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圖解入門——半導體元器件精講 版權信息
- ISBN：9787111730668
- 條形碼：9787111730668 ; 978-7-111-73066-8
- 裝幀：平裝-膠訂
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
圖解入門——半導體元器件精講 本書特色
東芝株式會社指定內部培訓用書
日本著名半導體專家執行直之從業40多年積淀
38道習題 159張圖表 163個公式 168個知識點
本書附有：常量表/室溫下（300K）的Si基本常量/從基本專利到實用化花了32年的MOS晶體管/麥克斯韋-玻爾茲曼分布函數/關于電子密度n以及空穴密度p的公式/質量作用定律/PN結的耗盡層寬度/載流子的產生與復合/小信號下的共發射極電路的電流放大倍數/帶隙變窄以及少數載流子遷移率/閾值電壓Vth/關于漏極電流ID飽和的解釋/
圖解入門——半導體元器件精講 內容簡介
本書改編自東芝株式會社內部培訓用書。為了讓讀者理解以硅（Si）為中心的半導體元器件，筆者用了大量的圖解方式進行說明。理解半導體元器件原理有效的圖，其實是能帶圖。全書共7章，包括半導體以及MOS晶體管的簡單說明、半導體的基礎物理、PN結二極管、雙極性晶體管、MOS電容器、MOS晶體管和超大規模集成電路器件。在本書*后，附加了常量表、室溫下（300K）的Si基本常量、MOS晶體管、麥克斯韋玻爾茲曼分布函數、關于電子密度n以及空穴密度p的公式、質量作用定律、PN結的耗盡層寬度、載流子的產生與復合、小信號下的共發射極電路的電流放大倍數、帶隙變窄以及少數載流子遷移率、閾值電壓Vth、關于漏極電流ID飽和的解釋。本書主要面向具有高中數理基礎的半導體初學者，也可供半導體、芯片從業者閱讀。
圖解入門——半導體元器件精講 目錄
前言
第1章 半導體以及MOS晶體管的簡單說明/
1.1半導體的歷史/
1.2半導體的概述/
1.3MOS晶體管的概述/
習題/
習題解答/
第2章 半導體的基礎物理/
2.1能帶/
2.1.1電子是粒子還是波/
2.1.2非連續的能級/
2.1.3能帶（連續能級）/
2.2費米統計與半導體/
2.2.1費米-狄拉克分布函數/
2.2.2絕緣體、半導體、金屬的區別/
2.2.3本征半導體/
2.2.4N型以及P型半導體/
2.3電中性條件以及質量作用定律/
2.3.1電中性條件/
2.3.2質量作用定律/
2.3.3電子與空穴的密度/
2.4擴散與漂移/
2.4.1擴散電流/
2.4.2漂移電流/
2.4.3電子與空穴的電流密度/
2.5靜電場的基本公式/
2.5.1靜電場的基本公式/
2.5.2電荷密度、電場、電動勢的圖解/
習題/
習題解答/
第3章 PN結二極管/
3.1PN結二極管的結構以及整流作用/
3.1.1PN結二極管的構造/
3.1.2整流作用/
3.2能帶圖（接地時）/
3.2.1接合之前的能帶圖/
3.2.2接合之后的能帶圖/
3.2.3能帶圖與電荷密度、電場及電動勢/
3.3能帶圖（施加偏置時）/
3.3.1反向偏置時的能帶圖/
3.3.2正向偏置時的能帶圖/
3.4電流電壓特性/
3.4.1擴散長度/
3.4.2空間電荷區中的PN積/
3.4.3正向偏置下的電流電壓特性/
3.4.4反向偏置下的電流電壓特性/
習題/
習題解答/
第4章 雙極性晶體管/
4.1雙極性晶體管的能帶圖/
4.1.1雙極性晶體管的結構/
4.1.2能帶圖/
4.2電流放大倍數與截止頻率/
4.2.1電流放大倍數/
4.2.2電流放大倍數的導出/
4.2.3截止頻率/
習題/
習題解答/
第5章 MOS電容器/
5.1MOS電容器的C-V特性/
5.1.1電容的說明/
5.1.2MOS電容器的電容/
5.2MOS結構的能帶圖/
5.2.1能帶圖（接地）/
5.2.2能帶圖（施加柵極電壓的情況）/
5.3C-V特性的頻率依賴性/
5.3.1低頻下的C-V特性/
5.3.2高頻下的C-V特性/
習題/
習題解答/
第6章 MOS晶體管/
