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高動態(tài)微系統(tǒng)與MEMS引信技術(shù)-(上下) 版權(quán)信息
- ISBN：9787118108316
- 條形碼：9787118108316 ; 978-7-118-10831-6
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊數(shù)：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>
高動態(tài)微系統(tǒng)與MEMS引信技術(shù)-(上下) 本書特色
《高動態(tài)微系統(tǒng)與MEMS引信技術(shù)(套裝共2冊)》包括：《高動態(tài)微系統(tǒng)與MEMS引信技術(shù)（上）》、《高動態(tài)微系統(tǒng)與MEMS引信技術(shù)（下）》共2冊。上冊重點(diǎn)介紹微系統(tǒng)技術(shù)基礎(chǔ)、互連技術(shù)、封裝集成技術(shù)等，以高動態(tài)微系統(tǒng)技術(shù)及其典型應(yīng)用為主線，構(gòu)建高動態(tài)微系統(tǒng)的理論體系，研究其設(shè)計(jì)方法和規(guī)律，介紹典型高動態(tài)微系統(tǒng)的主要工藝、檢測及集成應(yīng)用方法；下冊以典型高動態(tài)微系統(tǒng)——MEMS引信為例，重點(diǎn)介紹MEMS引信總體技術(shù)、MEMS安全系統(tǒng)、含能微器件及其系統(tǒng)、引信射頻MEMS技術(shù)、引信用微慣性器件、引信專用芯片、MEMS引信用固態(tài)控制器相關(guān)知識，針對高動態(tài)微系統(tǒng)的發(fā)展趨勢列舉了大量具體研究成果并進(jìn)行相應(yīng)的理論分析，為高動態(tài)微系統(tǒng)的論證分析、設(shè)計(jì)、加工及應(yīng)用提供參考。
高動態(tài)微系統(tǒng)與MEMS引信技術(shù)-(上下) 內(nèi)容簡介
現(xiàn)代引信技術(shù)叢書： 《引信MEMS微彈性元件設(shè)計(jì)基礎(chǔ)》 《引信環(huán)境及其應(yīng)用》 《現(xiàn)代引信裝配工程》 《引信安全系統(tǒng)分析與設(shè)計(jì)》 《高價(jià)值彈藥和引信小子樣可靠性評估與驗(yàn)收》 《引信彈道修正技術(shù)》 《激光引信技術(shù)》 《引信可靠性技術(shù)》 《高動態(tài)微系統(tǒng)與MEMS引信技術(shù)》 《中小型智能彈藥舵機(jī)系統(tǒng)設(shè)計(jì)與應(yīng)用技術(shù)》 《侵徹彈藥引信技術(shù)》 《彈目姿軌復(fù)合交會精準(zhǔn)起爆控制》
高動態(tài)微系統(tǒng)與MEMS引信技術(shù)-(上下) 目錄
《高動態(tài)微系統(tǒng)與MEMS引信技術(shù)（上）》目錄：
第1章微系統(tǒng)技木基礎(chǔ)
1.1微系統(tǒng)的定義和超越摩爾定律
1.1.1微系統(tǒng)的定義
1.1.2微系統(tǒng)的功能及意義
1.1.3超越摩爾定律
1.1.4微系統(tǒng)的主要特點(diǎn)
1.2微系統(tǒng)發(fā)展的迫切性
1.2.1發(fā)展微系統(tǒng)的迫切性和意義
1.2.2不斷增長的市場需求
1.2.3微系統(tǒng)的發(fā)展歷程
1.3關(guān)鍵推動技術(shù)
1.3.1微系統(tǒng)設(shè)計(jì)思想
1.3.2異質(zhì)集成技術(shù)
1.3.3先進(jìn)功能材料技術(shù)
1.3.4仿真驗(yàn)證及可靠性測試技術(shù)
1.4微系統(tǒng)制造典型工藝——硅基工藝
1.4.1硅基表面加工和體加工技術(shù)概述
1.4.2光刻
1.4.3薄膜沉積
1.4.4摻雜
1.4.5刻蝕
