**篇 電子元器件失效分析概論第1章 電子元器件可靠性 (2)1.1 電子元器件可靠性基本概念 (2)1.1.1 累積失效概率 (2)1.1.2 瞬時失效率 (3)1.1.3 壽命 (5)1.2 電子元器件失效及基本分類 (6)1.2.1 按失效機理的分類 (7)1.2.2 按失效時間特征的分類 (7)1.2.3 按失效后果的分類 (8)參考文獻 (8)第2章 電子元器件失效分析 (9)2.1 失效分析的作用和意義 (9)2.1.1 失效分析是提高電子元器件可靠性的必要途徑 (9)2.1.2 失效分析在工程中有具有重要的支撐作用 (10)2.1.3 失效分析會產生顯著的經濟效益 (10)2.1.4 小結 (11)2.2 開展失效分析的基礎 (11)2.2.1 具有電子元器件專業基礎知識 (11)2.2.2 了解和掌握電子元器件失效機理 (12)2.2.3 具備必要的技術手段和設備 (12)2.3 失效分析的主要內容 (13)2.3.1 明確分析對象 (14)2.3.2 確認失效模式 (14)2.3.3 失效定位和機理分析 (14)2.3.4 尋找失效原因 (14)2.3.5 提出預防和改進措施 (15)2.4 失效分析的一般程序和要求 (15)2.4.1 樣品信息調查 (16)2.4.2 失效樣品保護 (16)2.4.3 失效分析方案設計 (16)2.4.4 外觀檢查 (17)2.4.5 電測試 (17)2.4.6 應力試驗分析 (18)2.4.7 故障模擬分析 (18)2.4.8 失效定位分析 (18)2.4.9 綜合分析 (21)2.4.10 失效分析結論和改進建議 (21)2.4.11 結果驗證 (21)2.5 失效分析技術的發展及挑戰 (22)2.5.1 定位與電特性分析 (22)2.5.2 新材料的剝離技術 (22)2.5.3 系統級芯片的失效激發 (22)2.5.4 微結構及微缺陷成像的物理極限 (22)2.5.5 不可見故障的探測 (23)2.5.6 驗證與測試的有效性 (23)2.5.7 加工的全球分散性 (23)2.5.8 故障隔離與模擬軟件的驗證 (23)2.5.9 失效分析成本的提高 (23)2.5.10 數據的復雜性及大數據量 (23)2.6 結語 (24)參考文獻 (24)第二篇 失效分析技術第3章 失效分析中的電測試技術 (26)3.1 概述 (26)3.2 電阻、電容和電感的測試 (27)3.2.1 測試設備 (27)3.2.2 電阻測試方法及案例分析 (27)3.2.3 電容測試方法及案例分析 (29)3.2.4 電感測試方法及案例分析 (31)3.3 半導體器件測試 (32)3.3.1 測試設備 (32)3.3.2 二極管測試方法及案例分析 (34)3.3.3 三極管測試方法及案例分析 (39)3.3.4 功率mos的測試方法及案例分析 (42)3.4 集成電路測試 (46)3.4.1 自動測試設備 (46)3.4.2 端口測試技術 (47)3.4.3 靜電和閂鎖測試 (49)3.4.4 iddq測試 (51)3.4.5 復雜集成電路的電測試及定位技術 (52)參考文獻 (53)第4章 顯微形貌分析技術 (54)4.1 光學顯微觀察及光學顯微鏡 (54)4.1.1 工作原理 (54)4.1.2 主要性能指標 (55)4.1.3 用途 (56)4.1.4 應用案例 (56)4.2 掃描電子顯微鏡 (57)4.2.1 工作原理 (57)4.2.2 主要性能指標 (59)4.2.3 用途 (60)4.2.4 應用案例 (60)4.3 透射電子顯微鏡 (61)4.3.1 工作原理 (61)4.3.2 主要性能指標 (62)4.3.3 用途 (63)4.3.4 應用案例 (64)4.4 原子力顯微鏡 (65)4.4.1 工作原理 (65)4.4.2 主要性能指標 (66)4.4.3 用途 (66)4.4.4 應用案例 (67)參考文獻 (68)第5章 顯微結構分析技術 (70)5.1 概述 (70)5.2 x射線顯微透視技術 (70)5.2.1 原理 (70)5.2.2 儀器設備 (78)5.2.3 分析結果 (79)5.2.4 應用案例 (80)5.3 掃描聲學顯微技術 (84)5.3.1 原理 (84)5.3.2 儀器設備 (90)5.3.3 分析結果 (90)5.3.4 應用案例 (91)參考文獻 (92)第6章 物理性能探測技術 (94)6.1 光探測技術 (94)6.1.1 工作原理 (94)6.1.2 主要性能指標 (96)6.1.3 用途 (96)6.1.4 應用案例 (97)6.2 電子束探測技術 (99)6.2.1 工作原理 (99)6.2.2 主要性能指標 (101)6.2.3 用途 (101)6.2.4 應用案例 (101)6.3 磁顯微缺陷定位技術 (102)6.3.1 工作原理 (102)6.3.2 主要性能指標 (105)6.3.3 用途 (106)6.3.4 應用案例 (106)6.4 顯微紅外熱像探測技術 (108)6.4.1 工作原理 (108)6.4.2 主要性能指標 (111)6.4.3 用途 (111)6.4.4 應用案例 (111)參考文獻 (113)第7章 微區成分分析技術 (114)7.1 概述 (114)7.2 俄歇電子能譜儀 (114)7.2.1 原理 (114)7.2.2 設備和主要指標 (115)7.2.3 用途 (117)7.2.4 應用案例 (120)7.3 二次離子質譜儀 (121)7.3.1 原理 (121)7.3.2 設備和主要指標 (123)7.3.3 用途 (125)7.3.4 應用案例 (126)7.4 x射線光電子能譜分析儀 (128)7.4.1 原理 (128)7.4.2 設備和主要指標 (129)7.4.3 用途 (131)7.4.4 應用案例 (132)7.5 傅里葉紅外光譜儀 (133)7.5.1 原理 (133)7.5.2 設備和主要指標 (135)7.5.3 用途 (138)7.5.4 應用案例 (142)7.6 內部氣氛分析儀 (142)7.6.1 原理 (142)7.6.2 設備和主要指標 (143)7.6.3 用途 (146)7.6.4 應用案例 (146)參考文獻 (147)第8章 應力試驗技術 (148)8.1 應力影響分析及試驗基本原則 (148)8.2 溫度應力試驗 (150)8.2.1 高溫應力試驗 (150)8.2.2 低溫應力試驗 (151)8.2.3 溫度變化應力試驗 (152)8.3 溫度-濕度應力試驗 (152)8.3.1 穩態濕熱應力試驗 (152)8.3.2 交變濕熱應力試驗 (153)8.3.3 潮濕敏感性試驗 (154)8.3.4 應用案例 (154)8.4 電學激勵試驗 (155)8.5 振動沖擊試驗 (157)8.6 腐蝕性氣體試驗 (159)參考文獻 (160)第9章 解剖制樣技術 (161)9.1 概述 (161)9.2 開封技術 (162)9.2.1 機械開封 (162)9.2.2 化學開封 (163)9.2.3 激光開封 (165)9.3 芯片剝層技術 (167)9.3.1 去鈍化層技術 (167)9.3.2 去金屬化層技術 (169)9.4 剖面制樣技術 (170)9.4.1 金相切片 (170)9.4.2 聚焦離子束剖面制樣技術 (171)9.5 局部電路修改驗證技術 (173)9.6 芯片減薄技術 (174)參考文獻 (176)第三篇 電子元器件失效分析方法和程序第10章 通用元件的失效分析方法和程序 (180)10.1 電阻器失效分析方法和程序 (180)10.1.1 工藝及結構特點 (180)10.1.2 失效模式和機理 (183)10.1.3 失效分析方法和程序 (186)10.1.4 失效分析案例 (189)10.2 電容器失效分析方法和程序 (190)10.2.1 工藝及結構特點 (191)10.2.2 失效模式和機理 (194)10.2.3 失效分析方法和程序 (195)10.2.4 失效分析案例 (199)10.3 電感器失效分析方法和程序 (201)10.3.1 工藝及結構特點 (201)10.3.2 失效模式和機理 (203)10.3.3 失效分析方法和程序 (203)10.3.4 失效分析案例 (204)參考文獻 (205)第11章 機電元件的失效分析方法和程序 (206)11.1 電連接器失效分析方法和程序 (206)11.1.1 工藝及結構特點 (206)11.1.2 失效模式和機理 (209)11.1.3 失效分析方法和程序 (214)11.1.4 失效分析案例 (215)11.2 繼電器的失效分析 (222)11.2.1 工藝及結構