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高性能.低功耗.高可靠三維集成電路設計 版權信息
- ISBN：9787118113464
- 條形碼：9787118113464 ; 978-7-118-11346-4
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>
高性能.低功耗.高可靠三維集成電路設計 內容簡介
《高性能，低功耗，高可靠三維集成電路設計》系統地介紹了三維集成電路設計所涉及的一些問題，包括物理設計自動化、結構、建模、探索、驗證等，分成五部分，共20章。**部分為三維集成電路設計方法及解決方案，主要討論硅通孔布局、斯坦納布線、緩沖器插入、時鐘樹、電源分配網絡；第二部分為三維集成電路的電可靠性設計，主要討論硅通孔-硅通孔耦合、電流聚集效應、電源完整性、電遷移失效機制；第三部分為三維集成電路的熱可靠性設計，主要討論熱驅動結構布局、門級布局、微流通道散熱問題；第四部分為三維集成電路的機械可靠性設計，主要分析全芯片和封裝級機械應力、機械應力對時序的影響、硅通子L界面裂紋；第五部分為三維集成電路設計的其他方面，主要討論利用單片三維集成實現超高密度邏輯的方法、硅通孔按比例縮小問題，并給出一個三維大規模并行處理器設計實例。 《高性能，低功耗，高可靠三維集成電路設計》可作為高等院校微電子技術、電路與系統等專業高年級本科生和研究生的教材或參考書，也可作為從事三維集成電路設計的相關技術人員的參考資料。
高性能.低功耗.高可靠三維集成電路設計 目錄
**部分 高性能低功耗三維集成電路設計第1章 三維集成電路的硅通孔布局1．1 引言1．2 研究現狀1．3 基礎知識1．3．1 三維集成電路設計1．3．2 *大允許硅通孔數1．3．3 *小硅通孔數1．3．4 線長和硅通孔數的折衷1．4 三維集成電路物理設計流程1．4．1 劃分1．4．2 硅通孔插入和布局1．4．3 布線1．5 三維全局布局算法1．5．1 力驅動布局簡介1．5．2 三維布局算法簡介1．5．3 三維集成電路中的單元布局1．5．4 硅通孔位置原理中硅通孔的預布局1．5．5 三維節點的線長計算1．6 硅通孔分配算法1．6．1 硅通孔分配算法的*佳解1．6．2 基于MST的硅通孔分配1．6．3 基于布局的硅通孔分配1．7 實驗結果1．7．1 線長和運行時間比較1．7．2 金屬層和硅面積比較1．7．3 線長和硅通孔數折衷1．7．4 線長，管芯面積和管芯數折衷1．7．5 硅通孔協同布局與硅通孑L位置對照1．7．6 硅通孔尺寸影響1．7．7 時序和功耗比較1．8 結論參考文獻第2章 三維集成電路斯坦納布線2．1 引言2．2 研究現狀2．3 基礎知識2．3．1 問題表述2．3．2 研究方法簡介2．4 三維斯坦納樹構建2．4．1 算法簡介2．4．2 計算連接點和硅通孔位置2．4．3 延時方程優化2．5 采用硅通孔重布局進行三維樹精化2．5．1 算法簡介2．5．2 可移動范圍2．5．3 簡化熱分析2．5．4 非線性規劃2．5．5 整數線性規劃2．5．6 快速整數線性規劃2．6 實驗結果2．6．1 實驗參數2．6．2 樹構建結果2．6．3 延時和線長分布2．6．4 硅通孔重布局結果2．6．5 硅通孔尺寸和寄生效應影響2．6．6 鍵合類型影響2．6．7 兩管芯和四管芯疊層比較2．7 結論附錄參考文獻第3章 三維集成電路的緩沖器插入3．1 引言3．2 問題定義3．3 研究動機宴例……第二部分 三維集成電路設計中的電可靠性第三部分 三維集成電路設計中的熱可靠性第四部分 三維集成電路設計的機械可靠性第五部分 其他論題縮略語
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