787566832382
- 條形碼：9787566832382 ; 978-7-5668-3238-2
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
第三代半導體技術與應用(中國芯片制造系列) 本書特色
★第三代半導體領域所涵蓋的材料技術、制造工藝技水、電子器件技術等，都是微電子產業的重要發展方向，也是國際上非常前沿、應用前景非常廣闊的技術之一。第三代半導體材料基于其特有的禁帶貿度大、擊穿場強高、熱導率大等材料性能，在半導體技術、光電子技術、電力電子技術、微波射頻技水、聲波濾波器運用等諸多科研和應用領域都展現出巨大的發展空間與潛力，對于我國半導體產業科技的進步和發展越來越重要。目前非常先進的關鍵技術，有許多還掌握在國外企業手中，國內企業和研究人員都在探索屬于自己的技術方向，但國內缺乏這種能夠結合產學經驗的參考書籍及國際前沿技術發展的風向標。本書的及時出版，恰恰給業界同人帶來了第三代半導體的技術路線參考。期望業界同人共同努力，為我國第三代半導體事業的發展做出貢獻。 ——芯恩（青島）集成電路有限公司創始人，張汝京博士
第三代半導體技術與應用(中國芯片制造系列) 內容簡介
近年來，碳化硅在電力電子、照明等領域應用日益廣泛，被認可將會成為的不可或缺的材料，本書是一本系統地闡述碳化硅半導體材料生長和加工工藝的專著，填補了國內該領域書籍對于近期碳化硅制造工藝新技術及進展介紹的空白。
第三代半導體技術與應用(中國芯片制造系列) 目錄
序言（張汝京）
前言
1 概述
1．1 碳化硅的歷史和性質
1．2 碳化硅的應用及材料要求
1．3 碳化硅材料在應用中的注意事項
1．3．1 電子器件
1．3．2 微機電系統
1．4 碳化硅的主要生長方法
1．4．1 籽晶升華生長
1．4．2 高溫化學氣相沉積
1．4．3 鹵化物化學氣相沉積
1．4．4 改良版的物理氣相傳輸
1．4．5 連續進料物理氣相傳輸
1．4．6 頂部籽晶液相生長
1．4．7 碳化硅外延層技術的發展
1．5 新潁趨勢和未來發展
2 碳化硅材料生長的基本原理
2．1 碳化硅晶型
2．2 表征技術
2．2．1 生長過程可視化
2．2．2 晶體表征
2．3 物理氣相傳輸
2．3．1 簡介及熱力學性質
2．3．2 生長過程控制
2．3．3 碳化硅原料制備
2．3．4 碳化硅籽晶及其安裝
2．3．5 晶體形狀控制
2．3．6 晶體應力控制
2．3．7 氣相組成對晶體的影響
2．3．8 保證晶型穩定生長的方法
2．3．9 摻雜
2．3．1 0終止生長過程
2．3．1 1通過生長參數定制晶體特性
2．4 高溫化學氣相沉積
2．4．1 化學氣相沉積簡介
2．4．2 高溫化學氣相沉積簡介
2．4．3 實驗裝置
2．4．4 提高生長速率的措施
2．4．5 晶體質量與生長條件分析
2．4．6 氮摻雜效率
2．5 液相生長
2．6 缺陷
2．6．1 缺陷種類
2．6．2 缺陷的產生、演化以及減少
2．7 摻雜
2．7．1 摻雜問題
2．7．2 摻雜對基矢面位錯演化的影響
2．7．3 摻雜對晶格硬度變化的影響
2．7．4 摻雜對費米能級的影響
……
3 碳化硅外延薄膜生長
4 多晶碳化硅和非晶碳化硅薄膜沉積
5 碳化硅襯底上的氮化鎵生長
6 碳化硅加工工藝
7 碳化硅封裝工藝
8 碳化硅應用前景及發展趨勢
9 結語
參考文獻
附錄 本書主要名詞英漢對照表
前言
1 概述
1．1 碳化硅的歷史和性質
1．2 碳化硅的應用及材料要求
1．3 碳化硅材料在應用中的注意事項
1．3．1 電子器件
1．3．2 微機電系統
1．4 碳化硅的主要生長方法
1．4．1 籽晶升華生長
1．4．2 高溫化學氣相沉積
1．4．3 鹵化物化學氣相沉積
1．4．4 改良版的物理氣相傳輸
1．4．5 連續進料物理氣相傳輸
1．4．6 頂部籽晶液相生長
1．4．7 碳化硅外延層技術的發展
1．5 新潁趨勢和未來發展
2 碳化硅材料生長的基本原理
2．1 碳化硅晶型
2．2 表征技術
2．2．1 生長過程可視化
2．2．2 晶體表征
2．3 物理氣相傳輸
2．3．1 簡介及熱力學性質
2．3．2 生長過程控制
2．3．3 碳化硅原料制備
2．3．4 碳化硅籽晶及其安裝
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2．3．7 氣相組成對晶體的影響
2．3．8 保證晶型穩定生長的方法
2．3．9 摻雜
2．3．1 0終止生長過程
2．3．1 1通過生長參數定制晶體特性
2．4 高溫化學氣相沉積
2．4．1 化學氣相沉積簡介
2．4．2 高溫化學氣相沉積簡介
2．4．3 實驗裝置
2．4．4 提高生長速率的措施
2．4．5 晶體質量與生長條件分析
2．4．6 氮摻雜效率
2．5 液相生長
2．6 缺陷
2．6．1 缺陷種類
2．6．2 缺陷的產生、演化以及減少
2．7 摻雜
2．7．1 摻雜問題
2．7．2 摻雜對基矢面位錯演化的影響
2．7．3 摻雜對晶格硬度變化的影響
2．7．4 摻雜對費米能級的影響
……
3 碳化硅外延薄膜生長
4 多晶碳化硅和非晶碳化硅薄膜沉積
5 碳化硅襯底上的氮化鎵生長
6 碳化硅加工工藝
7 碳化硅封裝工藝
8 碳化硅應用前景及發展趨勢
9 結語
參考文獻
附錄 本書主要名詞英漢對照表
展開全部
第三代半導體技術與應用(中國芯片制造系列) 作者簡介
姚玉，博士畢業于加拿大不列顛哥倫比亞大學，多年來專注于半導體先進封裝制程材料、工藝及理論的研究，對于半導體先進封裝中運用的多種關鍵的鍍層材料以及制程的工藝整合及芯片制造、管理有著豐富的經驗。參與主編《芯片先進封裝制造》一書，是近年來第一本芯片領域系統性講述新先進封裝制造工藝的專業圖書。 洪華，東南大學電子科學與工程學院、國家示范性微電子學院、MEMS教育部重點實驗室助理教授。曾入選2020年江蘇省“雙創計劃”，2013、2015年兩次入選美國能源部普林斯頓CEFRC學者，2015年被選為美國國家科學基金REU項目導師，2020年入選東南大學紫金學者。
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