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圖解入門——半導體制造工藝基礎精講(原書第4版) 版權信息
- ISBN：9787111702344
- 條形碼：9787111702344 ; 978-7-111-70234-4
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>
圖解入門——半導體制造工藝基礎精講(原書第4版) 內容簡介
本書以圖解的方式深入淺出地講述了半導體制造工藝的各個技術環節。全書共分為12章，包括半導體制造工藝全貌、前段制程概述、清洗和干燥濕法工藝、離子注入和熱處理工藝、光刻工藝、刻蝕工藝、成膜工藝、平坦化 （CMP）工藝、CMOS工藝流程、后段制程工藝概述、后段制程的趨勢、半導體工藝的新動向。本書適合與半導體業務相關的人士、準備涉足半導體領域的人士、感興趣的職場人士、學生等參考。
圖解入門——半導體制造工藝基礎精講(原書第4版) 目錄
原書前言
半導體制造工藝全貌/
1-1半導體工藝簡介/
1-2前段制程和后段制程的區別/
1-3循環型的前段制程半導體工藝/
1-4前端工藝和后端工藝/
1-5什么是硅晶圓？/
1-6硅晶圓是如何制造的？/
1-7硅的特性是什么？/
1-8硅晶圓所需的潔凈度/
1-9硅晶圓在fab中的使用方法/
1-10晶圓的大直徑化/
1-11與產品化相關的后段制程/
1-12后段制程使用的工藝是什么?/
2-1追求微細化的前段制程工藝/
2-2批量制造芯片的前段制程/
2-3在沒有“等待”的工藝中進行必要的檢查和監控/
2-4前段制程fab的全貌/
2-5fab的生產線構成——什么是Bay方式？/
2-6晶圓廠需要盡早提升良品率/
3-1始終保持潔凈的清洗工藝/
3-2清洗方法和機理/
3-3基礎清洗——RCA清洗/
3-4新清洗方法的例子/
3-5批量式和單片式之間的區別/
3-6吞吐量至關重要的清洗工藝/
3-7清洗后必不可少的干燥工藝/
3-8新的干燥工藝/
3-9濕法工藝和干法清洗/
4-1注入雜質的離子注入技術/
4-2需要高真空的離子注入工藝/
4-3用于不同目的的離子注入工藝/
4-4離子注入后的晶格恢復處理/
4-5各種熱處理工藝/
4-6*新的激光退火工藝/
4-7LSI制造和熱預算/
5-1復制圖形的光刻工藝/
5-2光刻工藝的本質就是照相/
5-3推動微細化的曝光技術的演變/
5-4掩膜版和防塵薄膜/
5-5相當于相紙的光刻膠/
5-6涂布光刻膠膜的涂膠機/
5-7曝光后必需的顯影工藝/
5-8去除不要的光刻膠灰化工藝/
5-9浸液曝光技術現狀/
5-10什么是雙重圖形？/
5-11追求進一步微細化的EUV 技術/
5-12納米壓印技術/
6-1刻蝕工藝流程和刻蝕偏差/
6-2方法多樣的刻蝕工藝/
6-3刻蝕工藝中不可或缺的等離子體/
6-4RF（射頻）施加方式有什么不同？/
6-5各向異性的機理/
6-6干法刻蝕工藝的挑戰/
7-1LSI功能不可或缺的成膜工藝/
7-2方法多樣的成膜工藝/
7-3受基底形狀影響的成膜工藝/
7-4直接氧化晶圓的氧化工藝/
7-5熱CVD和等離子體CVD/
7-6金屬膜所需要的濺射工藝/
7-7Cu（銅）布線不可缺少的電鍍工藝/
7-8Low-k（低介電常數）膜所使用的涂布工藝/
7-9High-k柵極堆疊工藝/
7-10Cu/Low-k工藝/
8-1多層布線不可或缺的CMP工藝/
8-2采用先進光刻技術的CMP工藝/
8-3回歸濕法工藝的CMP設備/
8-4消耗品多的CMP工藝/
8-5CMP的平坦化機理/
8-6應用于Cu/Low-k的CMP工藝/
8-7課題堆積如山的CMP工藝/
9-1什么是CMOS？/
9-2CMOS的效果/
9-3CMOS結構制造（之一）器件間隔離區域/
9-4CMOS結構制造（之二）阱形成/
9-5晶體管形成（之一）柵極形成/
9-6晶體管形成（之二）源極/漏極/
9-7電極形成（鎢塞形成）/
9-8后端工藝/
10-1去除不良品的晶圓測試/
10-2使晶圓變薄的減薄工藝/
10-3切割出芯片的劃片/
10-4粘貼芯片/
10-5電氣連接的引線鍵合/
10-6封裝芯片的注塑/
10-7產品的打標和引線成形/
10-8*終檢驗流程/
11-1連接時沒有引線的無引線鍵合/
11-2無須引線框架的 BGA/
11-3旨在實現多功能的 SiP/
11-4真實芯片尺寸的晶圓級封裝/
12-1路線圖和“路線圖外”/
12-2站在十字路口的半導體工藝微細化/
12-3More Moore所必需的NGL/
12-4EUV技術趨勢/
12-5450mm晶圓趨勢/
12-6半導體晶圓廠的多樣化/
12-7貫通芯片的 TSV（Through Silicon Via）/
12-8對抗More Moore的三維封裝/
展開全部
圖解入門——半導體制造工藝基礎精講(原書第4版) 作者簡介
佐藤淳一，畢業于京都大學工學研究科，并獲得碩士學位。1978年開始就職于東京電氣化學工業株式會社（現TDK），1982年開始就職于索尼公司。一直從事半導體和薄膜器件相關工藝的研究開發工作。在此期間，參與創建半導體尖端技術公司，擔任長崎大學兼職講師、行業協會委員等職位，同時也是應用物理學會員。 譯者簡介 王憶文，電子科技大學電子科學與工程學院教授，畢業于東京工業大學，獲工學博士學位。曾在原電子工業部第四十七研究所工作，任VLSI測試研究室副主任、高級工程師。研究方向包括SoC設計與測試技術、新型網絡技術、人工智能技術等。 王姝婭，電子科技大學電子科學與工程學院高級實驗師，多年從事半導體工藝的教學科研工作，曾主編《微電子制造技術實驗教程》。
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