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紫外光電子器件-氮化物技術(shù)及應(yīng)用 版權(quán)信息
- ISBN：9787122303592
- 條形碼：9787122303592 ; 978-7-122-30359-2
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊數(shù)：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
紫外光電子器件-氮化物技術(shù)及應(yīng)用 本書特色
本書全面介紹了基于Ⅲ族氮化物的紫外LED、激光器和探測器的*技術(shù)，涵蓋不同的襯底及外延方法，InAlGaN材料的光學(xué)、電學(xué)和結(jié)構(gòu)特性以及各種光電子器件，如UV-LED、紫外激光器和紫外日盲探測器。此外，綜述了紫外發(fā)光器件和探測的一些關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域，包括水凈化、光療、氣敏、熒光激發(fā)、植物生長照明和UV固化。本書含有大量翔實的圖表和參考文獻(xiàn)，可供讀者進(jìn)一步了解和認(rèn)識氮化物紫外光電器件及其應(yīng)用。本書由德國、美國、日本、愛爾蘭等國的知名專家共同執(zhí)筆，各章的作者都在相關(guān)領(lǐng)域有著豐富的經(jīng)驗，其對技術(shù)發(fā)展的獨到見解，能夠開拓讀者思路，為國內(nèi)氮化物紫外光電子器件的發(fā)展提供借鑒和參考。本書可供電氣工程、材料科學(xué)、物理學(xué)研究生層次的學(xué)生、研究人員和科學(xué)家，以及將紫外發(fā)光器件和探測器用到各種領(lǐng)域的開發(fā)人員參考。
紫外光電子器件-氮化物技術(shù)及應(yīng)用 內(nèi)容簡介
1. 本書系統(tǒng)性地總結(jié)了全球紫外光電子器件的研究進(jìn)展。詳細(xì)介紹了用于紫外光電子的氮化物襯底、外延、材料物理以及紫外發(fā)光二極管、激光器以及紫外探測器的制備。2. 由德國柏林工業(yè)大學(xué)固體物理研究所的Michael Kneissl教授和Jens Rass教授召集德國、美國、日本、愛爾蘭等近50名全球知名專家共同編寫。3. 除基礎(chǔ)理論外，本書精心選擇紫外光電子的重點應(yīng)用領(lǐng)域加以詳述：(1)UVA光譜范圍內(nèi)的重要應(yīng)用包括UV固化和紫外感測；(2)UV-B的關(guān)鍵應(yīng)用是光療，特別是牛皮癬和白癜風(fēng)的治療，以及植物生長照明例如靶向觸發(fā)次生植物代謝物；(3)UVC的大規(guī)模應(yīng)用是水凈化例如使用端系統(tǒng)，廢水處理和回收，以及醫(yī)療器械和食品的消毒。
紫外光電子器件-氮化物技術(shù)及應(yīng)用 目錄
第1章氮化物紫外光電子器件技術(shù)及應(yīng)用概述/001
摘要001
1.1背景002
1.2UV發(fā)光器件及其應(yīng)用003
1.3UV-LED的*新技術(shù)和未來挑戰(zhàn)004
1.4UV-LED的主要參數(shù)和器件性能007
1.5缺陷對UV-LED IQE的作用008
1.6UV-LED的電注入效率和工作電壓010
1.7UV-LED的光提取011
1.8UV-LED的熱管理與退化012
1.9展望013
1.10小結(jié)014
致謝015
參考文獻(xiàn)015
第2章AlN體襯底的生長與性能/025
摘要025
2.1AlN晶體的特性與歷史026
2.2PVT法生長AlN體單晶：理論027
2.3PVT法生長AlN體單晶：技術(shù)029
2.4籽晶生長與晶體長大031
2.5PVT生長AlN體單晶的結(jié)構(gòu)缺陷033
2.6AlN襯底的雜質(zhì)及相應(yīng)性質(zhì)034
2.7結(jié)論與展望037
致謝038
參考文獻(xiàn)038
