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納米構(gòu)建熱電薄膜 版權(quán)信息
- ISBN：9787313234117
- 條形碼：9787313234117 ; 978-7-313-23411-7
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊(cè)數(shù)：暫無(wú)
- 重量：暫無(wú)
- 所屬分類：>
納米構(gòu)建熱電薄膜 內(nèi)容簡(jiǎn)介
隨著近年來(lái)半導(dǎo)體熱電材料性能提升與熱電器件效率的提升，熱電發(fā)電系統(tǒng)未來(lái)很有可能替代傳統(tǒng)瓦特時(shí)代的機(jī)械熱機(jī)，成為新一代環(huán)保高效全固態(tài)的熱能啟動(dòng)發(fā)電系統(tǒng)。利用低維納米結(jié)構(gòu)材料能大幅度提高費(fèi)米能級(jí)附近的態(tài)密度，極大的提高材料熱電性能。本書以大量詳實(shí)的手的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)為依據(jù)，以物理氣相沉積（PVD）蒸鍍技術(shù)制備了一系列低維超晶格熱電材料，探索不同材料種類構(gòu)成、不同厚度、不同加工條件對(duì)熱電性能的影響，并建立較準(zhǔn)確的數(shù)學(xué)模型，通過(guò)調(diào)控相關(guān)參數(shù)實(shí)現(xiàn)熱學(xué)電學(xué)性能可編輯，很終達(dá)到提升熱電優(yōu)值（ZT）的目的。本書主要面向希望了解更多有關(guān)高性能低維材料制備的研究人員、碩士博士研究生與工程技術(shù)人員。
納米構(gòu)建熱電薄膜 目錄
l 研究背景與現(xiàn)狀
1.1 研究背景
1.2 熱電效應(yīng)及發(fā)展
1.2.1 塞貝克效應(yīng)
1.2.2 熱電材料性能參數(shù)
1.2.3 Si基熱電材料研究進(jìn)展
1.2.4 Sb2Te3和Bi2Te3熱電材料研究進(jìn)展
1.3 周期性納米多層薄膜
1.3.1 周期性納米多層薄膜概述
1.3.2 周期性納米多層薄膜熱電性能
1.3.3 周期性納米多層薄膜熱穩(wěn)定性
1.4 本章小結(jié)
2 熱電性能測(cè)試方法與裝置
2.1 薄膜熱導(dǎo)率的測(cè)量
2.1.1 3co法
2.1.2 TDTR法
2.2 電導(dǎo)率及霍爾效應(yīng)測(cè)試
2.3 塞貝克系數(shù)測(cè)試
2.4 本章小結(jié)
3 Si基多層薄膜
3.1 Si/Si0175Ge0 25多層薄膜
3.1.1 薄膜制備
3.1.2 結(jié)構(gòu)表征
3.1.3 薄膜熱導(dǎo)率
3.2 Si/SbGe0.25+Au多層薄膜
3.2 1薄膜制備
3.2.2 結(jié)構(gòu)表征
3.2.3 薄膜熱導(dǎo)率
3.3 X(X=SbGe。25，Au，Cr，Ti)/Si多層薄膜
3.3.1 薄膜制備
3.3.2 結(jié)構(gòu)表征
3.3.3 薄膜熱導(dǎo)率
3.4 Si/Au多層薄膜
3.4.1 薄膜制備
3.4.2 結(jié)構(gòu)表征
3.4.3 薄膜熱導(dǎo)率
3.5 本章小結(jié)
4 Sb2Te，基多層薄膜
4.1 Au/Sb2Te3多層薄膜
4.1.1 薄膜制備
4.1.2 結(jié)構(gòu)表征
4.1.3 薄膜熱導(dǎo)率
4.2 M(M2Au，Ag，cu，Pt，cr，Mo，W，Ta)/Sb2Te3多層薄膜
4.2.1 薄膜制備
4.2.2 結(jié)構(gòu)表征
4.2.3 薄膜熱導(dǎo)率
4.2.4 熱導(dǎo)率理論分析
4.3 Cu/Sb2Te3多層薄膜
4.3.1 薄膜制備與結(jié)構(gòu)分析
4.3.2 薄膜熱電性能
4.4 Aq/Sb2Te3多層薄膜
4.4.1 薄膜制備與結(jié)構(gòu)分析
4.4.2 薄膜熱電性能
4.5 本章小結(jié)
5 磁控濺射法制備Sb2Te/Bi2Te，系薄膜
5.1 調(diào)控濺射功率、退火、厚度沉積Sb。Te。薄膜
