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半導體濕法刻蝕加工技術 版權信息
- ISBN：9787030747440
- 條形碼：9787030747440 ; 978-7-03-074744-0
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>
半導體濕法刻蝕加工技術 本書特色
本書就作者近年來在半導體濕法刻蝕加工方面所開展的研究工作進行梳理和總結，能為從事半導體制造加工工藝與裝備研發等相關科研工作的同行提供參考，對我國集成電路產業的發展有所助益。
半導體濕法刻蝕加工技術 內容簡介
半導體微結構陣列廣泛存在于新一代電子器件、生物芯片和微流控芯片之中，但復雜形狀、納米尺度和數量龐大等特點，極大地加劇了其制造難度。為此，本書提出了外力引導式化學刻蝕加工微結構陣列的新方法，將金屬催化粒子當做微納尺度下的加工刀具，通過流場/電場/光場等外場等非接觸式地引導其定向運動，在包括硅和碳化硅等在內的半導體塊體材料內部，定向加工所需的各類復雜微結構陣列，克服傳統方法難以半導體微納結構的難題。通過研究塊體材料內部定向刻蝕加工機理等關鍵科學問題，研發了半導體濕法刻蝕技術與加工裝備原型樣機，初步建立復雜半導體微結構陣列制造的研究體系，對促進我國面向電子制造的微納加工技術的發展，具有重要的理論意義和應用價值。
半導體濕法刻蝕加工技術 目錄
目錄 前言 主要縮寫對照表 **章 緒論 1 1.1 半導體加工簡介 1 1.2 半導體刻蝕加工技術 2 1.2.1 干法刻蝕加工技術 3 1.2.2 濕法刻蝕加工技術 5 1.2.3 金屬輔助化學刻蝕加工技術 15 1.3 小結 16 參考文獻 16 第二章 半導體的金屬輔助化學刻蝕加工 19 2.1 金屬輔助化學刻蝕簡介 19 2.1.1 金屬輔助化學刻蝕的歷史 19 2.1.2 金屬輔助化學刻蝕原理 21 2.1.3 金屬催化劑 23 2.1.4 刻蝕劑 24 2.1.5 晶體相關性 25 2.1.6 微孔硅 26 2.2 基于金屬輔助化學刻蝕的加工 27 2.2.1 孔和納米線 28 2.2.2 槽 29 2.2.3 3D加工 30 2.2.4 螺旋結構 34 2.3 實際加工中的注意事項 37 2.3.1 催化劑和工藝設計 37 2.3.2 刻蝕停止 38 2.3.3 流體流動誘導運動和預刻蝕HF浸入 38 2.3.4 黏附層厚度 39 2.3.5 催化劑堆頂層 40 2.3.6 催化劑清潔度 40 2.4 小結 40 參考文獻 40 第三章 硅折點納米線的可控刻蝕加工 45 3.1 折點納米線加工研究背景 45 3.2 折點納米線的金屬刻蝕過程建模研究 48 3.3 硅折點納米線加工方法 52 3.4 半導體折點納米線加工控制 52 3.4.1 折點數量控制 52 3.4.2 長度控制 53 3.4.3 角度控制 54 3.5 硅折點納米線加工工藝優化 55 3.5.1 樣品幾何位置對硅折點納米線形貌的影響 55 3.5.2 刻蝕時間對硅折點納米線形貌的影響 56 3.5.3 甘油體積對硅折點納米線形貌的影響 58 3.6 硅折點納米線的力學性質研究 59 3.6.1 建模方法 59 3.6.2 仿真結果與驗證 60 3.6.3 納米線缺陷對其力學性能的影響規律 62 3.6.4 硅折點納米線的潤濕特性和反射率 65 3.7 小結 67 參考文獻 67 第四章 超高深徑比納米線刻蝕加工 70 4.1 超高深徑比納米線刻蝕加工研究背景 70 4.2 PS納米球刻蝕加工方法 70 4.2.1 PS納米球自組裝 70 4.2.2 PS納米球刻蝕 72 4.2.3 刻蝕時間及刻蝕功率對PS納米球刻蝕速率的影響規律 73 4.2.4 輔助氣體的種類對PS納米球刻蝕速率的影響規律 74 4.3 超高深徑比納米線刻蝕加工結果及表征 76 4.4 小結 77 參考文獻 77 第五章 單納米精度硅孔陣列刻蝕加工 80 5.1 單納米精度硅孔陣列刻蝕加工研究背景 80 5.1.1 離子束加工 81 5.1.2 電子束加工 83 5.1.3 離子軌跡刻蝕加工 83 5.1.4 電子束光刻輔助的反應離子刻蝕加工 84 5.1.5 陽極氧化鋁薄膜輔助加工 85 5.1.6 金屬輔助等離子體刻蝕加工 86 5.1.7 金屬輔助化學刻蝕加工 87 5.2 單納米精度掩膜板加工 89 5.2.1 二氧化硅包覆金納米粒子自組裝 89 5.2.2 旋涂工藝研究 91 5.2.3 二氧化硅包覆金納米粒子自組裝結果表征 93 5.3 納米孔陣列刻蝕加工 94 5.3.1 刻蝕加工平臺搭建 95 5.3.2 單納米精度硅孔陣列刻蝕加工形貌演變過程 96 5.4 單納米精度硅孔陣列刻蝕加工的機器學習建模 99 5.4.1 建模過程 100 5.4.2 模型參數訓練 103 5.4.3 預測模型 105 5.4.4 模型驗證 107 5.4.5 結果預測 111 5.5 單納米精度硅孔陣列刻蝕加工的機理 112 5.6 小結 114 參考文獻 114 第六章 第三代半導體碳化硅的電場和金屬輔助化學刻蝕復合加工 120 6.1 第三代半導體碳化硅濕法刻蝕加工研究背景 120 6.2 電場和金屬輔助化學刻蝕復合加工方法 121 6.3 電場和金屬輔助化學刻蝕復合加工結果 122 6.3.1 恒電壓模擬 122 6.3.2 恒電流模擬 123 6.4 電場和金屬輔助化學刻蝕復合加工機理 125 6.4.1 純陽極氧化刻蝕 125 6.4.2 純金屬輔助化學刻蝕 126 6.4.3 復合刻蝕加工機理 127 6.5 小結 129 參考文獻 129 第七章 第三代半導體碳化硅高深寬比微槽的紫外光場 和濕法刻蝕復合加工 132 7.1 研究背景 132 7.2 加工方法 133 7.3 加工結果 135 7.4 加工工藝優化 136 7.5 加工建模 138 7.6 各類微/納米結構 140 7.7 小結 140 參考文獻 141 彩圖
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