1.4.6SOI DRIE技術(shù)在微系統(tǒng)中的應(yīng)用
1.5微系統(tǒng)制造典型工藝——非硅基工藝
1.5.1非硅微加工技術(shù)及其特點(diǎn)
1.5.2非硅基MEMS技術(shù)中的LIGA工藝
1.5.3在軍事上*具前景的UV—LIGA技術(shù)
1.6小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第2章高動態(tài)微系統(tǒng)
2.1高動態(tài)微系統(tǒng)內(nèi)涵
2.1.1高動態(tài)環(huán)境下的微系統(tǒng)
2.1.2尺寸效應(yīng)下高動態(tài)微系統(tǒng)的挑戰(zhàn)
2.1.3高動態(tài)微系統(tǒng)的優(yōu)勢
2.2高動態(tài)微系統(tǒng)的工作環(huán)境及特點(diǎn)
2.3高動態(tài)微系統(tǒng)設(shè)計(jì)及關(guān)鍵功能器件
2.3.1高動態(tài)微系統(tǒng)設(shè)計(jì)思想
2.3.2高動態(tài)環(huán)境下微傳感器技術(shù)
2.3.3高動態(tài)環(huán)境下執(zhí)行器技術(shù)
2.3.4高動態(tài)環(huán)境下微電源技術(shù)
2.3.5高動態(tài)微系統(tǒng)精確時鐘控制技術(shù)
2.4高動態(tài)微系統(tǒng)關(guān)鍵集成技術(shù)
2.4.1高動態(tài)微系統(tǒng)雙向流程集成技術(shù)
2.4.2高動態(tài)微系統(tǒng)加固技術(shù)
2.4.3高動態(tài)微系統(tǒng)可靠性及抗干擾技術(shù)
2.5高動態(tài)微系統(tǒng)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢
2.5.1航空航天高動態(tài)微系統(tǒng)
2.5.2高動態(tài)微系統(tǒng)在兵器中的應(yīng)用
2.5.3微型多功能作戰(zhàn)平臺
2.6小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第3章微系統(tǒng)互連技木
3.1引線鍵合技術(shù)
3.1.1引線鍵合技術(shù)概述
3.1.2引線鍵合形式
3.1.3引線鍵合質(zhì)量評估和失效分析
3.2導(dǎo)電聚合物鍵合技術(shù)
3.2.1導(dǎo)電聚合物鍵合簡介
3.2.2導(dǎo)電黏結(jié)劑綜述
3.2.3聚合物鍵合工藝
3.2.4聚合物鍵合質(zhì)量控制
3.3倒裝芯片及多芯片組件技術(shù)
3.3.1倒裝芯片技術(shù)概述
3.3.2倒裝芯片加工技術(shù)
3.3.3多芯片組件技術(shù)
3.4芯片尺寸封裝與焊球陣列封裝技術(shù)
3.4.1芯片尺寸封裝概述
3.4.2芯片尺寸封裝技術(shù)
3.4.3焊球陣列封裝技術(shù)
3.5小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第4章微系統(tǒng)封裝集成技術(shù)
4.1微系統(tǒng)封裝集成概述
4.2微系統(tǒng)封裝集成的關(guān)鍵技術(shù)
4.2.1界面技術(shù)
4.2.2精度和可靠性
4.2.3組裝可靠性與可測試性
4.2.4高質(zhì)量密封技術(shù)
4.3微系統(tǒng)封裝的三個等級及集成設(shè)計(jì)
4.3.1芯片級封裝
4.3.2器件級封裝
4.3.3系統(tǒng)級封裝
4.3.4關(guān)鍵的后工藝——內(nèi)部環(huán)境控制
4.4高動態(tài)微系統(tǒng)封裝集成基本過程
4.4.1表面微加工
4.4.2封裝的選擇
4.4.3芯片連接
4.4.4電連接和密封
4.4.5封裝區(qū)域的清潔
4.4.6模塊化高動態(tài)微系統(tǒng)封裝集成
4.4.7特殊問題
4.5典型微傳感器封裝集成
4.5.1微壓力傳感器
4.5.2加速度計(jì)