6.1MOS晶體管的工作原理/
6.1.1MOS晶體管構造/
6.1.2電動勢分布與電子流動/
6.2電流電壓特性/
6.2.1線性區以及飽和區/
6.2.2電流電壓特性的簡單公式/
6.2.3考慮漏極電壓VD情況下的漏極電流ID的式子/
6.2.4漏極電流ID飽和的理由/
6.2.5亞閾值區/
6.3NMOS與PMOS/
6.4反相器/
6.4.1電阻負載型反相器/
6.4.2CMOS反相器/
習題/
習題解答/
第7章 超大規模集成電路器件/
7.1器件微縮的方向：縮放比例定律/
7.1.1器件微縮化的好處/
7.1.2縮放比例定律/
7.2器件微縮的難點/
7.2.1短溝道效應/
7.2.2CMOS器件的閂鎖效應/
7.3互連線微縮造成的信號延遲/
7.3.1定性的說明/
7.3.2延遲時間的估算/
7.4閃存/
7.4.1存儲器LSI的分類/
7.4.2閃存：數據寫入以及擦除/
習題/
習題解答/
附錄/
【附錄1】常量表/
【附錄2】室溫下（300K）的Si基本常量/
【附錄3】從基本專利到實用化花了32年的MOS晶體管/
【附錄4】麥克斯韋-玻爾茲曼分布函數/
【附錄5】關于電子密度n以及空穴密度p的公式/
【附錄6】質量作用定律/
【附錄7】PN結的耗盡層寬度/
【附錄8】載流子的產生與復合/
【附錄9】小信號下的共發射極電路的電流放大倍數/
【附錄10】帶隙變窄以及少數載流子遷移率/
【附錄11】閾值電壓Vth/
【附錄12】關于漏極電流ID飽和的解釋/
第1章 半導體以及MOS晶體管的簡單說明/
1.1半導體的歷史/
1.2半導體的概述/
1.3MOS晶體管的概述/
習題/
習題解答/
第2章 半導體的基礎物理/
2.1能帶/
2.1.1電子是粒子還是波/
2.1.2非連續的能級/
2.1.3能帶（連續能級）/
2.2費米統計與半導體/
2.2.1費米-狄拉克分布函數/
2.2.2絕緣體、半導體、金屬的區別/
2.2.3本征半導體/
2.2.4N型以及P型半導體/
2.3電中性條件以及質量作用定律/
2.3.1電中性條件/
2.3.2質量作用定律/
2.3.3電子與空穴的密度/
2.4擴散與漂移/
2.4.1擴散電流/
2.4.2漂移電流/
2.4.3電子與空穴的電流密度/
2.5靜電場的基本公式/
2.5.1靜電場的基本公式/
2.5.2電荷密度、電場、電動勢的圖解/
習題/
習題解答/
第3章 PN結二極管/
3.1PN結二極管的結構以及整流作用/
3.1.1PN結二極管的構造/
3.1.2整流作用/
3.2能帶圖（接地時）/
3.2.1接合之前的能帶圖/
3.2.2接合之后的能帶圖/
3.2.3能帶圖與電荷密度、電場及電動勢/
3.3能帶圖（施加偏置時）/
3.3.1反向偏置時的能帶圖/
3.3.2正向偏置時的能帶圖/
3.4電流電壓特性/
3.4.1擴散長度/
3.4.2空間電荷區中的PN積/
3.4.3正向偏置下的電流電壓特性/
3.4.4反向偏置下的電流電壓特性/
習題/
習題解答/
第4章 雙極性晶體管/
4.1雙極性晶體管的能帶圖/
4.1.1雙極性晶體管的結構/
4.1.2能帶圖/
4.2電流放大倍數與截止頻率/
4.2.1電流放大倍數/
4.2.2電流放大倍數的導出/
4.2.3截止頻率/
習題/
習題解答/
第5章 MOS電容器/
5.1MOS電容器的C-V特性/
5.1.1電容的說明/
5.1.2MOS電容器的電容/
5.2MOS結構的能帶圖/
5.2.1能帶圖（接地）/
5.2.2能帶圖（施加柵極電壓的情況）/
5.3C-V特性的頻率依賴性/
5.3.1低頻下的C-V特性/
5.3.2高頻下的C-V特性/
習題/
習題解答/
第6章 MOS晶體管/
6.1MOS晶體管的工作原理/
6.1.1MOS晶體管構造/
6.1.2電動勢分布與電子流動/
6.2電流電壓特性/
6.2.1線性區以及飽和區/
6.2.2電流電壓特性的簡單公式/
6.2.3考慮漏極電壓VD情況下的漏極電流ID的式子/
6.2.4漏極電流ID飽和的理由/
6.2.5亞閾值區/
6.3NMOS與PMOS/
6.4反相器/
6.4.1電阻負載型反相器/