第3章藍(lán)寶石襯底上氮化物UV發(fā)光器件用AlGaN層氣相外延/044
摘要044
3.1簡介045
3.2MOVPE生長Al(Ga)N緩沖層046
3.3減少MOVPE生長Al(Ga)N層TDD的技術(shù)048
3.4HVPE生長AlGaN層050
3.4.1HVPE技術(shù)基礎(chǔ)050
3.4.2襯底的選擇053
3.4.3HVPE選擇生長AlGaN層結(jié)果054
3.5小結(jié)062
致謝063
參考文獻(xiàn)063
第4章AlN/AlGaN生長技術(shù)和高效DUV-LED開發(fā)/067
摘要067
4.1簡介068
4.2DUV-LED研究背景068
4.3藍(lán)寶石襯底上高質(zhì)量AlN的生長技術(shù)073
4.4內(nèi)量子效率(IQE)的顯著提高076
4.5222～351nm AlGaN和InAlGaN DUV-LED080
4.6電注入效率(EIE)通過MQB的增加086
4.7未來高光提取效率(LEE)的LED設(shè)計092
4.8小結(jié)098
參考文獻(xiàn)098
第5章位錯和點缺陷對近帶邊發(fā)射AlGaN基DUV發(fā)光材料內(nèi)量子效率的影響/101
摘要101
5.1簡介103
5.2實驗細(xì)節(jié)104
5.3雜質(zhì)和點缺陷對AlN近帶邊發(fā)光動力學(xué)的影響107
5.4AlxGa1-xN薄膜的近帶邊有效輻射壽命112
5.5硅摻雜及引起的陽離子空位形成對AlN模板上生長Al0.6Ga0.4N薄膜近帶邊發(fā)光的發(fā)光動力學(xué)影響113
5.6小結(jié)117
致謝118
參考文獻(xiàn)118
第6章UV-LED的光偏振和光提取/122
摘要122
6.1紫外LED光提取123
6.2光偏振125
6.2.1影響AlGaN層光偏振開關(guān)的因素127
6.2.2光學(xué)偏振與襯底方向的關(guān)系130
6.2.3光學(xué)偏振對光提取效率的影響132
6.3改善光提取的概念134
6.3.1接觸材料與設(shè)計134
6.3.2表面制備138
6.3.3封裝144
參考文獻(xiàn)145
第7章半導(dǎo)體AlN襯底上高性能UVC-LED的制造及其使用點水消毒系統(tǒng)的應(yīng)用前景/151
摘要151
7.1簡介153
7.1.1UVC光源類型153
7.1.2什么是UVC光？153
7.1.3紫外殺菌如何工作？155
7.2AlN襯底上UVC LED的制造156
7.3提升POU水消毒用的UVC-LED性能增益162
7.3.1UVT效應(yīng)162
7.3.2設(shè)計靈活性164
7.3.3流動單元建模165
7.3.4流動分析案例165
7.3.5UVC光的使用168
參考文獻(xiàn)169
第8章AlGaN基紫外激光二極管/171
摘要171
8.1簡介172
8.2AlN體材上的*高材料質(zhì)量生長174
8.2.1AlN體襯底174
8.2.2同質(zhì)外延AlN174
8.2.3AlGaN激光器異質(zhì)結(jié)構(gòu)175
8.2.4多量子阱有源區(qū)176
8.3寬帶隙AlGaN材料的大電流能力177
8.4大電流水平下的高注入效率180
8.5光泵浦UV激光器183
8.6緊湊深紫外Ⅲ-N激光器的其他概念186
8.6.1電子束泵浦激光器186
8.6.2InGaN基VECSEL 二次諧波產(chǎn)生187
8.7小結(jié)187
致謝188
參考文獻(xiàn)188
第9章日盲和可見光盲AlGaN探測器/192
摘要192
9.1簡介193
9.2光電探測器基礎(chǔ)195
9.2.1特征參數(shù)與現(xiàn)象195
9.2.2各種類型的半導(dǎo)體光電探測器202
9.3Ⅲ族氮化物用于固態(tài)UV光電檢測211
9.3.1AlGaN基光電導(dǎo)體213
9.3.2AlGaN基MSM光電探測器213
9.3.3AlGaN基肖特基勢壘光電二極管214
9.3.4AlGaN基PIN光電二極管215
9.3.5AlGaN基雪崩光電探測器217
