固體電子學導論-(第2版) 版權信息
- ISBN:9787302439318
- 條形碼:9787302439318 ; 978-7-302-43931-8
- 裝幀:一般膠版紙
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固體電子學導論-(第2版) 本書特色
全書共分8章。1-3章介紹固體物理的基本知識,內容有:晶體結構、晶體結合、晶體生長、確定晶體結構的方法;晶格振動形成格波的特點、聲子的概念及聲子譜的測量方法;晶體缺陷的主要類型;能帶理論的基礎知識,包括金屬中的自由電子模型,晶體電子的波函數與能帶結構的特點,有效質量、空穴的概念,以及實際晶體能帶結構舉例。4-8章介紹半導體材料與器件特性,內容有:載流子濃度、遷移率、電導率的計算,漂移運動與擴散運動,非平衡載流子,連續性方程;pn結的形成與能帶圖、電流電壓特性、電容、擊穿;固體表面態的基本概念,表面電場效應,金屬與半導體的接觸,mis結構的電容—電壓特性;半導體器件的基本原理,包括二極管、雙極型晶體管、場效應晶體管,半導體集成器件和微細加工技術簡介。固體的光學常數及實驗測量,光吸收,光電導,光生伏特效應及太陽電池,半導體發光及發光二極管等。
固體電子學導論-(第2版) 內容簡介
隨著半導體材料工藝日趨成熟,新的固態電子器件因材料質量的提高和對材料物理的深入研究而不斷出現。固態電子器件是現代集成電路的基礎,它還廣泛應用于其他各領域,如光纖通信、固體成像、微波通信等。本書介紹固體電子學的基礎理論,主要涉及固體物理和半導體物理的基礎知識,包括晶體的結構、晶體的結合、晶格振動、晶體缺陷、能帶理論、半導體中的載流子、pn結、固體表面及界面接觸現象、半導體器件原理、固體的光學性質與光電現象等內容。
固體電子學導論-(第2版) 目錄
目錄第1章晶體的結構和晶體的結合1.1晶體的特征與晶體結構的周期性1.1.1晶體的特征1.1.2晶體結構的周期性1.1.3原胞與晶胞1.1.4實際晶體舉例1.2晶列與晶面倒格子1.2.1晶列1.2.2晶面1.2.3倒格子1.3晶體結構的對稱性晶系1.3.1物體的對稱性與對稱操作*1.3.2晶體的對稱點群1.3.3晶系 *1.3.4準晶體 *1.4確定晶體結構的方法1.4.1晶體衍射的一般介紹1.4.2衍射方程1.4.3反射公式1.4.4反射球1.5晶體的結合1.5.1離子性結合1.5.2共價結合1.5.3金屬性結合1.5.4范德華結合*1.6晶體生長簡介1.6.1自然界的晶體1.6.2溶液中生長晶體1.6.3水熱法生長晶體1.6.4熔體中生長晶體1.6.5硅、鍺單晶生長習題1第2章晶格振動和晶體的缺陷2.1晶格振動和聲子2.1.1一維單原子晶格的振動2.1.2周期性邊界條件2.1.3晶格振動量子化聲子 *2.2聲學波與光學波2.2.1一維雙原子晶格的振動2.2.2聲學波和光學波的特點*2.3格波與彈性波的關系2.4聲子譜的測量方法2.5晶體中的缺陷2.5.1點缺陷2.5.2線缺陷2.5.3面缺陷習題2第3章能帶論基礎3.1晶體中電子狀態的近似處理方法3.1.1單電子近似3.1.2周期性勢場的形成3.2金屬中的自由電子模型3.2.1無限深勢阱近似——駐波解3.2.2周期性邊界條件——行波解3.2.3能態密度*3.2.4費米球3.3布洛赫定理3.3.1布洛赫定理的表述*3.3.2布洛赫定理的證明3.3.3布洛赫函數的意義3.4克龍尼克潘納模型3.4.1求解3.4.2討論3.4.3能帶結構的特點*3.5能帶的計算方法3.5.1準自由電子近似*3.5.2布洛赫函數的例子3.5.3緊束縛近似3.6晶體的導電性3.6.1電子運動的速度和加速度有效質量3.6.2電子導電和空穴導電3.6.3導體、半導體和絕緣體的區別*3.7實際晶體的能帶3.7.1回旋共振和有效質量3.7.2硅和鍺的能帶結構3.7.3砷化鎵的能帶結構習題3第4章半導體中的載流子4.1本征半導體與雜質半導體4.1.1本征半導體4.1.2雜質