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微電子器件基礎 版權信息
- ISBN：9787121477393
- 條形碼：9787121477393 ; 978-7-121-47739-3
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>
微電子器件基礎 內容簡介
本書較全面地介紹常見微電子器件的基本結構、特性、原理、進展和測量方法。為了便于讀者自學和參考，首先介紹微電子器件涉及的半導體晶體結構、電子狀態、載流子統計分布和運動等基礎知識；然后，重點闡述半導體器件中的結與電容等核心單元的特性和機理；之后，詳細介紹雙極型晶體管、MOS場效應晶體管的基本工作原理、特性和電學參數；在對經典半導體器件基礎結構、工作機理和電學特性進行詳細闡述后，綜述近年來基于硅和新材料的代表性器件；*后，概述半導體器件的表征與測量方法。本書提供配套的電子課件PPT、習題參考答案等。本書可作為電子信息類專業本科生、研究生相關課程的教材，也可供相關行業的工程技術人員學習和參考。
微電子器件基礎 目錄
第1章 半導體物理基礎 1
1.1 半導體晶格 1
1.1.1 半導體材料 1
1.1.2 晶體的晶向與晶面 2
1.1.3 典型半導體的晶體結構 4
1.2 半導體電子模型 5
1.2.1 價鍵模型 5
1.2.2 能帶模型 7
1.2.3 本征半導體的分布函數 11
1.2.4 半導體中的E-k關系和有效質量 14
1.3 載流子的運動與控制 17
1.3.1 半導體的摻雜 17
1.3.2 摻雜半導體的載流子分布 20
1.3.3 摻雜半導體的載流子運動方程 28
1.3.4 載流子的復合理論 39
1.4 思考題和習題1 42
第2章 半導體器件中的結與電容 44
2.1 pn結 44
2.1.1 結構與組成 44
2.1.2 靜電特性 46
2.1.3 穩態響應 53
2.1.4 瞬態響應 67
2.2 異質結 71
2.2.1 形成異質結的材料 71
2.2.2 能帶圖 71
2.2.3 二維電子氣 73
2.2.4 靜電平衡態 74
2.2.5 電流-電壓特性 77
2.3 金屬-半導體結 78
2.3.1 肖特基接觸 78
2.3.2 歐姆接觸 81
2.4 pn結電容 82
2.4.1 pn結電容的來源 82
2.4.2 勢壘電容 83
2.4.3 擴散電容 87
2.4.4 pn結電導 88
2.5 MOS電容 93
2.6 思考題和習題2 97
第3章 雙極型晶體管 99
3.1 結構與工作原理 99
3.1.1 基本概念 99
3.1.2 靜電特性 101
3.1.3 特性參數 102
3.1.4 少子濃度分布與能帶圖 106
3.2 穩態響應 107
3.2.1 電流響應 107
3.2.2 擊穿特性 112
3.3 頻率響應 116
3.3.1 基區輸運系數與頻率的關系 116
3.3.2 高頻小信號電流放大系數 124
3.4 開關特性 133
3.4.1 晶體管開關等效電路和工作區域 133
3.4.2 晶體管的開關過程 136
3.5 思考題和習題3 139
第4章 MOS場效應晶體管 141
4.1 結構與工作原理 141
4.1.1 MOSFET的類型 141
4.1.2 MOSFET的輸出特性 144
4.2
展開全部
微電子器件基礎 作者簡介
王穎，大連海事大學信息科學技術學院教授、博士生導師。從事先進半導體器件與集成設計、半導體輻射探測器等方向的應用基礎研究。中國電源學會元器件專委會委員、大連市半導體行業協會專家委員會委員。發表 SCI 學術論文120余篇(其中IEEE期刊論文60余篇)，獲發明專利授權50余項，獲省部級自然科學二等獎2項、軍隊科學技術一等獎1項。曾獲得“百千萬人才工程”國家級人選、國家有突出貢獻中青年專家、教育部新世紀優秀人才、國務院政府特殊津貼等榮譽。
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