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模擬電子學(xué)的創(chuàng)新之路

包郵 模擬電子學(xué)的創(chuàng)新之路

作者:元增民
出版社:清華大學(xué)出版社出版時(shí)間:2020-07-01
開(kāi)本: 其他 頁(yè)數(shù): 280
中 圖 價(jià):¥42.4(6.1折) 定價(jià)  ¥69.0 登錄后可看到會(huì)員價(jià)
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模擬電子學(xué)的創(chuàng)新之路 版權(quán)信息

  • ISBN:9787302549949
  • 條形碼:9787302549949 ; 978-7-302-54994-9
  • 裝幀:一般膠版紙
  • 冊(cè)數(shù):暫無(wú)
  • 重量:暫無(wú)
  • 所屬分類(lèi):>

模擬電子學(xué)的創(chuàng)新之路 本書(shū)特色

模擬電子技術(shù)是一門(mén)重要的專(zhuān)業(yè)基礎(chǔ)課,應(yīng)用面極其廣泛,但模擬電子學(xué)基礎(chǔ)理論存在很多不足、缺陷及錯(cuò)誤,導(dǎo)致模擬電子技術(shù)成為教師*難教、學(xué)生*難學(xué)的課程,成為工程師*難用的技術(shù)。 作者多年來(lái)深入研究、創(chuàng)新模擬電子學(xué),揭示模擬電子學(xué)傳統(tǒng)理論中的漏洞及錯(cuò)誤,探討如何解決傳統(tǒng)理論不能解決的問(wèn)題,尋求新的高效率計(jì)算方法,不僅顯著改善了模擬電子技術(shù)及相關(guān)課程的教學(xué)質(zhì)量,而且有益于相關(guān)科學(xué)研究和工程設(shè)計(jì)。 希望本書(shū)能為相關(guān)專(zhuān)業(yè)的研究人員、專(zhuān)家學(xué)者、教師、學(xué)生,以及電子工程師、電子技術(shù)愛(ài)好者提供參考和幫助,變事倍功半為事半功倍。 揭示模擬電子學(xué)傳統(tǒng)理論中的漏洞及錯(cuò)誤,探討如何解決傳統(tǒng)理論不能解決的問(wèn)題,尋求新的高效率計(jì)算方法

模擬電子學(xué)的創(chuàng)新之路 內(nèi)容簡(jiǎn)介

由于歷史短暫等原因,傳統(tǒng)模擬電子學(xué)存在很多缺陷。作者崇尚科學(xué)、大膽創(chuàng)新,為此進(jìn)行了20多年的研究。經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期的理論分析和實(shí)踐驗(yàn)證,創(chuàng)建用內(nèi)電場(chǎng)勢(shì)壘與自由電子擴(kuò)散勢(shì)相平衡決定PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)、建立放大器臨界工作點(diǎn)計(jì)算輸入、輸出范圍、建立比較環(huán)節(jié)相移概念,創(chuàng)建用三相位移法(3?法)進(jìn)行反饋分析與設(shè)計(jì)等。這些創(chuàng)新,已經(jīng)用于電子工程設(shè)計(jì)及模擬電子技術(shù)課程學(xué)習(xí),取得很好效果。

模擬電子學(xué)的創(chuàng)新之路 目錄


目錄




上篇傳統(tǒng)理論的錯(cuò)誤漏洞及研究動(dòng)態(tài)


第1章傳統(tǒng)理論的105項(xiàng)錯(cuò)誤及漏洞


1.1電路理論及方法的錯(cuò)誤及漏洞


1.1.1電路概念、計(jì)算方法的欠缺及錯(cuò)誤(17項(xiàng))


1.1.2表達(dá)方法不足——錯(cuò)用符號(hào)及對(duì)曲線特性認(rèn)識(shí)不足(3項(xiàng))


1.2半導(dǎo)體物理學(xué)PN結(jié)理論的錯(cuò)誤及漏洞


1.2.1正離子丟失物質(zhì)電中性被歪曲,空穴被強(qiáng)行帶上正電(3項(xiàng))


1.2.2忽視擴(kuò)散勢(shì),造成平衡PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)計(jì)算多處錯(cuò)誤(4項(xiàng))


1.3晶體管理論的錯(cuò)誤及漏洞


1.3.1晶體二極管理論的錯(cuò)誤及漏洞(11項(xiàng))


1.3.2BJT及FET晶體管理論的錯(cuò)誤及漏洞(9項(xiàng))


1.4放大理論的漏洞及錯(cuò)誤


1.4.1還沒(méi)有解決的問(wèn)題(25頁(yè))


1.4.2人為制造的錯(cuò)誤(10項(xiàng))