半導體4.1.3雜質電離能與雜質補償4.2半導體中的載流子濃度4.2.1費米分布函數4.2.2平衡態下的導帶電子濃度和價帶空穴濃度4.2.3本征載流子濃度與費米能級4.2.4雜質充分電離時的載流子濃度4.2.5雜質未充分電離時的載流子濃度*4.3簡并半導體4.4載流子的漂移運動4.4.1遷移率4.4.2電導率*4.4.3霍耳(hall)效應4.5非平衡載流子及載流子的擴散運動4.5.1穩態與平衡態4.5.2壽命4.5.3擴散運動4.5.4連續性方程習題4第5章pn結5.1pn結及其能帶圖5.1.1pn結的制備5.1.2pn結的內建電場與能帶圖5.1.3pn結的載流子分布5.1.4pn結的勢壘形狀5.2pn結電流電壓特性5.2.1非平衡pn結的勢壘與電流的定性分析*5.2.2非平衡pn結的少子分布5.2.3理想pn結的電流電壓方程5.3pn結電容5.3.1勢壘電容5.3.2擴散電容5.3.3勢壘電容的計算5.3.4擴散電容的計算5.4pn結擊穿5.4.1雪崩擊穿5.4.2隧道擊穿(齊納擊穿)5.4.3熱電擊穿習題5第6章固體表面及界面接觸現象6.1表面態6.1.1理想表面和實際表面6.1.2表面態6.1.3表面態密度6.2表面電場效應6.2.1外電場對半導體表面的影響6.2.2表面空間電荷區的電場、面電荷密度和電容6.2.3各種表面層狀態6.2.4表面電導6.3金屬與半導體的接觸6.3.1金屬和半導體的功函數6.3.2接觸電勢差和接觸勢壘6.3.3金屬與半導體接觸的整流特性6.3.4歐姆接觸6.4mis結構的電容電壓特性6.4.1理想mis結構電容6.4.2理想mis結構的cv特性6.4.3功函數差及絕緣層中電荷對cv特性的影響*6.5異質結6.5.1異質結的分類6.5.2突變異質結的能帶圖6.5.3異質結的電流電壓特性6.5.4半導體超晶格習題6第7章半導體器件基礎7.1二極管7.1.1二極管的基本結構7.1.2整流二極管7.1.3齊納二極管7.1.4變容二極管7.1.5肖特基二極管7.2雙極型晶體管7.2.1bjt的基本結構7.2.2bjt的電流電壓特性7.3場效應晶體管7.3.1jfet7.3.2mosfet*7.3.3mesfet7.4半導體集成器件7.4.1集成電路的構成7.4.2微細加工技術習題7第8章固體光電基礎8.1固體的光學常數8.1.1折射率與消光系數*8.1.2克拉末克龍尼克(kramerskronig)關系*8.2光學常數的測量8.3半導體的光吸收8.3.1本征吸收8.3.2直接躍遷和間接躍遷8.3.3其他吸收過程8.4半導體的光電導8.4.1附加電導率8.4.2定態光電導及其弛豫過程8.4.3本征光電導的光譜分布8.4.4雜質光電導8.5pn結的光生伏特效應和太陽能電池8.5.1pn結的光生伏特效應8.5.2光電池的電流電壓特性8.5.3太陽能電池及其光電轉換效率8.6半導體發光8.6.1輻射躍遷8.6.2發光效率8.6.3電致發光激發機構8.6.4發光二極管(led)*8.6.5半導體激光器(ld)習題8附錄a常用表附錄bexcel在教學中的應用參考文獻
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固體電子學導論-(第2版) 作者簡介
沈為民,中國計量大學教授,校教學名師,浙江省優秀教師。1982年本科畢業于杭州大學(現合并到浙江大學)物理系,1989年研究生畢業于南開大學電子系。主要研究方向為光電測量、光纖傳感、半導體光電等,先后主持或參加完成杭州市重大科研項目、浙江省自然科學基金項目、浙江省重大科技項目、國家863項目、973項目等。負責的電子科學與技術專業被列入浙江省重點專業、浙江省特色專業、教育部卓越工程師計劃專業,負責的《光電信息專業實驗》為省精品課程。主持完成浙江省高等教育教學改革項目、教育部教指委第一類課題、浙江省高教學會研究項目等。現為全國高校光學教學研究會副理事長、教育部評估中心(中國工程教育認證協會)專業認證專家。