4.5.3流量傳感器
4.5.4化學(xué)傳感器
4.5.5光學(xué)傳感器
4.5.6磁傳感器
4.5.7微流體器件
4.6MEMS與IC的集成
4.6.1IC與微系統(tǒng)集成
4.6.2納米系統(tǒng)集成典型案例
4.7微系統(tǒng)封裝測試標(biāo)準(zhǔn)
4.8小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第5章高動態(tài)微系統(tǒng)的力學(xué)防護(hù)技術(shù)
5.1高動態(tài)微系統(tǒng)力學(xué)防護(hù)的必要性
5.2高動態(tài)環(huán)境下多諧振蕩電路的輸出響應(yīng)
5.2.1多諧振蕩電路
5.2.2模擬試驗(yàn)平臺的搭建
5.2.3試驗(yàn)過程及數(shù)據(jù)采集
5.3高動態(tài)微系統(tǒng)的防護(hù)理論及防護(hù)方法
5.3.1典型硬目標(biāo)的侵徹理論
5.3.2應(yīng)力波效應(yīng)
5.3.3微系統(tǒng)失效的主要原因
5.3.4鉆地彈侵徹問題的研究方法
5.4高動態(tài)微系統(tǒng)的防護(hù)措施
5.4.1從內(nèi)部提高引信抗高過載的主要途徑
5.4.2應(yīng)用MEMS技術(shù)提高引信抗高過載能力
5.4.3提高引信抗高過載性能的緩沖措施
5.5緩沖材料的防護(hù)效果
5.5.1材料的緩沖機(jī)理
5.5.2工程常選用的緩沖材料
5.5.3侵徹模型建立和材料模型
5.5.4緩沖材料的效果數(shù)值模擬及對比分析
5.6防護(hù)結(jié)構(gòu)的防護(hù)效果
5.6.1防護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
5.6.2防護(hù)材料的選擇
5.6.3侵徹過程中不同防護(hù)結(jié)構(gòu)的仿真分析
參考文獻(xiàn)
第6章高動態(tài)微系統(tǒng)的可靠性及失效機(jī)理
6.1高動態(tài)微系統(tǒng)可靠性及失效機(jī)理研究的必要性
6.2高動態(tài)微系統(tǒng)可靠性分析研究
6.2.1微系統(tǒng)典型失效模式與機(jī)理
6.2.2仿真方法研究
6.2.3可靠度計(jì)算方法
6.3微系統(tǒng)安保裝置多場耦合仿真
6.3.1離心力和后坐力耦合仿真
6.3.2后坐力、離心力和溫度耦合仿真
6.3.3不同離心力作用影響
6.3.4尺寸作用影響
6.4微系統(tǒng)固態(tài)開關(guān)多場耦合仿真
6.4.1COB封裝方式仿真
6.4.2倒裝焊封裝方式仿真
參考文獻(xiàn)
第7章傳感器、執(zhí)行器和供電一體化集成微系統(tǒng)
7.1駐極體機(jī)制
7.1.1駐極體的物理原理
7.1.2駐極體的分類及電學(xué)特性
7.2駐極體的極化技術(shù)
7.2.1電暈極化技術(shù)
7.2.2紫外線極化技術(shù)
7.2.3軟X射線極化技術(shù)
7.3駐極體在高度集成微系統(tǒng)的應(yīng)用
7.3.1駐極體微傳感器
7.3.2駐極體微執(zhí)行器
7.3.3駐極體微能源器
7.4壓電駐極體機(jī)制
7.4.1壓電駐極體的壓電性
7.4.2壓電駐極體的基本理論
7.5壓電駐極體制備技術(shù)
7.5.1壓電駐極體的工業(yè)制備及局限性
7.5.2壓電駐極體的MEMS工藝制備
7.6壓電駐極體極化技術(shù)
7.6.1介質(zhì)阻擋放電極化及局限性
7.6.2軟X射線極化技術(shù)
7.7壓電駐極體在高度集成微系統(tǒng)的應(yīng)用
7.7.1壓電駐極體微傳感器
7.7.2壓電駐極體微能源器
7.8傳感器—執(zhí)行器—自供電高度集成微系統(tǒng)展望
參考文獻(xiàn)
……
《高動態(tài)微系統(tǒng)與MEMS引信技術(shù)（下）》
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