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基于氮化鎵的高頻高效功率轉(zhuǎn)換技術(shù) 版權(quán)信息
- ISBN：9787560673134
- 條形碼：9787560673134 ; 978-7-5606-7313-4
- 裝幀：平裝-膠訂
- 冊(cè)數(shù)：暫無(wú)
- 重量：暫無(wú)
- 所屬分類(lèi)：>>
基于氮化鎵的高頻高效功率轉(zhuǎn)換技術(shù) 內(nèi)容簡(jiǎn)介
本書(shū)共8章，主要內(nèi)容包括GaN體單晶襯底和Si基GaN外延、橫向GaN基HEMT器件及其結(jié)構(gòu)、垂直型GaN基電力電子晶體管、GaN基功率器件的可靠性、GaN基功率器件的魯棒性驗(yàn)證、寄生效應(yīng)對(duì)GaN基功率轉(zhuǎn)換器的影響、GaN基AC/DC功率轉(zhuǎn)換器、GaN基開(kāi)關(guān)模式功率放大器等。本書(shū)內(nèi)容涵蓋范圍廣，從材料生長(zhǎng)到器件制造、從特性分析到魯棒性驗(yàn)證、從電路設(shè)計(jì)到系統(tǒng)應(yīng)用，層次清晰且系統(tǒng)性較強(qiáng)，可讀性較高；其內(nèi)容具有一定的前瞻性與先進(jìn)性，所涉及的技術(shù)領(lǐng)域與工藝水平均為目前國(guó)際主流。
本書(shū)可作為微電子、電子信息工程、電氣工程等專(zhuān)業(yè)的本科生以及相關(guān)專(zhuān)業(yè)的研究生教材，也可以供從事半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)、器件可靠性分析、電力電子系統(tǒng)開(kāi)發(fā)的工程技術(shù)人員參考。
基于氮化鎵的高頻高效功率轉(zhuǎn)換技術(shù) 目錄
結(jié)論
第1章 GaN體單晶襯底和Si基GaN外延
1.1 引言
1.2 GaN體單晶生長(zhǎng)技術(shù)和襯底技術(shù)現(xiàn)狀
1.3 GaN的同質(zhì)外延
1.4 GaN的異質(zhì)外延
1.5 Ⅲ族氮化物的異質(zhì)結(jié)構(gòu)
1.6 Ⅲ族氮化物中的壓電場(chǎng)
1.7 Ⅲ族氮化物外延技術(shù)——金屬有機(jī)氣相外延
1.8 Si基AlGaN／GaN外延結(jié)構(gòu)的構(gòu)建
1.8.1 成核層
1.8.2 緩沖層
1.8.3 有源層
1.8.4 帽層和表面鈍化層
1.9 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
第2章 橫向GaN基HEMT器件及其結(jié)構(gòu)
2.1 引言
2.2 常規(guī)GaN基HEMT器件
2.3 具有高遷移率的結(jié)構(gòu)
2.4 抑制電流崩塌的結(jié)構(gòu)
2.5 在高壓狀態(tài)下工作的結(jié)構(gòu)
2.6 在常關(guān)型狀態(tài)下工作的結(jié)構(gòu)
參考文獻(xiàn)
第3章 垂直型GaN基電力電子晶體管
3.1 引言
3.2 電流孔徑垂直電子晶體管（CAVET）
3.2.1 CAVET的工作原理
3.2.2 功率開(kāi)關(guān)中的CAVET
3.3 CAVET的開(kāi)關(guān)特性
3.3.1 制造工藝的討論
3.3.2 凹槽型CAVET
3.4 金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）
3.4.1 基于再生長(zhǎng)的MOSFET（OGFET）
3.4.2 OGFET的開(kāi)關(guān)特性
3.5 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
第4章 GaN基功率器件的可靠性
4.1 關(guān)態(tài)經(jīng)時(shí)退化機(jī)制
4.2 p型柵器件的經(jīng)時(shí)失效
4.3 MIS-HEMT結(jié)構(gòu)中正負(fù)偏置下的閾值電壓不穩(wěn)定性
4.3.1 MIS-HEMT器件正偏置閾值電壓的不穩(wěn)定性
4.3.2 MIS-HEMT器件負(fù)偏置閾值電壓的不穩(wěn)定性
4.3.3 恒定源極電流引起的退化
4.4 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
第5章 GaN基功率器件的魯棒性驗(yàn)證
5.1 引言
5.1.1 GaN基功率晶體管特有的可靠性問(wèn)題
5.1.2 GaN基功率晶體管的開(kāi)關(guān)安全工作區(qū)（SSOA）
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