9.3.6AlGaN基光陰極219
9.3.7高度集成的Ⅲ氮族器件220
9.4寬禁帶光電探測器現(xiàn)狀221
9.5小結(jié)223
參考文獻(xiàn)224
第10章紫外LED水消毒應(yīng)用/234
摘要234
10.1簡介235
10.2紫外消毒的基本原則235
10.2.1影響紫外能流的因素237
10.2.2紫外反應(yīng)器性能的建模與驗證239
10.3案例分析240
10.3.1測試紫外LED的實驗設(shè)置提案241
10.3.2測試條件243
10.3.3使用紫外LED測試的結(jié)果246
10.4紫外LED水消毒應(yīng)用潛力251
致謝252
參考文獻(xiàn)252
第11章紫外發(fā)光器件皮膚病光療應(yīng)用/256
摘要256
11.1簡介257
11.2紫外光療的光源257
11.2.1自然日光258
11.2.2氣體放電燈259
11.2.3激光器261
11.2.4UV-LED261
11.3皮膚紫外光療的變化262
11.3.1補骨脂素加UVA(PUVA)治療262
11.3.2寬譜UVB(BB-UVB)治療263
11.3.3窄譜UVB(NB-UVB)治療264
11.3.4UVA-1治療265
11.3.5靶向紫外光療265
11.3.6體外光化學(xué)治療(ECP)266
11.4主要皮膚適應(yīng)證的作用機制267
11.4.1牛皮癬268
11.4.2特應(yīng)性皮炎268
11.4.3白癜風(fēng)269
11.4.4皮膚T細(xì)胞淋巴瘤269
11.4.5扁平蘚和斑禿269
11.4.6全身性硬化癥和硬斑病270
11.4.7移植體抗宿主病270
11.4.8多形性日光疹270
11.5采用新型UV發(fā)光器件的臨床研究271
11.5.1使用無極準(zhǔn)分子燈的研究271
11.5.2使用紫外LED的研究272
11.6總結(jié)與展望273
參考文獻(xiàn)273
第12章紫外發(fā)光器件氣體傳感應(yīng)用/281
摘要281
12.1簡介282
12.2吸收光譜284
12.3吸收光譜系統(tǒng)288
12.4紫外光譜儀光源291
12.5光譜儀用LED的光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)295
12.6UV-LED吸收光譜儀的應(yīng)用298
12.6.1臭氧傳感器299
12.6.2臭氧傳感器設(shè)計299
12.6.3測量配置300
12.6.4結(jié)果300
12.6.5SO2和NO2傳感器301
12.6.6SO2/NO2氣體排放傳感器設(shè)計301
12.6.7測量配置302
12.7結(jié)論與展望303
參考文獻(xiàn)304
第13章化學(xué)與生命科學(xué)中的紫外熒光探測和光譜儀/306
摘要306
13.1簡介307
13.2熒光檢測和光譜儀的基礎(chǔ)和裝置308
13.3實驗室分析儀器用熒光313
13.4環(huán)境監(jiān)測和生物分析用熒光化學(xué)傳感315
13.5用自發(fā)熒光探測微生物322
13.6皮膚病醫(yī)療診斷用熒光326
13.7總結(jié)與展望329
參考文獻(xiàn)329
第14章UVB誘導(dǎo)次生植物代謝物/339
摘要339
14.1次生植物代謝物的本質(zhì)和形成340
14.2次生植物代謝物的營養(yǎng)生理學(xué)341
14.3水果蔬菜消費與慢性病的關(guān)系342
14.4植物-環(huán)境相互作用中的次生植物代謝物342
14.4.1植物的UVB感知和信令342
14.4.2UVB應(yīng)激源及植物生長調(diào)節(jié)劑344
14.5結(jié)構(gòu)分化UVB響應(yīng)345
14.5.1類黃酮和其他酚類346
14.5.2硫代葡萄糖苷349
14.6定制的UVB-LED次生植物代謝物UVB誘導(dǎo)351
14.6.1研究現(xiàn)狀：UVB-LED用于植物照明351
