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圖解入門 半導(dǎo)體制造設(shè)備基礎(chǔ)與構(gòu)造精講 原書第3版 版權(quán)信息
- ISBN：9787111708018
- 條形碼：9787111708018 ; 978-7-111-70801-8
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊數(shù)：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>
圖解入門 半導(dǎo)體制造設(shè)備基礎(chǔ)與構(gòu)造精講 原書第3版 本書特色
適讀人群 ：從事半導(dǎo)體制造與設(shè)計的專業(yè)人員閱讀說到芯片，相信關(guān)注它的朋友都知道，目前美國壟斷市場占了全球50%的份額，而國內(nèi)在芯片方面經(jīng)常被美國卡脖子，比如中興、華為等。而且不僅僅是卡成品芯片，還卡生產(chǎn)芯片的設(shè)備、材料、EDA軟件等。 一說起芯片，很多朋友都會說，要加速國產(chǎn)替代，不讓別人卡住我們的脖子。但在整個芯片產(chǎn)業(yè)，究竟有多少卡脖子的技術(shù)環(huán)節(jié)，我們又該在什么地方努力？ 目前有很多朋友表示，芯片有三大上游產(chǎn)業(yè)，分別是EDA、半導(dǎo)體設(shè)備、半導(dǎo)體材料，只要搞定這三大產(chǎn)業(yè)，就不用愁了。這樣說也對，但不夠全面，真正三大卡脖子的技術(shù)主要是在工藝、裝備/材料、設(shè)計IP核/EDA。 工藝是指芯片制造工藝，這是與芯片生產(chǎn)企業(yè)本身的技術(shù)相關(guān)的。比如臺積電、三星達(dá)到了5nm，格芯、Intel、聯(lián)電等達(dá)到了10nm，而目前國產(chǎn)技術(shù)只達(dá)到14nm。 設(shè)備/材料其實是一體的，裝備是指光刻機、刻蝕機、離子注入機等。在設(shè)備的前10大廠商中，美國有4家，日本有4家，歐洲有2家，其中美國份額高。 在材料方面，日本壟斷半導(dǎo)體材料70%的市場，這兩方面都需要我們繼續(xù)加強。 EDA是用來設(shè)計芯片的軟件，目前整個市場被美國企業(yè)壟斷了90%以上，國產(chǎn)不足5%。 IP核是指指令集，比如ARM、X86、RISC-V、MIPS、Alpha、Power。目前國內(nèi)就沒有自己的指令集，都是采用國外的指令集來設(shè)計芯片。 可見三大關(guān)鍵環(huán)節(jié)，都是被卡著脖子，并且是一環(huán)套一環(huán)，要想不被卡脖子，這些環(huán)節(jié)要全部實現(xiàn)國產(chǎn)替代才行，可見這是整個供應(yīng)鏈體系的事情，而不是某一家廠商，或幾家廠商的事情，需要一批批強大的企業(yè)。 以上這些環(huán)節(jié)需要專業(yè)的人才培養(yǎng)、高效的創(chuàng)新機制和深厚的科技文化支撐，因此，就需要從基礎(chǔ)做起，盡快普及相關(guān)的科技知識。本書就是為了解決上述問題而出版的，涉及前段制程、清洗與干燥、離子注入和熱處理、光刻、刻蝕、成膜、平坦化、CMOS、后段制程，為半導(dǎo)體技術(shù)的知識普及，為加速半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)替代，解決“卡脖子”問題盡一份綿薄之力。
圖解入門 半導(dǎo)體制造設(shè)備基礎(chǔ)與構(gòu)造精講 原書第3版 內(nèi)容簡介
本書以簡潔明了的結(jié)構(gòu)向讀者展現(xiàn)了半導(dǎo)體制造工藝中使用的設(shè)備基礎(chǔ)和構(gòu)造。全書涵蓋了半導(dǎo)體制造設(shè)備的現(xiàn)狀以及展望，同時也對清洗和干燥設(shè)備、離子注入設(shè)備、熱處理設(shè)備、光刻設(shè)備、蝕刻設(shè)備、成膜設(shè)備、平坦化設(shè)備、監(jiān)測和分析設(shè)備、后段制程設(shè)備等逐章進行解說。雖然包含了很多生澀的詞匯，但難能可貴的是全書提供了豐富的圖片和表格，幫助讀者進行理解。相信本書一定能帶領(lǐng)讀者進入一個半導(dǎo)體制造設(shè)備的立體世界。 本書適合從事半導(dǎo)體與芯片加工、設(shè)計的從業(yè)者，以及準(zhǔn)備涉足上述領(lǐng)域的上班族和學(xué)生閱讀參考。 此版本僅限在中國大陸地區(qū)（不包括香港、澳門特別行政區(qū)及臺灣地區(qū)）銷售。
