掃一掃
關注中圖網
官方微博
基于氮化鎵的高頻高效功率轉換技術 版權信息
- ISBN：9787560673134
- 條形碼：9787560673134 ; 978-7-5606-7313-4
- 裝幀：平裝-膠訂
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
基于氮化鎵的高頻高效功率轉換技術 內容簡介
本書共8章，主要內容包括GaN體單晶襯底和Si基GaN外延、橫向GaN基HEMT器件及其結構、垂直型GaN基電力電子晶體管、GaN基功率器件的可靠性、GaN基功率器件的魯棒性驗證、寄生效應對GaN基功率轉換器的影響、GaN基AC/DC功率轉換器、GaN基開關模式功率放大器等。本書內容涵蓋范圍廣，從材料生長到器件制造、從特性分析到魯棒性驗證、從電路設計到系統應用，層次清晰且系統性較強，可讀性較高；其內容具有一定的前瞻性與先進性，所涉及的技術領域與工藝水平均為目前國際主流。
本書可作為微電子、電子信息工程、電氣工程等專業的本科生以及相關專業的研究生教材，也可以供從事半導體器件設計、器件可靠性分析、電力電子系統開發的工程技術人員參考。
基于氮化鎵的高頻高效功率轉換技術 目錄
結論
第1章 GaN體單晶襯底和Si基GaN外延
1.1 引言
1.2 GaN體單晶生長技術和襯底技術現狀
1.3 GaN的同質外延
1.4 GaN的異質外延
1.5 Ⅲ族氮化物的異質結構
1.6 Ⅲ族氮化物中的壓電場
1.7 Ⅲ族氮化物外延技術——金屬有機氣相外延
1.8 Si基AlGaN／GaN外延結構的構建
1.8.1 成核層
1.8.2 緩沖層
1.8.3 有源層
1.8.4 帽層和表面鈍化層
1.9 結論
參考文獻
第2章 橫向GaN基HEMT器件及其結構
2.1 引言
2.2 常規GaN基HEMT器件
2.3 具有高遷移率的結構
2.4 抑制電流崩塌的結構
2.5 在高壓狀態下工作的結構
2.6 在常關型狀態下工作的結構
參考文獻
第3章 垂直型GaN基電力電子晶體管
3.1 引言
3.2 電流孔徑垂直電子晶體管（CAVET）
3.2.1 CAVET的工作原理
3.2.2 功率開關中的CAVET
3.3 CAVET的開關特性
3.3.1 制造工藝的討論
3.3.2 凹槽型CAVET
3.4 金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（MOSFET）
3.4.1 基于再生長的MOSFET（OGFET）
3.4.2 OGFET的開關特性
3.5 結論
參考文獻
第4章 GaN基功率器件的可靠性
4.1 關態經時退化機制
4.2 p型柵器件的經時失效
4.3 MIS-HEMT結構中正負偏置下的閾值電壓不穩定性
4.3.1 MIS-HEMT器件正偏置閾值電壓的不穩定性
4.3.2 MIS-HEMT器件負偏置閾值電壓的不穩定性
4.3.3 恒定源極電流引起的退化
4.4 結論
參考文獻
第5章 GaN基功率器件的魯棒性驗證
5.1 引言
5.1.1 GaN基功率晶體管特有的可靠性問題
5.1.2 GaN基功率晶體管的開關安全工作區（SSOA）
展開全部
書友推薦
- >
詩經-先民的歌唱
- >
月亮與六便士
- >
月亮虎
- >
唐代進士錄
- >
李白與唐代文化
- >
經典常談
- >
龍榆生：詞曲概論/大家小書
- >
自卑與超越
本類暢銷