14.6.2UVB-LED針對性植物屬性觸發(fā)的優(yōu)勢352
14.6.3UVB-LED針對性植物屬性觸發(fā)實驗裝置353
14.7展望354
參考文獻(xiàn)354
第15章紫外LED固化應(yīng)用/365
摘要365
15.1簡介366
15.2光源367
15.3化學(xué)機制368
15.4動力學(xué)371
15.5醫(yī)學(xué)應(yīng)用372
15.6涂層、油墨和印刷375
15.7光固化快速成型377
15.8結(jié)論與展望378
參考文獻(xiàn)379
專業(yè)術(shù)語中英文對照表383
單位換算表400
摘要001
1.1背景002
1.2UV發(fā)光器件及其應(yīng)用003
1.3UV-LED的*新技術(shù)和未來挑戰(zhàn)004
1.4UV-LED的主要參數(shù)和器件性能007
1.5缺陷對UV-LED IQE的作用008
1.6UV-LED的電注入效率和工作電壓010
1.7UV-LED的光提取011
1.8UV-LED的熱管理與退化012
1.9展望013
1.10小結(jié)014
致謝015
參考文獻(xiàn)015
第2章AlN體襯底的生長與性能/025
摘要025
2.1AlN晶體的特性與歷史026
2.2PVT法生長AlN體單晶：理論027
2.3PVT法生長AlN體單晶：技術(shù)029
2.4籽晶生長與晶體長大031
2.5PVT生長AlN體單晶的結(jié)構(gòu)缺陷033
2.6AlN襯底的雜質(zhì)及相應(yīng)性質(zhì)034
2.7結(jié)論與展望037
致謝038
參考文獻(xiàn)038
第3章藍(lán)寶石襯底上氮化物UV發(fā)光器件用AlGaN層氣相外延/044
摘要044
3.1簡介045
3.2MOVPE生長Al(Ga)N緩沖層046
3.3減少MOVPE生長Al(Ga)N層TDD的技術(shù)048
3.4HVPE生長AlGaN層050
3.4.1HVPE技術(shù)基礎(chǔ)050
3.4.2襯底的選擇053
3.4.3HVPE選擇生長AlGaN層結(jié)果054
3.5小結(jié)062
致謝063
參考文獻(xiàn)063
第4章AlN/AlGaN生長技術(shù)和高效DUV-LED開發(fā)/067
摘要067
4.1簡介068
4.2DUV-LED研究背景068
4.3藍(lán)寶石襯底上高質(zhì)量AlN的生長技術(shù)073
4.4內(nèi)量子效率(IQE)的顯著提高076
4.5222～351nm AlGaN和InAlGaN DUV-LED080
4.6電注入效率(EIE)通過MQB的增加086
4.7未來高光提取效率(LEE)的LED設(shè)計092
4.8小結(jié)098
參考文獻(xiàn)098
第5章位錯和點缺陷對近帶邊發(fā)射AlGaN基DUV發(fā)光材料內(nèi)量子效率的影響/101
摘要101
5.1簡介103
5.2實驗細(xì)節(jié)104
5.3雜質(zhì)和點缺陷對AlN近帶邊發(fā)光動力學(xué)的影響107
5.4AlxGa1-xN薄膜的近帶邊有效輻射壽命112
5.5硅摻雜及引起的陽離子空位形成對AlN模板上生長Al0.6Ga0.4N薄膜近帶邊發(fā)光的發(fā)光動力學(xué)影響113
5.6小結(jié)117
致謝118
參考文獻(xiàn)118
第6章UV-LED的光偏振和光提取/122
摘要122
6.1紫外LED光提取123
6.2光偏振125
6.2.1影響AlGaN層光偏振開關(guān)的因素127
6.2.2光學(xué)偏振與襯底方向的關(guān)系130
6.2.3光學(xué)偏振對光提取效率的影響132
6.3改善光提取的概念134
6.3.1接觸材料與設(shè)計134
6.3.2表面制備138
6.3.3封裝144
參考文獻(xiàn)145
第7章半導(dǎo)體AlN襯底上高性能UVC-LED的制造及其使用點水消毒系統(tǒng)的應(yīng)用前景/151
摘要151
7.1簡介153
7.1.1UVC光源類型153
7.1.2什么是UVC光？153
