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光通信用半導體激光器

包郵 光通信用半導體激光器

出版社:化學工業出版社出版時間:2018-08-01
開本: 16開 頁數: 247
本類榜單:工業技術銷量榜
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光通信用半導體激光器 版權信息

光通信用半導體激光器 本書特色

本書以通用光通信以及對半導體激光器的需求開始,通過討論激光器的基礎理論,轉入半導體的有關詳細內容。書中包含光學腔、調制、分布反饋以及半導體激光器電學性能的章節,此外還涵蓋激光器制造和可靠性的主題。

本書可供半導體激光器、通信類研發人員、工程師參考使用,也適用于高年級本科生或研究生,作為主修的半導體激光器的課程,亦可作為光子學、光電子學或光通信課程的教材。

光通信用半導體激光器 內容簡介

本書以通用光通信以及對半導體激光器的需求開始,通過討論激光器的基礎理論,轉入半導體的有關詳細內容。書中包含光學腔、調制、分布反饋以及半導體激光器電學性能的章節,此外還涵蓋激光器制造和可靠性的主題。 本書可供半導體激光器、通信類研發人員、工程師參考使用,也適用于高年級本科生或研究生,作為主修的半導體激光器的課程,亦可作為光子學、光電子學或光通信課程的教材。

光通信用半導體激光器 目錄

1緒論:光通信基礎知識1

1.1概述1

1.2光通信簡介1

1.2.1光通信基礎1

1.2.2重要的巧合3

1.2.3光放大器4

1.2.4完整的技術5

1.3半導體激光器圖片5

1.4本書結構7

1.5問題8



2激光器的基礎知識9

2.1概述9

2.2激光器簡介9

2.2.1黑體輻射9

2.2.2黑體輻射的統計熱力學觀點11

2.2.3幾種概率分布函數11

2.2.4態密度12

2.2.5黑體光譜15

2.3黑體輻射:愛因斯坦的觀點16

2.4激射的含義18

2.5自發輻射、受激輻射和激射之間的差異20

2.6一些激射系統例子21

2.6.1摻鉺光纖激光器21

2.6.2氦-氖氣體激光器21

2.7小結23

2.8問題24

2.9習題25



3半導體激光材料1:基礎26

3.1概述26

3.2能帶和輻射復合26

3.3半導體激光器材料體系28

3.4確定帶隙30

3.4.1Vegard定律:三元化合物31

3.4.2Vegard定律:四元化合物32

3.5晶格常數、應變和臨界厚度33

3.5.1薄膜外延生長34

3.5.2應變和臨界厚度34

3.6直接和間接帶隙37

3.6.1色散圖37

3.6.2色散圖的特點40

3.6.3直接和間接帶隙40

3.6.4聲子41

3.7小結43

3.8問題43

3.9習題44



4半導體激光材料2:態密度、量子阱和增益46

4.1概述46

4.2半導體中電子和空穴的密度46

4.2.1方程式(4.9)的變換:有效質量48

4.2.2方程式(4.9)的變換:包含帶隙50

4.3量子阱激光材料51

4.3.1理想量子阱中的能級52

4.3.2實際量子阱中的能級54

4.4量子阱中的態密度55

4.5載流子數57

4.5.1準費米能級57

4.5.2空穴數與電子數58

4.6激射條件59

4.7光增益60

4.8半導體光增益61

4.8.1聯合態密度62

4.8.2占據因子63

4.8.3比例常數64

4.8.4線寬展寬64

4.9小結65

4.10學習要點66

4.11問題66

4.12習題67



5半導體激光器的運行70

5.1概述70

5.2簡單的半導體激光器71

5.3激光器的定性模型71

5.4吸收損失74

5.4.1帶間和自由載流子吸收75

5.4.2能帶-雜質吸收76

5.5速率方程模型77

5.5.1載流子壽命79

5.5.2穩態的重要性80

5.5.3增益和光子壽命的單位81

5.5.4斜率效率83

5.6腔面鍍膜器件84

5.7完整DC分析87

5.8小結89

5.9問題90

5.10習題91



6半導體激光器電學性質94

6.1概述94

6.2p-n結基礎94

6.2.1載流子密度作為費米能級位置的函數95

6.2.2p-n結中的能帶結構和電荷98

6.2.3非偏p-n結中的電流100

6.2.3.1擴散電流100

6.2.3.2漂移電流100

6.2.4內置電壓101

6.2.5空間電荷區寬度102

6.3外加偏置的半導體p-n結104

6.3.1外加偏置和準費米能級104

6.3.2復合和邊界條件105

6.3.3少子準中性區擴散電流108

6.4半導體激光器p-n結110

6.4.1二極管理想因子110

6.4.2閾值處的固定準費米能級110

6.5二極管特性總結111

6.6激光器的金屬接觸112

6.6.1能級定義112

6.6.2能帶結構114

6.7激光器歐姆接觸的實現117

6.7.1金屬-半導體結中的電流傳導:熱離子發射118

6.7.2金屬-半導體結中的電流傳導:隧穿電流119

6.7.3二極管電阻和接觸電阻的測量120

6.8小結121

6.9問題122

6.10習題123



7光學腔125

7.1概述125

7.2本章概述126

7.3法布里-珀羅光腔概述127

7.4激光腔支持的光學縱模128

7.4.1標準具支持的光學模式:一維激光腔128

7.4.2長標準具的自由光譜范圍129

7.4.3法布里-珀羅激光器腔體中的自由光譜范圍131

7.4.4法布里-珀羅激光器的光學輸出133

7.4.5縱模134

7.5基于光譜的增益計算135

7.6光腔中的橫向模式137

7.6.1真實激光器中橫向模式的重要性138

7.6.2全反射140

7.6.3橫向電場和橫向磁場模式141

