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可見光通信新型發光器件原理與應用 版權信息
- ISBN：9787115518132
- 條形碼：9787115518132 ; 978-7-115-51813-2
- 裝幀：平裝-膠訂
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
可見光通信新型發光器件原理與應用 本書特色
本書介紹了一系列新型氮化物發光器件的結構設計、制備工藝和性能表征。這些新型器件包括表面等離激元增強LED、納米柱LED、近紫外LED、超輻射氮化鎵、半極性和非極性氮化鎵激光器、多段式氮化鎵激光器、光子集成電路以及垂直腔面發射激光器。本書重點分析了這類新型器件的電學與光學特性，并討論了不同器件在可見光通信應用中所具有的顯著優勢。 本書取材新穎，內容翔實，集成了國際上氮化物發光器件領域全前沿的熱點方向與研究成果。適用于從事發光器件和可見光通信系統研究的廣大工程技術人員閱讀，也可作為通信、電子、光學等專業和相關培訓班的教學參考書。
可見光通信新型發光器件原理與應用 內容簡介
目前國內尚沒有全面總結討論適用于可見光通信的光源器件發展的圖書。 本書取材新穎，內容翔實，集成了國際上氮化物發光器件領域全前沿的熱點方向與研究成果。 本書重點分析了新型器件的電學與光學特性，并討論了不同器件對于可見光通信應用中所具有的顯著優勢。
可見光通信新型發光器件原理與應用 目錄
第1章 緒 論 001
1.1 可見光通信系統的應用 002
1.2 可見光通信系統的發展 003
1.3 可見光通信發射器的基本要求 004
1.4 本書章節安排 005
參考文獻 006
第2章 表面等離激元增強LED 007
2.1 表面等離激元增強LED的工作原理 008
2.1.1 表面等離子體模式 008
2.1.2 表面等離激元增強LED的光學特性 010
2.1.3 表面等離激元增強LED的調制特性 012
2.2 表面等離激元增強LED的設計與制備 013
2.2.1 實現等離子體耦合的LED外延結構 013
2.2.2 使用Ag NPs的LSP耦合 017
2.2.3 電驅動表面等離激元增強LED的設計與制備 024
2.3 表面等離激元增強綠光LED的電學表征及其在可見光通信中的應用 025
2.3.1 表面等離激元增強LED的電學特性 025
2.3.2 表面等離激元增強LED在可見光通信中的應用 034
2.4 本章小結 038
參考文獻 039
第3章 納米柱LED 045
3.1 納米柱LED的發展及應用 046
3.2 納米柱LED的設計與工藝 047
3.2.1 納米球掩膜及刻蝕 047
3.2.2 納米金薄膜退火及刻蝕 048
3.2.3 電子束曝光及刻蝕 050
3.3 納米柱LED的主要光學表征 051
3.3.1 周期性綠光納米柱LED的光學表征 051
3.3.2 非周期性綠光納米柱LED的光學表征 054
3.3.3 周期性黃光納米柱量子阱的光學表征 056
3.4 納米柱LED器件在可見光通信中的應用 059
3.5 本章小結 062
參考文獻 062
第4章 近紫外LED 065
4.1 近紫外LED的發展歷史與現狀 066
4.1.1 LED的歷史與發展 066
4.1.2 MOCVD 外延生長現狀 068
4.1.3 LED發展現狀 069
4.2 近紫外LED的設計及制備 070
4.2.1 LED臺面制造 070
4.2.2 LED電流擴展層和電極的制造 073
4.3 近紫外LED的電學表征 075
4.3.1 NUV LED器件的EL 075
4.3.2 NUV LED器件的I-U曲線 076
4.3.3 傳統Ni/Au電流擴展層的TLM測試 077
4.3.4 傳統Ni/Au電流擴展層的透射率測試 079
4.4 近紫外LED在可見光通信中的應用 079
4.5 本章小結 082
參考文獻 083
第5章 氮化鎵SLD 089
5.1 SLD的原理與應用 090