7.1.3紫外殺菌如何工作？155
7.2AlN襯底上UVC LED的制造156
7.3提升POU水消毒用的UVC-LED性能增益162
7.3.1UVT效應(yīng)162
7.3.2設(shè)計靈活性164
7.3.3流動單元建模165
7.3.4流動分析案例165
7.3.5UVC光的使用168
參考文獻(xiàn)169
第8章AlGaN基紫外激光二極管/171
摘要171
8.1簡介172
8.2AlN體材上的*高材料質(zhì)量生長174
8.2.1AlN體襯底174
8.2.2同質(zhì)外延AlN174
8.2.3AlGaN激光器異質(zhì)結(jié)構(gòu)175
8.2.4多量子阱有源區(qū)176
8.3寬帶隙AlGaN材料的大電流能力177
8.4大電流水平下的高注入效率180
8.5光泵浦UV激光器183
8.6緊湊深紫外Ⅲ-N激光器的其他概念186
8.6.1電子束泵浦激光器186
8.6.2InGaN基VECSEL 二次諧波產(chǎn)生187
8.7小結(jié)187
致謝188
參考文獻(xiàn)188
第9章日盲和可見光盲AlGaN探測器/192
摘要192
9.1簡介193
9.2光電探測器基礎(chǔ)195
9.2.1特征參數(shù)與現(xiàn)象195
9.2.2各種類型的半導(dǎo)體光電探測器202
9.3Ⅲ族氮化物用于固態(tài)UV光電檢測211
9.3.1AlGaN基光電導(dǎo)體213
9.3.2AlGaN基MSM光電探測器213
9.3.3AlGaN基肖特基勢壘光電二極管214
9.3.4AlGaN基PIN光電二極管215
9.3.5AlGaN基雪崩光電探測器217
9.3.6AlGaN基光陰極219
9.3.7高度集成的Ⅲ氮族器件220
9.4寬禁帶光電探測器現(xiàn)狀221
9.5小結(jié)223
參考文獻(xiàn)224
第10章紫外LED水消毒應(yīng)用/234
摘要234
10.1簡介235
10.2紫外消毒的基本原則235
10.2.1影響紫外能流的因素237
10.2.2紫外反應(yīng)器性能的建模與驗證239
10.3案例分析240
10.3.1測試紫外LED的實驗設(shè)置提案241
10.3.2測試條件243
10.3.3使用紫外LED測試的結(jié)果246
10.4紫外LED水消毒應(yīng)用潛力251
致謝252
參考文獻(xiàn)252
第11章紫外發(fā)光器件皮膚病光療應(yīng)用/256
摘要256
11.1簡介257
11.2紫外光療的光源257
11.2.1自然日光258
11.2.2氣體放電燈259
11.2.3激光器261
11.2.4UV-LED261
11.3皮膚紫外光療的變化262
11.3.1補骨脂素加UVA(PUVA)治療262
11.3.2寬譜UVB(BB-UVB)治療263
11.3.3窄譜UVB(NB-UVB)治療264
11.3.4UVA-1治療265
11.3.5靶向紫外光療265
11.3.6體外光化學(xué)治療(ECP)266
11.4主要皮膚適應(yīng)證的作用機制267
11.4.1牛皮癬268
11.4.2特應(yīng)性皮炎268
11.4.3白癜風(fēng)269
11.4.4皮膚T細(xì)胞淋巴瘤269
11.4.5扁平蘚和斑禿269
11.4.6全身性硬化癥和硬斑病270
11.4.7移植體抗宿主病270
11.4.8多形性日光疹270
11.5采用新型UV發(fā)光器件的臨床研究271
11.5.1使用無極準(zhǔn)分子燈的研究271
11.5.2使用紫外LED的研究272
11.6總結(jié)與展望273
參考文獻(xiàn)273
第12章紫外發(fā)光器件氣體傳感應(yīng)用/281
摘要281
12.1簡介282
12.2吸收光譜284
12.3吸收光譜系統(tǒng)288
12.4紫外光譜儀光源291
12.5光譜儀用LED的光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)295
12.6UV-LED吸收光譜儀的應(yīng)用298
