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納米級場效應晶體管建模與結構優化研究 版權信息
- ISBN：9787302477792
- 條形碼：9787302477792 ; 978-7-302-47779-2
- 裝幀：70g膠版紙
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
納米級場效應晶體管建模與結構優化研究 本書特色
本書是對作者在納米級場效應晶體管領域科研學術成果的系統性論述，具體內容包括納米級場效應晶體管寄生電容模型、傳統納米級金屬氧化物半導體場效應晶體管機理模型、新興無結型場效應晶體管機理模型以及無結型場效應晶體管的結構優化。在建模的過程中，充分考慮了器件的具體結構和摻雜濃度等參數對器件工作特性的影響，系統地建立了具有雙柵、圍柵等多柵結構的納米級場效應晶體管的機理模型體系，并給出了深納米級尺度下新興無結場效應晶體管的優化方案。 本書可供材料、電子、精密儀器等專業科研和工程技術人員參考使用。
納米級場效應晶體管建模與結構優化研究 內容簡介
本書是對作者在納米級場效應晶體管領域科研學術成果的系統性論述，具體內容包括納米級場效應晶體管寄生電容模型、傳統納米級金屬氧化物半導體場效應晶體管機理模型、新興無結型場效應晶體管機理模型以及無結型場效應晶體管的結構優化。在建模的過程中，充分考慮了器件的具體結構和摻雜濃度等參數對器件工作特性的影響，系統地建立了具有雙柵、圍柵等多柵結構的納米級場效應晶體管的機理模型體系，并給出了深納米級尺度下新興無結場效應晶體管的優化方案。
本書可供材料、電子、精密儀器等專業科研和工程技術人員參考使用。
納米級場效應晶體管建模與結構優化研究 目錄
目 錄
第1章 緒論.... 1
1.1 CMOS超大規模集成電路技術發展與現狀分析... 1
1.2 內容概述... 12
第2章 納米級MOSFETs的寄生電容模型.... 15
2.1 過往亞微米級寄生電容模型回顧... 15
2.1.1 概述... 15
2.1.2 幾種常見的寄生電容模型介紹... 18
2.2 考慮源漏接觸電極影響的深亞微米寄生電容模型... 27
2.2.1 概述... 27
2.2.2 柵極側壁電容 (Cside) 28
2.2.3 柵極頂部電容與總寄生電容... 36
2.3 基于精準邊界條件的全解析寄生電容模型... 41
2.3.1 概況... 41
2.3.2 柵極側壁電容... 42
2.3.3 柵極頂部電容與總寄生電容... 47
第3章 納米級金屬氧化物半導體場效應晶體管模型.... 51
3.1 平面單柵極體硅金屬氧化物半導體場效應晶體管模型... 51
3.1.1 能帶理論... 51
3.1.2 一個平面金屬氧化物半導體電容器的標準模型... 57
3.1.3 一個平面單柵極金屬氧化物半導體場效應晶體管器件的標準模型... 62
3.2 長溝道未摻雜雙柵金屬氧化物半導體場效應晶體管漏源電流模型... 64
3.2.1 概述... 64
3.2.2 結構與模型... 65
3.2.3 模型驗證... 69
3.3 長溝道摻雜雙柵金屬氧化物半導體場效應晶體管漏源電流模型... 70
3.3.1 概述... 70
3.3.2 結構與模型... 71
3.3.3 模型驗證... 733.4 短溝道雙柵金屬氧化物半導體場效應晶體管亞閾值伏安特性模型... 77
3.4.1 概述... 77
3.4.2 結構與模型... 77
3.4.3 模型驗證... 81
3.5 非對稱短溝道雙柵金屬氧化物半導體場效應晶體管建模... 84
3.5.1 概述... 84
3.5.2 結構與模型... 85
3.5.3 模型驗證... 88
3.6 長溝道摻雜圍柵金屬氧化物半導體場效應晶體管模型... 92
3.6.1 概述... 92
3.6.2 結構與模型... 93
3.6.3 模型驗證... 95
3.7 短溝道摻雜圍柵金屬氧化物半導體場效應晶體管模型... 99
3.7.1 概述... 99
3.7.2 結構與模型... 100
3.7.3 模型驗證... 104
第4章 無結型場效應晶體管建模研究.... 112
4.1 長溝道雙柵極無結晶體管模型... 112
4.1.1 概述... 112
4.1.2 器件結構和參數說明... 112
4.1.3 電場與電勢分布模型... 113
4.1.4 漏源電流模型... 116
4.1.5 模型驗證... 117
4.2 長溝道圍柵極無結晶體管模型... 123
4.2.1 概述... 123
4.2.2 器件結構和參數說明... 124
4.2.3 電場與電勢分布模型... 124
4.2.4 漏源電流模型... 126
4.2.5 模型驗證... 127
4.3 基于分離變量法的短溝道對稱雙柵無結晶體管亞閾值模型... 131
4.3.1 概述... 131
4.3.2 器件結構和參數說明... 132
4.3.3 模型建立... 132
4.3.4 模型驗證... 135
4.4 基于拋物線法的短溝道對稱雙柵極無結晶體管緊湊亞閾值模型... 141
4.4.1 概述... 141
4.4.2 器件結構和參數說明... 142
4.4.3 模型建立... 142
4.4.4 模型驗證... 145
4.5 基于分離變量法的短溝道非對稱雙柵無結型場效應晶體管模型... 151
4.5.1 概述... 151
4.5.2 器件結構和參數說明... 152
4.5.3 模型建立... 153
4.5.4 模型驗證... 155
4.6 基于拋物線法的短溝道圍柵無結晶體管緊湊亞閾值模型... 163
4.6.1 概述... 163
4.6.2 器件結構和參數說明... 164
4.6.3 模型建立... 164
4.6.4 模型驗證... 168
第5章 納米級無結場效應晶體管的結構優化.... 180
5.1 溝道邊緣處柵極氧化物厚度優化方案... 180
5.1.1 雙柵無結場效應晶體管優化... 180
5.1.2 立體柵無結場效應晶體管優化... 192
5.2 不同介電常數柵極氧化物結合使用優化方案... 201
5.2.1 雙柵無結場效應晶體管優化... 201
5.2.2 立體柵無結場效應晶體管優化... 205
5.3 短溝道優化——馬鞍型折疊柵無結場效應晶體管... 210
第6章 結論.... 220
附錄A 共形映射.... 224
A.1 坐標系的變換... 224
A.2 用復變函數法轉換... 227
附錄B Schwarz-Christoffel映射.... 229
附錄C 泊松積分公式.... 231
參考文獻.... 233
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