6.4.2CMOS反相器/
習題/
習題解答/
第7章 超大規模集成電路器件/
7.1器件微縮的方向：縮放比例定律/
7.1.1器件微縮化的好處/
7.1.2縮放比例定律/
7.2器件微縮的難點/
7.2.1短溝道效應/
7.2.2CMOS器件的閂鎖效應/
7.3互連線微縮造成的信號延遲/
7.3.1定性的說明/
7.3.2延遲時間的估算/
7.4閃存/
7.4.1存儲器LSI的分類/
7.4.2閃存：數據寫入以及擦除/
習題/
習題解答/
附錄/
【附錄1】常量表/
【附錄2】室溫下（300K）的Si基本常量/
【附錄3】從基本專利到實用化花了32年的MOS晶體管/
【附錄4】麥克斯韋-玻爾茲曼分布函數/
【附錄5】關于電子密度n以及空穴密度p的公式/
【附錄6】質量作用定律/
【附錄7】PN結的耗盡層寬度/
【附錄8】載流子的產生與復合/
【附錄9】小信號下的共發射極電路的電流放大倍數/
【附錄10】帶隙變窄以及少數載流子遷移率/
【附錄11】閾值電壓Vth/
【附錄12】關于漏極電流ID飽和的解釋/
展開全部
圖解入門——半導體元器件精講 相關資料
MOS晶體管是構成大規模集成電路的基礎器件，作者使用大量的圖例，通過圖文并茂的方式，深入淺出地介紹了半導體元器件的工作原理。這是一本定位精準的入門級半導體元器件書籍，適合用于高等專科學校和高等教育本科階段的教學，也是初涉該領域從業人員不可多得的參考書。
南京大學微制造與集成工藝中心原副主任 北京智慧能源研究院半導體資深技術專家 李哲洋博士
芯片是大國重器，對于我國科技發展至關重要，希望本書能為日后走向半導體產業的學子以及對芯片行業發展感興趣的讀者帶來幫助。
《芯片戰爭》作者、硬科技財經作家余盛
科技是現代化國家的基礎性和戰略性支撐，科技又以人才為根本。本書用簡潔的語言和圖例將半導體科技及其基礎元器件的工作原理和制造工藝做了清晰的描述，這是一本非常適合從事芯片、半導體等行業從業者的入門書籍。
信息通信行業資深專家 TMT產業知名投資人 李翔宇
圖解入門——半導體元器件精講 作者簡介
執行直之，國際電子技術與信息科學工程師學會會士（IEEE Fellow）。
畢業于日本東北大學的工學研究科情報工學專業，并取得了博士學位（工學）。
1980年進入東芝株式會社，2019年進入鎧俠控股株式會社。
專業領域為半導體器件的仿真以及器件設計。
主要貢獻為：
研發了三維器件仿真工具，闡釋并解決了器件微縮過程中的問題。
構造了少數載流子遷移率等物理模型，使得器件仿真工具進一步實用化，對超大規模集成電路的實現做出了貢獻。
解決了一些靜電放電（ESD）軟件錯誤等相關的問題，對閃存的器件設計做出了貢獻。此外還進行過功率半導體IGBT相關的研究。
合著了《MOS集成電路的基礎》（近代科學社出版）、《半導體制程 器件 仿真技術》（REALIZE出版社出版）等書籍。執行直之，國際電子技術與信息科學工程師學會會士（IEEE Fellow）。
畢業于日本東北大學的工學研究科情報工學專業，并取得了博士學位（工學）。
1980年進入東芝株式會社，2019年進入鎧俠控股株式會社。
專業領域為半導體器件的仿真以及器件設計。
主要貢獻為：
研發了三維器件仿真工具，闡釋并解決了器件微縮過程中的問題。
構造了少數載流子遷移率等物理模型，使得器件仿真工具進一步實用化，對超大規模集成電路的實現做出了貢獻。
解決了一些靜電放電（ESD）軟件錯誤等相關的問題，對閃存的器件設計做出了貢獻。此外還進行過功率半導體IGBT相關的研究。
合著了《MOS集成電路的基礎》（近代科學社出版）、《半導體制程 器件 仿真技術》（REALIZE出版社出版）等書籍。
自2001年，為神奈川大學工學部兼課講師一職。
自2004年開始的兩年間，曾任東京工業大學大學院兼課講師一職。
曾任日本東北大學大學院客座教授一職。
自2017年開始的兩年間，曾任東京工業大學研究員一職。
譯者
婁煜，微電子專業碩士。曾從事數字電路評價以及驗證工作。熟悉數字電路基礎、半導體市場狀況，以及數字電路細分領域客戶需求。
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