圖解入門 半導(dǎo)體制造設(shè)備基礎(chǔ)與構(gòu)造精講 原書第3版 目錄
前言
半導(dǎo)體制造設(shè)備行業(yè)的現(xiàn)狀/
1.1總覽半導(dǎo)體制造設(shè)備/
半導(dǎo)體制造設(shè)備的地位/
本書的脈絡(luò)/
制造設(shè)備和制造工藝流程的關(guān)系/
1.2半導(dǎo)體制造設(shè)備的市場規(guī)模/
半導(dǎo)體行業(yè)的市場規(guī)模/
電子行業(yè)的市場規(guī)模/
硅晶圓的市場規(guī)模/
1.3半導(dǎo)體設(shè)備制造商和范式轉(zhuǎn)移/
半導(dǎo)體黎明期的制造設(shè)備/
半導(dǎo)體制造設(shè)備制造商的變遷/
范式轉(zhuǎn)移/
代工廠·無晶圓廠的登場/
1.4日本半導(dǎo)體設(shè)備制造商的現(xiàn)狀/
半導(dǎo)體行業(yè)的結(jié)構(gòu)/
日本國內(nèi)半導(dǎo)體制造商的現(xiàn)狀/
日本制造商的停滯/
1.5晶圓廠的現(xiàn)狀/
多樣的產(chǎn)品和半導(dǎo)體晶圓廠/
巨型晶圓廠/
1.6晶圓廠的多樣化/
晶圓廠的生產(chǎn)效能/
巨型晶圓廠以外的方案/
迷你晶圓廠的方案/
研究開發(fā)/
設(shè)備制造商未來的挑戰(zhàn)/
1.7硅晶圓450mm化的現(xiàn)狀/
硅晶圓的尺寸/
450mm化的趨勢/
全球450mm化的動向/
半導(dǎo)體制造設(shè)備的難題/
理解晶圓廠中的半導(dǎo)體制造設(shè)備/
2.1前段制程和后段制程/
半導(dǎo)體工藝流程的分類/
前端和后端/
2.2硅晶圓的用途/
硅晶圓和半導(dǎo)體制造設(shè)備/
2.3晶圓搬運和制造設(shè)備/
什么是晶圓搬運？/
晶圓和設(shè)備/
2.4晶圓廠和制造設(shè)備/
什么是晶圓廠？/
從晶圓的搬運角度了解晶圓廠/
2.5無塵室和制造設(shè)備/
什么是無塵室？/
制造設(shè)備的無塵化/
2.6微環(huán)境/
什么是微環(huán)境？/
什么是FOUP？/
2.7制造設(shè)備所需的性能/
制造設(shè)備需要滿足的性能和功能/
2.8賦予半導(dǎo)體設(shè)備以生命力的設(shè)施/
設(shè)施/
晶圓廠需要的設(shè)施/
2.9制造設(shè)備的產(chǎn)能和晶圓廠的運營/
什么是制造設(shè)備的產(chǎn)能？/
制造設(shè)備的稼動率/
2.10制造設(shè)備和生產(chǎn)管理/
什么是生產(chǎn)管理？/
AEC/APC/
設(shè)備的標(biāo)準(zhǔn)化/
清洗和干燥設(shè)備/
3.1什么是清洗和干燥設(shè)備？/
清洗設(shè)備的要素/
清洗和干燥設(shè)備的要素/
3.2清洗設(shè)備的分類/
一般的清洗設(shè)備分類/
根據(jù)方法論的清洗設(shè)備的分類/
3.3批量式清洗設(shè)備/
什么是批量式清洗設(shè)備？/
多槽式和單槽式/
3.4單片式清洗設(shè)備/
什么是單片式清洗設(shè)備？/
單片式干燥設(shè)備/
3.5新型清洗設(shè)備/
高頻蒸汽清洗設(shè)備/
紫外線(UV)/臭氧清洗設(shè)備/
超低溫氣溶膠清洗設(shè)備/
晶圓廠中各式各樣的清洗設(shè)備/
3.6清洗后**的干燥設(shè)備/
都有哪些干燥設(shè)備？/
旋轉(zhuǎn)干燥法/
IPA干燥法/
3.7開發(fā)中的新型干燥設(shè)備/
馬蘭戈尼設(shè)備的要素/
Rotagoni干燥設(shè)備的要素/
離子注入設(shè)備/
4.1什么是離子注入設(shè)備？/
什么是離子注入？/
離子注入設(shè)備的構(gòu)成要素/
4.2離子源/
含有離子源物質(zhì)的氣體/
弗里曼型離子源/
伯納斯(Bernus)型離子源/
4.3晶圓和離子注入設(shè)備/
離子注入設(shè)備中的晶圓掃描/
晶圓掃描設(shè)備的課題/
4.4制造CMOS的離子注入設(shè)備/
各種擴散層形成的CMOS/
不同加速能量和束電流的離子注入設(shè)備/
其他離子注入技術(shù)/
4.5離子注入的替代技術(shù)/