12.6.1臭氧傳感器299
12.6.2臭氧傳感器設(shè)計299
12.6.3測量配置300
12.6.4結(jié)果300
12.6.5SO2和NO2傳感器301
12.6.6SO2/NO2氣體排放傳感器設(shè)計301
12.6.7測量配置302
12.7結(jié)論與展望303
參考文獻(xiàn)304
第13章化學(xué)與生命科學(xué)中的紫外熒光探測和光譜儀/306
摘要306
13.1簡介307
13.2熒光檢測和光譜儀的基礎(chǔ)和裝置308
13.3實驗室分析儀器用熒光313
13.4環(huán)境監(jiān)測和生物分析用熒光化學(xué)傳感315
13.5用自發(fā)熒光探測微生物322
13.6皮膚病醫(yī)療診斷用熒光326
13.7總結(jié)與展望329
參考文獻(xiàn)329
第14章UVB誘導(dǎo)次生植物代謝物/339
摘要339
14.1次生植物代謝物的本質(zhì)和形成340
14.2次生植物代謝物的營養(yǎng)生理學(xué)341
14.3水果蔬菜消費與慢性病的關(guān)系342
14.4植物-環(huán)境相互作用中的次生植物代謝物342
14.4.1植物的UVB感知和信令342
14.4.2UVB應(yīng)激源及植物生長調(diào)節(jié)劑344
14.5結(jié)構(gòu)分化UVB響應(yīng)345
14.5.1類黃酮和其他酚類346
14.5.2硫代葡萄糖苷349
14.6定制的UVB-LED次生植物代謝物UVB誘導(dǎo)351
14.6.1研究現(xiàn)狀：UVB-LED用于植物照明351
14.6.2UVB-LED針對性植物屬性觸發(fā)的優(yōu)勢352
14.6.3UVB-LED針對性植物屬性觸發(fā)實驗裝置353
14.7展望354
參考文獻(xiàn)354
第15章紫外LED固化應(yīng)用/365
摘要365
15.1簡介366
15.2光源367
15.3化學(xué)機制368
15.4動力學(xué)371
15.5醫(yī)學(xué)應(yīng)用372
15.6涂層、油墨和印刷375
15.7光固化快速成型377
15.8結(jié)論與展望378
參考文獻(xiàn)379
專業(yè)術(shù)語中英文對照表383
單位換算表400
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紫外光電子器件-氮化物技術(shù)及應(yīng)用 作者簡介
段瑞飛，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所博士，北京中科優(yōu)唯科技有限公司副總經(jīng)理，氮化物半導(dǎo)體物理、材料、器件以及應(yīng)用十多年研究經(jīng)驗，致力于氮化物深紫外LED的產(chǎn)業(yè)化。王軍喜，研究員，博導(dǎo)，中國科學(xué)半導(dǎo)體照明研發(fā)中心副主任，帶領(lǐng)團(tuán)隊在國內(nèi)首先制備出深紫外LED專用設(shè)備，開拓性實現(xiàn)國內(nèi)300nm以下毫瓦級LED器件，填補了國內(nèi)在該領(lǐng)域的空白。李晉閩，原中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所所長，科技部“半導(dǎo)體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點實驗室”主任，“國家半導(dǎo)體照明研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟”研發(fā)主席兼“聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會”主任。半導(dǎo)體照明外延、芯片及應(yīng)用集成技術(shù)團(tuán)隊的發(fā)起人和領(lǐng)導(dǎo)者。
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