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可見(jiàn)光通信光源與探測(cè)器件原理及應(yīng)用/國(guó)之重器出版工程

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出版社:人民郵電出版社出版時(shí)間:2020-11-01
開(kāi)本: 16開(kāi) 頁(yè)數(shù): 171
中 圖 價(jià):¥64.7(6.0折) 定價(jià)  ¥108.0 登錄后可看到會(huì)員價(jià)
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可見(jiàn)光通信光源與探測(cè)器件原理及應(yīng)用/國(guó)之重器出版工程 版權(quán)信息

  • ISBN:9787115549945
  • 條形碼:9787115549945 ; 978-7-115-54994-5
  • 裝幀:一般膠版紙
  • 冊(cè)數(shù):暫無(wú)
  • 重量:暫無(wú)
  • 所屬分類(lèi):>

可見(jiàn)光通信光源與探測(cè)器件原理及應(yīng)用/國(guó)之重器出版工程 本書(shū)特色

·反映可見(jiàn)光領(lǐng)域的全新研究進(jìn)展;·注重理論基礎(chǔ)知識(shí)和全新研究成果之間的平衡;·本書(shū)呈現(xiàn)了近年來(lái)國(guó)內(nèi)外可見(jiàn)光通信光源與探測(cè)器件領(lǐng)域前沿的科研成果,先進(jìn)性和實(shí)用性的統(tǒng)一。

可見(jiàn)光通信光源與探測(cè)器件原理及應(yīng)用/國(guó)之重器出版工程 內(nèi)容簡(jiǎn)介

本書(shū)圍繞可見(jiàn)光通信的硬件基礎(chǔ),系統(tǒng)介紹了可見(jiàn)光通信光源與探測(cè)器件的原理、應(yīng)用以及發(fā)展現(xiàn)狀。本書(shū)共分為5章。前3章面向可見(jiàn)光通信光源,包括硅襯底LED器件及芯片、有機(jī)發(fā)光材料、OLED以及Micro-LED,介紹了各類(lèi)型可見(jiàn)光通信光源的基本原理及其在可見(jiàn)光通信中的應(yīng)用發(fā)展。后2章面向可見(jiàn)光通信探測(cè)器,包括半導(dǎo)體雪崩探測(cè)器、有機(jī)光伏探測(cè)器和有機(jī)光電探測(cè)器,介紹了各類(lèi)型可見(jiàn)光通信探測(cè)器的工作原理及其在可見(jiàn)光通信中的應(yīng)用。 本書(shū)呈現(xiàn)了近年來(lái)靠前外可見(jiàn)光通信光源與探測(cè)器件領(lǐng)域前沿的科研成果,適合從事半導(dǎo)體、光電材料及通信領(lǐng)域研究的高等院校和研究機(jī)構(gòu)的本科生和研究生閱讀,也可供相關(guān)專(zhuān)業(yè)的科研人員和技術(shù)人員參考。

可見(jiàn)光通信光源與探測(cè)器件原理及應(yīng)用/國(guó)之重器出版工程 目錄

第1章 硅襯底LED光源與器件 001
1.1 硅襯底LED材料的結(jié)構(gòu)與生長(zhǎng) 002
1.1.1 襯底 002
1.1.2 漸變AlGaN緩沖層 010
1.1.3 量子阱應(yīng)變工程 011
1.1.4 GaN基LED的V形坑 014
1.2 硅襯底LED芯片的制造與封裝 018
1.2.1 反射鏡P型歐姆接觸 019
1.2.2 互補(bǔ)電極 020
1.2.3 薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù) 021
1.2.4 N極性N型GaN的表面粗化 022
1.2.5 N極性N型GaN上的歐姆接觸 024
1.2.6 鈍化 025
1.3 硅襯底LED器件的性能與特點(diǎn) 026
1.4 硅襯底LED在光通信中的應(yīng)用前景 029
參考文獻(xiàn) 034
第2章 面向可見(jiàn)光通信的OLED和有機(jī)發(fā)光材料 039
2.1 OLED發(fā)展簡(jiǎn)介 040
2.2 有機(jī)材料發(fā)光原理 043
2.3 OLED器件結(jié)構(gòu) 049
2.4 有機(jī)發(fā)光材料與器件的核心參數(shù) 055
2.5 OLED在可見(jiàn)光通信中的發(fā)展 059
2.6 適合可見(jiàn)光通信的有機(jī)發(fā)光材料 063
參考文獻(xiàn) 068
第3章 基于Micro-LED的可見(jiàn)光通信 073
3.1 Micro-LED的制備 074
3.1.1 光刻 074
3.1.2 濕法刻蝕和干法刻蝕 076
3.1.3 金屬歐姆接觸的制備 079
3.1.4 Micro-LED的基本光電特性 080
3.2 Micro-LED調(diào)制帶寬 081
3.3 Micro-LED應(yīng)用系統(tǒng) 085
3.3.1 基于CMOS封裝的Micro-LED系統(tǒng) 085
3.3.2 低成本、高密度的二維可見(jiàn)光互聯(lián)通信系統(tǒng) 088
3.4 智能Micro-LED系統(tǒng) 099
3.4.1 多功能Micro-LED芯片 099
3.4.2 Micro-LED作為探測(cè)器的響應(yīng)特性 100
3.4.3 Micro-LED雙工通信系統(tǒng) 106
參考文獻(xiàn) 108
第4章 半導(dǎo)體雪崩探測(cè)器 113
4.1 離化碰撞 114
4.1.1 離化閾值能量 114
4.1.2 電子、空穴的離化系數(shù) 120
4.1.3 高電場(chǎng)下聲子散射 121
4.2 雪崩探測(cè)器器件物理 125
4.2.1 半導(dǎo)體雪崩探測(cè)器簡(jiǎn)介 125
4.2.2 雪崩速率方程 126
4.2.3 雙極離化與單極離化 131
4.2.4 雪崩過(guò)剩噪聲 132
4.3 離化碰撞工程 134
4.3.1 梯度帶隙雪崩探測(cè)器 134
4.3.2 超晶格雪崩探測(cè)器 137
4.3.3 隧道雪崩探測(cè)器 139
4.4 常見(jiàn)半導(dǎo)體雪崩探測(cè)器 142
4.4.1 硅襯底雪崩探測(cè)器 142
4.4.2 Ge/Si吸收分離雪崩探測(cè)器 145
4.4.3 InGaAsP基雪崩探測(cè)器 148
參考文獻(xiàn) 150
第5章 新型可見(jiàn)光探測(cè)材料與器件 151
5.1 有機(jī)材料與光伏器件 152
5.2 有機(jī)太陽(yáng)能電池探測(cè)器 157
5.3 有機(jī)及鈣鈦礦光電探測(cè)器 159
5.4 有機(jī)太陽(yáng)能聚光器 161
參考文獻(xiàn) 164
名詞索引 169
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可見(jiàn)光通信光源與探測(cè)器件原理及應(yīng)用/國(guó)之重器出版工程 作者簡(jiǎn)介

