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氮化鎵半導(dǎo)體材料及器件

包郵 氮化鎵半導(dǎo)體材料及器件

出版社:西安電子科技大學(xué)出版社出版時(shí)間:2024-10-01
開本: 24cm 頁(yè)數(shù): 329頁(yè)
中 圖 價(jià):¥65.8(6.1折) 定價(jià)  ¥108.0 登錄后可看到會(huì)員價(jià)
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氮化鎵半導(dǎo)體材料及器件 版權(quán)信息

  • ISBN:9787560673851
  • 條形碼:9787560673851 ; 978-7-5606-7385-1
  • 裝幀:一般膠版紙
  • 冊(cè)數(shù):暫無(wú)
  • 重量:暫無(wú)
  • 所屬分類:>

氮化鎵半導(dǎo)體材料及器件 內(nèi)容簡(jiǎn)介

本書通過(guò)理論介紹與具體實(shí)驗(yàn)范例相結(jié)合的方式對(duì)氮化物半導(dǎo)體材料的測(cè)試表征技術(shù)進(jìn)行了介紹, 并以氮化物材料為基礎(chǔ)系統(tǒng)地介紹了目前廣泛應(yīng)用的氮化物光電與電子器件, 使讀者能夠充分了解二者之間內(nèi)在的聯(lián)系與區(qū)別。全書共8章, 包括氮化物材料基本特性及外延生長(zhǎng)技術(shù)、新型氮化物異質(zhì)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及制備、氮化物材料的測(cè)試表征技術(shù)、氮化物藍(lán)光LED材料與器件、氮化物紫外和深紫外LED材料與器件、氮化鎵基二極管、氮化鎵基三極管。

氮化鎵半導(dǎo)體材料及器件 目錄

第1章 緒論 1.1 氮化物材料及器件背景 1.2 GaN的研究進(jìn)展 參考文獻(xiàn) 第2章 氮化物材料基本特性及外延生長(zhǎng)技術(shù) 2.1 氮化物材料的結(jié)構(gòu) 2.1.1 氮化物材料及其異質(zhì)結(jié) 2.1.2 氮化物材料晶體結(jié)構(gòu) 2.1.3 氮化物材料能帶結(jié)構(gòu) 2.2 氮化鎵材料的制備 2.2.1 氮化鎵材料的制備方法 2.2.2 MOCVD系統(tǒng) 2.2.3 MOCVD生長(zhǎng)氮化鎵薄膜的基本原理 2.2.4 MOCVD氮化物外延常用襯底 2.3 高質(zhì)量GaN緩沖層外延生長(zhǎng)技術(shù) 2.3.1 AlN成核層生長(zhǎng)技術(shù) 2.3.2 階變Ⅴ/Ⅲ比技術(shù) 2.3.3 雜質(zhì)擴(kuò)散抑制技術(shù) 2.4 高性能AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)外延 2.4.1 超薄AlN界面插入層技術(shù) 2.4.2 原位生長(zhǎng)AlN介質(zhì)鈍化層技術(shù) 參考文獻(xiàn) 第3章 新型氮化物異質(zhì)結(jié)的設(shè)計(jì)及制備 3.1 AlGaN/GaN背勢(shì)壘異質(zhì)結(jié) 3.1.1 雙異質(zhì)結(jié)的優(yōu)勢(shì)及 研究進(jìn)展 3.1.2 高性能雙異質(zhì)結(jié)的生長(zhǎng)方法 3.2 GaN雙溝道及多溝道異質(zhì)結(jié) 3.2.1 雙溝道異質(zhì)結(jié)的特性分析 3.2.2 多溝道異質(zhì)結(jié)的特性分析 3.3 AIGaN和InGaN溝道異質(zhì)結(jié) 3.3.1 AIGaN溝道異質(zhì)結(jié) 3.3.2 InGaN溝道異質(zhì)結(jié) 3.4 強(qiáng)極化異質(zhì)結(jié) 3.4.1 高Al組分AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié) 3.4.2 四元合金InAlGaN勢(shì)壘層 3.5 熱增強(qiáng)的超薄GaN溝道異質(zhì)結(jié) 3.5.1 基于A1N緩沖層制備異質(zhì)結(jié)的優(yōu)勢(shì) 3.5.2 基于AlN緩沖層的GaN成膜模型 3.5.3 熱增強(qiáng)AlN緩沖層異質(zhì)結(jié)的特性 參考文獻(xiàn) 第4章 氮化物材料的測(cè)試表征技術(shù) 4.1 霍爾效應(yīng)測(cè)試 4.1.1 霍爾效應(yīng)和霍爾系數(shù) 4.1.2 半導(dǎo)體電阻率的測(cè)試方法 4.1.3 霍爾效應(yīng)測(cè)試的副效應(yīng) 4.2 拉曼散射測(cè)試 4.2.1 拉曼散射的基礎(chǔ)理論 4.2.2 纖鋅礦結(jié)構(gòu)GaN的拉曼散射 4.2.3 纖鋅礦結(jié)構(gòu)GaN的LOPP耦合模 4.2.4 拉曼散射的選擇定則
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