等離子摻雜設(shè)備/
激光摻雜設(shè)備/
熱處理設(shè)備/
5.1什么是熱處理設(shè)備？/
什么是晶體恢復(fù)熱處理設(shè)備？/
熱處理設(shè)備的要素/
5.2歷史悠久的批量式熱處理設(shè)備/
關(guān)于熱處理設(shè)備/
熱處理設(shè)備的石英爐/
5.3單片式RTA設(shè)備/
什么是RTA設(shè)備？/
溫度測量/
RTA設(shè)備的燈具/
5.4*新的激光退火設(shè)備/
什么是激光退火？/
激光退火設(shè)備和RTA設(shè)備的區(qū)別/
5.5準(zhǔn)分子激光源/
什么是準(zhǔn)分子激光器？/
通往設(shè)備的激光路徑/
什么是固體激光器？/
光刻設(shè)備/
6.1多樣的光刻設(shè)備/
什么是光刻工藝和光刻設(shè)備？/
光刻工藝流程和設(shè)備/
6.2決定精細(xì)化的曝光設(shè)備/
曝光設(shè)備的不同曝光方式/
縮影式曝光設(shè)備的繪制方法/
曝光設(shè)備的構(gòu)成要素/
曝光設(shè)備的光學(xué)系統(tǒng)/
6.3推進精細(xì)化進程的曝光光源的發(fā)展/
光源的歷史/
未來的光源/
6.4曝光所需的抗蝕劑涂布設(shè)備/
抗蝕劑和涂布機的關(guān)系/
現(xiàn)實中的旋涂設(shè)備/
抗蝕劑涂布設(shè)備的要素/
6.5曝光后所需的顯影設(shè)備/
什么是顯影工藝？/
現(xiàn)實中的顯影設(shè)備/
關(guān)于顯影工藝的液體堆積/
6.6光刻設(shè)備的集成/
什么是內(nèi)聯(lián)化？/
三次元的趨勢/
6.7灰化設(shè)備/
什么是灰化？/
灰化工藝和設(shè)備/
內(nèi)置灰化設(shè)備/
6.8液浸式曝光設(shè)備/
什么是液浸式曝光設(shè)備？/
液浸曝光技術(shù)的原理和課題/
6.9雙重圖案所需的設(shè)備/
什么是雙重圖案？/
需要什么設(shè)備？/
未來的課題/
6.10進一步追求精細(xì)化的EUV設(shè)備/
什么是EUV曝光技術(shù)？/
反射光學(xué)系統(tǒng)和掩膜/
EUV曝光設(shè)備的課題/
6.11掩膜形成技術(shù)和設(shè)備/
掩膜(瞄準(zhǔn)鏡)和它的進展/
關(guān)于EB直繪設(shè)備/
蝕刻設(shè)備/
7.1什么是蝕刻工藝和設(shè)備？/
什么是蝕刻工藝？/
7.2蝕刻設(shè)備的構(gòu)成要素/
蝕刻設(shè)備的組成/
干法蝕刻設(shè)備的工藝室/
7.3高頻電源的施加方法與蝕刻設(shè)備/
產(chǎn)生等離子體的條件/
什么是等離子體電位？/
陰極耦合的優(yōu)點/
按工藝分類的蝕刻設(shè)備/
7.4蝕刻設(shè)備的歷史/
干法蝕刻的登場/
干法蝕刻設(shè)備的演變/
7.5集群工具化的干法蝕刻設(shè)備/
什么是集群工具？/
各種集群工具/
7.6其他干法蝕刻設(shè)備/
適應(yīng)高精度化趨勢的蝕刻設(shè)備/
成膜設(shè)備/
8.1什么是成膜設(shè)備？/
什么是半導(dǎo)體工藝的成膜？/
成膜設(shè)備的構(gòu)成要素/
成膜的參數(shù)和方法/
8.2基礎(chǔ)中的基礎(chǔ)：熱氧化設(shè)備/
硅氧化工藝和設(shè)備/
硅氧化設(shè)備的構(gòu)成要素
展開全部
圖解入門 半導(dǎo)體制造設(shè)備基礎(chǔ)與構(gòu)造精講 原書第3版 作者簡介
佐藤淳一，畢業(yè)于京都大學(xué)工學(xué)研究科，并獲得碩士學(xué)位。1978年開始就職于東京電氣化學(xué)工業(yè)株式會社（現(xiàn)TDK），1982年開始就職于索尼公司。一直從事半導(dǎo)體和薄膜器件相關(guān)工藝的研究開發(fā)工作。在此期間，參與創(chuàng)建半導(dǎo)體尖端技術(shù)公司，擔(dān)任長崎大學(xué)兼職講師、行業(yè)協(xié)會委員等職位，同時也是應(yīng)用物理學(xué)會員。 譯者簡介 盧濤，江蘇常州人，日本中央大學(xué)工科碩士。精通各種半導(dǎo)體制造設(shè)備流程與開發(fā)，曾參與半導(dǎo)體工廠數(shù)據(jù)的實時傳輸和設(shè)備狀態(tài)的分析。
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