5.2 高性能藍紫光SLD的設計與工藝 092
5.3 基于藍光SLD的白光光源 099
5.4 可見光SLD的高頻調制及其在可見光通信中的應用 101
5.5 本章小結 104
參考文獻 105
第6章 非極性和半極性面氮化鎵激光器 109
6.1 氮化鎵激光器的發展 110
6.2 非極性和半極性氮化鎵激光器的生長與工藝 111
6.2.1 非極性m面GaN基激光器 111
6.2.2 半極性面和GaN基激光器 113
6.3 氮化鎵激光二極管的測試與表征 115
6.3.1 半極性InGaN/GaN量子阱結構的藍光激光二極管 115
6.3.2 波長410 nm的近紫外半極性InGaN/GaN量子阱結構的激光二極管 118
6.4 氮化鎵激光二極管的高頻調制及其在可見光通信中的應用 120
6.4.1 氮化鎵激光器的調制特性 120
6.4.2 氮化鎵基自注入鎖定激光器及其調制特性 121
6.4.3 基于氮化鎵激光二極管的可見光通信系統 123
6.5 本章小結 123
參考文獻 124
第7章 多段式氮化鎵激光器和光子集成電路 127
7.1 氮化鎵基光子集成芯片概述 128
7.2 氮化鎵激光二極管和集成波導調制器 128
7.2.1 藍光波段集成波導調制器的激光二極管 129
7.2.2 紫光波段集成波導調制器的激光二極管 134
7.3 氮化鎵激光二極管和集成光放大器 137
7.4 氮化鎵激光二極管和集成波導光接收器 141
7.5 本章小結 145
參考文獻 146
第8章 氮化鎵垂直腔面發射激光器 151
8.1 氮化鎵垂直腔面發射激光器介紹 152
8.2 非極性氮化鎵垂直腔面發射激光器 154
8.3 氮化鎵垂直腔面發射激光器的高頻調制 157
8.4 本章小結 158
參考文獻 159
第9章 總結與展望 161
9.1 回顧 162
9.2 挑戰與未來 164
名詞索引 167
1.1 可見光通信系統的應用 002
1.2 可見光通信系統的發展 003
1.3 可見光通信發射器的基本要求 004
1.4 本書章節安排 005
參考文獻 006
第2章 表面等離激元增強LED 007
2.1 表面等離激元增強LED的工作原理 008
2.1.1 表面等離子體模式 008
2.1.2 表面等離激元增強LED的光學特性 010
2.1.3 表面等離激元增強LED的調制特性 012
2.2 表面等離激元增強LED的設計與制備 013
2.2.1 實現等離子體耦合的LED外延結構 013
2.2.2 使用Ag NPs的LSP耦合 017
2.2.3 電驅動表面等離激元增強LED的設計與制備 024
2.3 表面等離激元增強綠光LED的電學表征及其在可見光通信中的應用 025
2.3.1 表面等離激元增強LED的電學特性 025
2.3.2 表面等離激元增強LED在可見光通信中的應用 034
2.4 本章小結 038
參考文獻 039
第3章 納米柱LED 045
3.1 納米柱LED的發展及應用 046
3.2 納米柱LED的設計與工藝 047
3.2.1 納米球掩膜及刻蝕 047
3.2.2 納米金薄膜退火及刻蝕 048
3.2.3 電子束曝光及刻蝕 050
3.3 納米柱LED的主要光學表征 051
3.3.1 周期性綠光納米柱LED的光學表征 051
3.3.2 非周期性綠光納米柱LED的光學表征 054
3.3.3 周期性黃光納米柱量子阱的光學表征 056
3.4 納米柱LED器件在可見光通信中的應用 059
3.5 本章小結 062
參考文獻 062
第4章 近紫外LED 065
4.1 近紫外LED的發展歷史與現狀 066
4.1.1 LED的歷史與發展 066
4.1.2 MOCVD 外延生長現狀 068
4.1.3 LED發展現狀 069
4.2 近紫外LED的設計及制備 070
4.2.1 LED臺面制造 070
4.2.2 LED電流擴展層和電極的制造 073
4.3 近紫外LED的電學表征 075
4.3.1 NUV LED器件的EL 075
4.3.2 NUV LED器件的I-U曲線 076
