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氮化鎵半導體材料及器件 版權信息
- ISBN:9787560673851
- 條形碼:9787560673851 ; 978-7-5606-7385-1
- 裝幀:一般膠版紙
- 冊數(shù):暫無
- 重量:暫無
- 所屬分類:>
氮化鎵半導體材料及器件 內(nèi)容簡介
本書通過理論介紹與具體實驗范例相結合的方式對氮化物半導體材料的測試表征技術進行了介紹, 并以氮化物材料為基礎系統(tǒng)地介紹了目前廣泛應用的氮化物光電與電子器件, 使讀者能夠充分了解二者之間內(nèi)在的聯(lián)系與區(qū)別。全書共8章, 包括氮化物材料基本特性及外延生長技術、新型氮化物異質(zhì)結構設計及制備、氮化物材料的測試表征技術、氮化物藍光LED材料與器件、氮化物紫外和深紫外LED材料與器件、氮化鎵基二極管、氮化鎵基三極管。
氮化鎵半導體材料及器件 目錄
第1章 緒論
1.1 氮化物材料及器件背景
1.2 GaN的研究進展
參考文獻
第2章 氮化物材料基本特性及外延生長技術
2.1 氮化物材料的結構
2.1.1 氮化物材料及其異質(zhì)結
2.1.2 氮化物材料晶體結構
2.1.3 氮化物材料能帶結構
2.2 氮化鎵材料的制備
2.2.1 氮化鎵材料的制備方法
2.2.2 MOCVD系統(tǒng)
2.2.3 MOCVD生長氮化鎵薄膜的基本原理
2.2.4 MOCVD氮化物外延常用襯底
2.3 高質(zhì)量GaN緩沖層外延生長技術
2.3.1 AlN成核層生長技術
2.3.2 階變Ⅴ/Ⅲ比技術
2.3.3 雜質(zhì)擴散抑制技術
2.4 高性能AlGaN/GaN異質(zhì)結外延
2.4.1 超薄AlN界面插入層技術
2.4.2 原位生長AlN介質(zhì)鈍化層技術
參考文獻
第3章 新型氮化物異質(zhì)結的設計及制備
3.1 AlGaN/GaN背勢壘異質(zhì)結
3.1.1 雙異質(zhì)結的優(yōu)勢及 研究進展
3.1.2 高性能雙異質(zhì)結的生長方法
3.2 GaN雙溝道及多溝道異質(zhì)結
3.2.1 雙溝道異質(zhì)結的特性分析
3.2.2 多溝道異質(zhì)結的特性分析
3.3 AIGaN和InGaN溝道異質(zhì)結
3.3.1 AIGaN溝道異質(zhì)結
3.3.2 InGaN溝道異質(zhì)結
3.4 強極化異質(zhì)結
3.4.1 高Al組分AlGaN/GaN異質(zhì)結
3.4.2 四元合金InAlGaN勢壘層
3.5 熱增強的超薄GaN溝道異質(zhì)結
3.5.1 基于A1N緩沖層制備異質(zhì)結的優(yōu)勢
3.5.2 基于AlN緩沖層的GaN成膜模型
3.5.3 熱增強AlN緩沖層異質(zhì)結的特性
參考文獻
第4章 氮化物材料的測試表征技術
4.1 霍爾效應測試
4.1.1 霍爾效應和霍爾系數(shù)
4.1.2 半導體電阻率的測試方法
4.1.3 霍爾效應測試的副效應
4.2 拉曼散射測試
4.2.1 拉曼散射的基礎理論
4.2.2 纖鋅礦結構GaN的拉曼散射
4.2.3 纖鋅礦結構GaN的LOPP耦合模
4.2.4 拉曼散射的選擇定則
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