1.5反饋及振蕩理論的錯(cuò)誤與漏洞


1.5.1反饋理論的錯(cuò)誤與漏洞(13項(xiàng))


1.5.2振蕩理論的錯(cuò)誤與漏洞(10項(xiàng))


1.6模擬電子學(xué)理論缺陷的影響及原因


第2章探索創(chuàng)新如火如荼


2.1學(xué)術(shù)界相關(guān)動(dòng)態(tài)


2.2“百度知道”網(wǎng)頁(yè)關(guān)于模擬電子學(xué)的論述


2.3筆者的創(chuàng)新之路——110項(xiàng)求真


下篇研 究 進(jìn) 展


第3章電路理論及方法的創(chuàng)新


3.1電路分析計(jì)算方法


3.2RLC電路幅頻特性曲線在對(duì)數(shù)頻率坐標(biāo)下對(duì)稱(chēng)


3.2.1RLC串聯(lián)電路幅頻特性曲線在對(duì)數(shù)頻率坐標(biāo)下對(duì)稱(chēng)


3.2.2RLC并聯(lián)電路幅頻特性在對(duì)數(shù)頻率坐標(biāo)下對(duì)稱(chēng)


3.3RC串并聯(lián)電路諧振阻抗、曲線對(duì)稱(chēng)性及品質(zhì)因數(shù)


3.3.1RC串并聯(lián)電路諧振時(shí)分阻抗及總阻抗均非電阻性


3.3.2RC串并聯(lián)電路幅頻特性曲線在對(duì)數(shù)頻率坐標(biāo)軸對(duì)稱(chēng)


3.3.3RC串并聯(lián)電路品質(zhì)因數(shù)*大值僅為0.5


3.4伯德圖半對(duì)數(shù)相頻特性曲線中點(diǎn)斜率的計(jì)算及應(yīng)用


3.5自感與互感的計(jì)算方法






第4章半導(dǎo)體物理學(xué)PN結(jié)理論的重構(gòu)


4.1PN結(jié)二極管工作原理


4.1.1按照空穴不帶電繪制半導(dǎo)體及PN結(jié)示意圖


4.1.2用自由電子擴(kuò)散勢(shì)解釋PN結(jié)平衡及光生電動(dòng)勢(shì)


4.1.3自由電子擴(kuò)散勢(shì)的實(shí)際測(cè)量(PN結(jié)單向?qū)щ娦?


4.1.4光電效應(yīng)——有效光生電子空穴對(duì)及自由電子擴(kuò)散勢(shì)


4.1.5摻雜濃度取值范圍及半導(dǎo)體器件*高工作溫度


4.1.6PN結(jié)(二極管)伏安特性的四種表達(dá)方式


4.2二極管應(yīng)用電路及其分析計(jì)算方法


4.2.1發(fā)光二極管及光電二極管應(yīng)用電路


4.2.2二極管電路分析方法


第5章BJT晶體管理論的創(chuàng)新


5.1晶體三極管原理及數(shù)理模型


5.1.1用競(jìng)爭(zhēng)機(jī)制闡述BJT三極管工作原理


5.1.2BJT三極管三特性


5.1.3BJT三極管數(shù)理模型


5.2三極管技術(shù)參數(shù)及測(cè)試應(yīng)用


5.2.1BJT三極管技術(shù)參數(shù)


5.2.2BJT三極管測(cè)試鑒別


5.2.3BJT三極管產(chǎn)品形態(tài)及應(yīng)用


第6章FET晶體管理論的補(bǔ)充


6.1結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管


6.1.1結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管工作原理


6.1.2JFET傳輸特性——零柵壓零電阻漏極電流


6.1.3場(chǎng)效應(yīng)管輸出特性


6.1.4結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管數(shù)理模型及技術(shù)參數(shù)


6.2金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管


6.2.1金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理及特性參數(shù)


6.2.2各種FET及其與BJT的綜合對(duì)比


第7章BJT晶體管放大電路理論的創(chuàng)新與重建


7.1基本共射放大電路


7.1.1科學(xué)繪制放大電路的交流和直流等效電路


7.1.2三組態(tài)通用的U、I、P三大放大倍數(shù)計(jì)算公式


7.1.3BJT放大器非線性失真分析


7.1.4BJT放大器削波失真及工作點(diǎn)設(shè)計(jì)


7.1.5工作點(diǎn)內(nèi)涵與外延及其穩(wěn)定性的定量計(jì)算


7.1.6基本共射放大電路分析計(jì)算


7.2器件極限耗散功率及放大器效率分析計(jì)算


7.3放大器頻率特性分析計(jì)算


7.3.1頻率特性的經(jīng)典表達(dá)——伯德圖及其來(lái)歷


7.3.2基本共射放大電路頻率特性函數(shù)