7.6.4波導模式的定量分析142

7.7二維波導設計146

7.7.1二維限制146

7.7.2有效折射率方法146

7.7.3針對激光器的波導設計148

7.8小結149

7.9問題150

7.10習題150



8激光器調制153

8.1概述:數字和模擬光傳輸153

8.2數字傳輸規格154

8.3激光器小信號調制155

8.3.1小信號調制的測量156

8.3.2LED的小信號調制157

8.3.3回顧激光器速率方程159

8.3.4小信號均勻激光器響應的推導161

8.3.5小信號激光器均勻響應163

8.4激光器AC電流調制164

8.4.1推導大綱164

8.4.2激光器調制的測量和方程165

8.4.3激光器調制響應分析167

8.4.4時間常數效應示范169

8.5激光器帶寬的極限170

8.6相對強度噪聲測量172

8.7大信號調制173

8.7.1眼圖建模174

8.7.2激光器系統注意事項175

8.8小結176

8.9學習要點176

8.10問題177

8.11習題178



9分布反饋激光器180

9.1單波長激光器180

9.2單波長激光器的必要性181

9.2.1單波長器件的實現183

9.2.2窄增益介質183

9.2.3高自由光譜范圍和中等增益帶寬183

9.2.4外部布拉格反射器185

9.3分布反饋激光器:概述186

9.3.1分布反饋激光器:物理結構186

9.3.2布拉格波長和耦合188

9.3.3單位往返增益188

9.3.4增益包封189

9.3.5分布反饋激光器:設計與制作190

9.3.6分布反饋激光器:零凈相位191

9.4分布反饋激光器的實驗數據194

9.4.1相位對閾值電流的影響194

9.4.2相位對腔體功率分布及斜率的影響194

9.4.3相位對單模良率的影響196

9.5建模分布反饋激光器198

9.6耦合模式理論201

9.6.1衍射的直觀圖像201

9.6.2分布反饋激光器的耦合模式理論202

9.6.3測量κ206

9.7固有單模激光器207

9.8其他類型的光柵208

9.9學習要點209

9.10問題210

9.11習題210



10其他:色散,制造及可靠性212

10.1概述212

10.2色散和單模器件213

10.3激光器的溫度效應215

10.3.1波長的溫度效應215

10.3.2直流特性的溫度效應216

10.4激光器制造:晶圓生長,晶圓制造,芯片制造與測試219

10.4.1襯底晶圓制造219

10.4.2激光器設計220

10.4.3異質結構生長221

10.4.3.1異質結構生長:分子束外延221

10.4.3.2異質結構生長:金屬有機物化學氣相沉積221

10.5光柵制作223

10.5.1光柵制作223

10.5.2光柵二次生長224

10.6晶圓制造225

10.6.1晶圓制造:脊形波導225

10.6.2晶圓制造:掩埋異質結構與脊形波導226

10.6.3晶圓制造:垂直腔面發射激光器228

10.7芯片制造230

10.8晶圓測試和良率231

10.9可靠性232

10.9.1單個器件測試和失效模式233

10.9.2失效的定義234

10.9.3老化速率的阿倫尼烏斯關系234

10.9.4老化速率,FIT和MTBF分析235

10.10結束語237

10.11小結238

10.12問題239

10.13習題239



附錄241

附錄1國際單位制詞頭(SI詞頭)241

附錄2單位換算表242

附錄3常用物理量242

附錄4中英文詞匯對照表243



參考文獻247
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光通信用半導體激光器 作者簡介

賈曉霞,江蘇華芯半導體科技有限公司,經理、工程師,2005/07–2013/5:海特光電有限責任公司 | 研發部經理

從GaAs基半導體激光器和InP基光電探測器的解理工藝工程師開始,逐步學習半導體激光器的各種工藝技術,工藝改進,提升了耦合工藝線和列陣工藝線的產品成品率,生產效率和產品的一致性,在2008年底,被評為海特公司先進工作者。此后作為技術主管,主要負責半導體激光器芯片和光電探測器芯片的所有工藝,并承擔研發部的芯片項目開發。后期擔任研發部經理,主要負責公司半導體激光器芯片和光電探測器芯片的研發以及生產管理。完成多項國家項目,780nm半導體激光器列陣20w,100w項目,635nm紅光大功率半導體激光器,980nm系列大功率半導體激光器,808nm 5w大功率半導體激光器等。

2013/6-2016/5山西飛虹激光科技有限公司,擔任常務副總,建設起一條激光器生產線并實現量產。
賈曉霞,江蘇華芯半導體科技有限公司,經理、工程師,2005/07–2013/5:海特光電有限責任公司 | 研發部經理

從GaAs基半導體激光器和InP基光電探測器的解理工藝工程師開始,逐步學習半導體激光器的各種工藝技術,工藝改進,提升了耦合工藝線和列陣工藝線的產品成品率,生產效率和產品的一致性,在2008年底,被評為海特公司先進工作者。此后作為技術主管,主要負責半導體激光器芯片和光電探測器芯片的所有工藝,并承擔研發部的芯片項目開發。后期擔任研發部經理,主要負責公司半導體激光器芯片和光電探測器芯片的研發以及生產管理。完成多項國家項目,780nm半導體激光器列陣20w,100w項目,635nm紅光大功率半導體激光器,980nm系列大功率半導體激光器,808nm 5w大功率半導體激光器等。

2013/6-2016/5山西飛虹激光科技有限公司,擔任常務副總,建設起一條激光器生產線并實現量產。

2016/6-今 江蘇華芯激光科技有限公司,經理。

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