張樹(shù)宇復(fù)旦大學(xué)副研究員、碩士生導(dǎo)師。2014年于英國(guó)圣安德魯斯大學(xué)(University of St Andrews)獲得光電子方向博士學(xué)位,并留校從事博士后研究。2015年入職復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院。擔(dān)任上海市照明學(xué)會(huì)國(guó)際交流委員會(huì)委員。從事發(fā)光材料和器件的研究,發(fā)表SCI論文30余篇,申請(qǐng)及授 權(quán)國(guó)家專(zhuān)利10余項(xiàng)。代表性研究成果包括有機(jī)半導(dǎo)體可見(jiàn)光通信、稀土摻雜鈣鈦礦、全硅激光器等,成果發(fā)表在Advanced Science、Optica、Advanced Optical Materials、Advanced Electronic Materials和Science Bulletin等期刊上。作為課題負(fù)責(zé)人主持了國(guó) 防科技創(chuàng)新特區(qū)項(xiàng)目、國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目及上海市青年科技英才揚(yáng)帆計(jì)劃,并參與了科技部國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃及上海市科委重點(diǎn)項(xiàng)目。汪萊清華大學(xué)電子工程系長(zhǎng)聘副教授、信息光電子研究所所長(zhǎng),國(guó)家自然科學(xué)基金委員會(huì)優(yōu) 秀青年科學(xué)基金獲得者。2003年和2008年分別在清華大學(xué)電子工程系獲得學(xué)士和博士學(xué)位。主要從事寬禁帶半導(dǎo)體光電子材料和器件研究。承擔(dān)了國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、國(guó)家自然科學(xué)基金等課題。發(fā)表SCI論文100余篇,申請(qǐng)發(fā)明專(zhuān)利10余項(xiàng),作國(guó)際會(huì)議邀請(qǐng)報(bào)告10余次。參與制定了廣東省和北京市的LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展技術(shù)路線(xiàn)圖。曾獲國(guó)家科技進(jìn)步獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)。張建立南昌大學(xué)國(guó)家硅基LED工程技術(shù)研究中心研究員、博士生導(dǎo)師,教育部發(fā)光材料與器件工程研究中心主任,南昌大學(xué)雙一 流學(xué)科建設(shè)發(fā)光新材料技術(shù)方向帶頭人。長(zhǎng)期從事硅襯底氮化鎵發(fā)光材料與器件相關(guān)研究,包括MOCVD裝備研制、硅上氮化鎵材料生長(zhǎng)、銦鎵氮長(zhǎng)波段LED制備、LED材料與器件分析、多基色LED封裝等。主持/參與國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目5項(xiàng),發(fā)表SCI論文40余篇,獲授 權(quán)發(fā)明專(zhuān)利9項(xiàng)。田朋飛復(fù)旦大學(xué)副教授。2007年于華中科技大學(xué)獲得學(xué)士學(xué)位,2010年于北京大學(xué)獲得碩士學(xué)位,2014年于英國(guó)思克萊德大學(xué)(University of Strathclyde)獲得博士學(xué)位。長(zhǎng)期從事Micro-LED顯示、照明、可見(jiàn)光通信、水下光通信的研究,發(fā)表SCI論文50余篇,參編教材《光源原理與設(shè)計(jì)(第三版)》,申請(qǐng)/獲得發(fā)明專(zhuān)利10余項(xiàng)。主持國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目和青年科學(xué)基金項(xiàng)目,入選上海市青年科技英才揚(yáng)帆計(jì)劃、復(fù)旦大學(xué)“卓 越2025”人才培育計(jì)劃。擔(dān)任第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟Micro-LED技術(shù)路線(xiàn)圖統(tǒng)稿和執(zhí)筆專(zhuān)家,獲2019年英國(guó)物理學(xué)會(huì)出版社杰出審稿人獎(jiǎng)。

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