7.3.3頻帶參數(shù)分析與耦合電容設(shè)計(jì)(10μF的來(lái)歷)


7.3.4對(duì)數(shù)頻率特性——伯德圖


7.4射極偏置共射放大電路


7.4.1改動(dòng)雖小但一箭雙雕


7.4.2科學(xué)繪制交、直流等效電路


7.4.3根據(jù)輸出范圍*大要求設(shè)計(jì)工作點(diǎn)


7.4.4三大交流參數(shù)與頻率特性


7.5共集放大器(射極輸出器)


7.6共基放大器(電流跟隨器)


7.7放大電路技術(shù)參數(shù)的測(cè)試


7.8放大電路工作點(diǎn)及輸出范圍的圖解計(jì)算


第8章FET晶體管放大電路理論的補(bǔ)充


8.1柵無(wú)偏共源放大電路


8.2源極偏置共源放大電路


第9章多級(jí)放大與功率放大電路理論的補(bǔ)充


9.1磁耦合放大電路技術(shù)參數(shù)匯總


9.2多級(jí)放大電路技術(shù)參數(shù)分析計(jì)算


9.2.1電壓放大倍數(shù)及頻率特性


9.2.2輸入/輸出電阻及工作點(diǎn)


9.3乙類(lèi)功放功率放大倍數(shù)分析計(jì)算


第10章差分放大與集成放大電路理論的補(bǔ)充


10.1長(zhǎng)尾差放雙端輸出模式下CMRR的分析計(jì)算


10.2差分放大器調(diào)零電路


10.3快速識(shí)別電壓放大倍數(shù)的符號(hào)、同相端與反相端



10.4快速測(cè)定集成運(yùn)算放大器的壓擺率


第11章反饋理論的創(chuàng)新與重建


11.1反饋概念、分類(lèi)、組態(tài)及計(jì)算


11.1.1反饋概念、分類(lèi)及組態(tài)


11.1.2反饋計(jì)算(劉志國(guó)公式)


11.2反饋極性判別的三相位移法(3φ法)


11.2.1反饋環(huán)路的三個(gè)相移


11.2.2反饋極性判別方法


11.3加反饋的反饋系數(shù)分析計(jì)算


11.4用電壓跟隨器的條件性分析INA電路


11.5正負(fù)雙路反饋抵消原理的應(yīng)用


11.5.1雙通道比例減法電路的分析計(jì)算


11.5.2郝蘭德電流泵的分析計(jì)算


11.6微積分運(yùn)算電路的第二功能——±90°移相放大器


第12章振蕩理論的重構(gòu)


12.1振蕩電路的數(shù)理模型


12.1.1單路正反饋構(gòu)成的振蕩電路模型


12.1.2正、負(fù)雙路反饋抵消構(gòu)成的振蕩電路


12.2分立元件振蕩電路


12.3文氏電橋集成振蕩電路


12.4RC移相式集成正弦振蕩電路


12.4.1兩節(jié)及三節(jié)RC超前移相式集成正弦振蕩器


12.4.2兩節(jié)及三節(jié)RC滯后移相式集成正弦振蕩器


第13章實(shí)驗(yàn)理論、設(shè)備及方法創(chuàng)新


13.1實(shí)驗(yàn)理論創(chuàng)新——讓實(shí)驗(yàn)由被動(dòng)變主動(dòng)


13.2實(shí)驗(yàn)設(shè)備創(chuàng)新——讓實(shí)驗(yàn)走進(jìn)千家萬(wàn)戶


13.3實(shí)驗(yàn)方法創(chuàng)新——讓實(shí)驗(yàn)好做效果更好


13.3.1基本共射放大實(shí)驗(yàn)


13.3.2振蕩實(shí)驗(yàn)



參考文獻(xiàn)


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模擬電子學(xué)的創(chuàng)新之路 作者簡(jiǎn)介

元增民,河北工業(yè)大學(xué)1977級(jí)大學(xué)生、1982級(jí)研究生。1993年在中國(guó)重汽集團(tuán)晉升高級(jí)工程師,1999年在解放軍總后勤部軍需部轉(zhuǎn)為副教授,2001年晉升教授。1982年以來(lái)主持或參與UD80型柔性加工單元、球鐵孕育劑治煉爐隨動(dòng)機(jī)構(gòu)等科研或工程項(xiàng)目十余項(xiàng),發(fā)表研究論文40多篇,講授電類(lèi)課程累計(jì)二十余門(mén)(一萬(wàn)多學(xué)時(shí))。 2006年至今出版《單片機(jī)原理與應(yīng)用基礎(chǔ)》 《模擬電子技術(shù)》《電工技術(shù)》等著作三種七個(gè)版次,用于全國(guó)二十多所院校、十幾屆學(xué)生的課程教學(xué)。

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