5.1.1 調(diào)控濺射功率
5.1.2 調(diào)控退火過(guò)程
5.1.3 調(diào)控薄膜厚度
5.2 調(diào)控濺射功率、退火、厚度、基片溫度沉積Bi—Sb—Te
基薄膜
5.2.1 調(diào)控濺射功率
5.2.2 調(diào)控退火過(guò)程
5.2.3 調(diào)控厚度
5.2.4 調(diào)控基片溫度
5.3 磁控共濺射法制備Te/Sb2Te。異質(zhì)結(jié)薄膜
5.3.1 薄膜制備與退火處理工藝
5.3.2 薄膜形貌與結(jié)構(gòu)表征
5.3.3 異質(zhì)結(jié)晶格應(yīng)變表征
5.3.4 載流子輸運(yùn)與熱電性能
5.4 磁控共濺射法制備Sb2Te3和Bi2Te3薄膜
5.4.1 薄膜制備與工藝
5.4.2 薄膜的形貌結(jié)構(gòu)
5.4.3 工作氣壓與沉積速率的關(guān)系
5.4.4 工作氣壓、退火溫度與薄膜的原子數(shù)比的關(guān)系
5.4.5 Sb2Te2和Bi2Te2薄膜厚度與退火溫度的關(guān)系
5.4.6 Sb2Te3和Bi2Te3薄膜的熱電性能
5.5 本章小結(jié)
6 分子束外延法生長(zhǎng)Sb2Te，薄膜
6.1 富Sb的Sb2Te3薄膜
6.1.1 Te、Sb的蒸發(fā)溫度對(duì)Sb2Te基薄膜化學(xué)計(jì)量比的影響
6.1.2 富Sb對(duì)Sb2Te。薄膜微結(jié)構(gòu)和熱電性能的影響
6.2 定向生長(zhǎng)Sb2Te3薄膜
6.2.1 薄膜制備
6.2.2 結(jié)構(gòu)表征
6 2.3 薄膜電傳輸特性
6.3 Bi代位摻雜Sb2Te3薄膜
6.3.1 薄膜制備
6.3.2 結(jié)構(gòu)表征
6.3.3 薄膜的熱電性能測(cè)試
6.4 摻Te的Sb2Te3薄膜
6.4.1 薄膜制備
6 4 2 Te納米粒子體積分?jǐn)?shù)對(duì)Sb2Te。基薄膜微觀結(jié)構(gòu)的影響
6.4.3 Te納米粒子體積分?jǐn)?shù)對(duì)Sb2Te。基薄膜熱電性能的影響
6.5 本章小結(jié)
7分子束外延法生長(zhǎng)Bi2Te，薄膜
7.1 交叉型Bi2Te3納米片薄膜及乙二醇熱處理對(duì)熱電性能影響的研究
7.1.1 納米片薄膜的制備與乙二醇熱處理
7.1.2 交叉型納米片薄膜形貌與結(jié)構(gòu)表征
7.1.3 交叉型納米片薄膜熱電性能
7.2 平鋪型Bi2Te。納米片薄膜及乙二醇熱處理對(duì)熱電性能影響研究
7.2.1 退火處理與乙二醇熱處理
7.2.2 平鋪型納米片薄膜形貌與結(jié)構(gòu)表征
7.2.3 平鋪型納米片薄膜中納米孔的特征及形成機(jī)制
7.2.4 平鋪型納米片薄膜熱電性能
7.3 本章小結(jié)
8 總結(jié)與展望
附錄1 Sl和Sb2Te，基多層薄膜熱導(dǎo)率
附錄2 Sb2Te2基多層薄膜熱電性能
附錄3 磁控濺射Sb2Te2/Bi2Te3基薄膜熱電性能
附錄4 分子束外延法制備Sb2T2/Bi2Te3薄膜熱電性能
重要符號(hào)列表
參考文獻(xiàn)
展開(kāi)全部
納米構(gòu)建熱電薄膜 作者簡(jiǎn)介
胡志宇，現(xiàn)任上海交通大學(xué)“致遠(yuǎn)”講席教授、微米納米加工技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任、上海大學(xué)物理系教授、上海大學(xué)納微能源研究所所長(zhǎng)。曾主持多項(xiàng)美國(guó)能源部和其他部門的研究課題,發(fā)表一百四十多篇學(xué)術(shù)論文、專題報(bào)告及特邀報(bào)告，五項(xiàng)國(guó)際專利（包括正在申請(qǐng)專利），在美國(guó)能源部、國(guó)防部、國(guó)家基金會(huì)及多個(gè)州政府和學(xué)術(shù)期刊擔(dān)任評(píng)審專家。主要研究方向是納米量級(jí)高效低污染能量轉(zhuǎn)換元器件及其應(yīng)用、薄膜納米結(jié)構(gòu)功能材料等。
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