4.3.3 傳統Ni/Au電流擴展層的TLM測試 077
4.3.4 傳統Ni/Au電流擴展層的透射率測試 079
4.4 近紫外LED在可見光通信中的應用 079
4.5 本章小結 082
參考文獻 083
第5章 氮化鎵SLD 089
5.1 SLD的原理與應用 090
5.2 高性能藍紫光SLD的設計與工藝 092
5.3 基于藍光SLD的白光光源 099
5.4 可見光SLD的高頻調制及其在可見光通信中的應用 101
5.5 本章小結 104
參考文獻 105
第6章 非極性和半極性面氮化鎵激光器 109
6.1 氮化鎵激光器的發展 110
6.2 非極性和半極性氮化鎵激光器的生長與工藝 111
6.2.1 非極性m面GaN基激光器 111
6.2.2 半極性面和GaN基激光器 113
6.3 氮化鎵激光二極管的測試與表征 115
6.3.1 半極性InGaN/GaN量子阱結構的藍光激光二極管 115
6.3.2 波長410 nm的近紫外半極性InGaN/GaN量子阱結構的激光二極管 118
6.4 氮化鎵激光二極管的高頻調制及其在可見光通信中的應用 120
6.4.1 氮化鎵激光器的調制特性 120
6.4.2 氮化鎵基自注入鎖定激光器及其調制特性 121
6.4.3 基于氮化鎵激光二極管的可見光通信系統 123
6.5 本章小結 123
參考文獻 124
第7章 多段式氮化鎵激光器和光子集成電路 127
7.1 氮化鎵基光子集成芯片概述 128
7.2 氮化鎵激光二極管和集成波導調制器 128
7.2.1 藍光波段集成波導調制器的激光二極管 129
7.2.2 紫光波段集成波導調制器的激光二極管 134
7.3 氮化鎵激光二極管和集成光放大器 137
7.4 氮化鎵激光二極管和集成波導光接收器 141
7.5 本章小結 145
參考文獻 146
第8章 氮化鎵垂直腔面發射激光器 151
8.1 氮化鎵垂直腔面發射激光器介紹 152
8.2 非極性氮化鎵垂直腔面發射激光器 154
8.3 氮化鎵垂直腔面發射激光器的高頻調制 157
8.4 本章小結 158
參考文獻 159
第9章 總結與展望 161
9.1 回顧 162
9.2 挑戰與未來 164
名詞索引 167
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可見光通信新型發光器件原理與應用 作者簡介
歐海燕 丹麥技術大學副教授，中科院半導體所集成光電子學國家重點聯合實驗室博士。2011年名城大學Isamu Akasaki教授（2014年諾貝爾物理獎獲得者）組訪問學者。自然出版集團旗下期刊《科學報告》的編輯。負責或參與多項歐洲、北歐及丹麥的研究項目，2013年歐洲材料研究學會的研討會G、2017年的研討會O 和PIERS2014的LED研討會的組織者之一。主要研究方向為光通信、光伏和發光的新型納米材料和器件，近年來，除了研究傳統半導體材料硅和鍺，對寬禁帶半導體材料如氮化鎵和碳化硅在光電領域的應用也做了很多開拓性的工作。在國際雜志和國際會議上共發表論文224余篇，其中一篇發表在頂 尖雜志自然（Nature）上，應邀在國際會議做報告16次。2013年獲得丹麥zui大風投公司seed-capital的注資，創建了Light Extraction公司，并在同年獲得丹麥zui有創新性研究的戰略研究獎。 沈超 博士，KAUST創新中心研究顧問，SaNoor科技公司創始人兼技術主管。曾在KACST-KAUST-UCSB半導體照明聯合研究中心從事第三代半導體激光芯片工藝和片上集成研究。曾獲得2019年諾基亞創新挑戰賽全球TOP 5，發表論文60余篇，引用1 000余次，在高速可見光通信方面的工作被25余家境內外媒體報道，擁有多項美國和國際專利。主要研究領域為第三代半導體材料、光電子器件與系統、氮化鎵基光子集成電路、高性能可見光激光芯片、白光激光通信和高速無線水下光通信等。
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