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硅技術的發展和未來 版權信息
- ISBN：9787502445362
- 條形碼：9787502445362 ; 978-7-5024-4536-2
- 裝幀：暫無
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
硅技術的發展和未來 內容簡介
本書涵蓋了半導體硅及硅基材料、多晶硅和光伏技術、硅外延和薄膜、硅摻雜、器件、化合物半導體、品格缺陷、雜質影響等多方面的內容，并涉及量子計算機、碳納米管在微電子中的應用、情境智能系統、大腦半導體等諸多新概念；系統總結了世界半導體硅材料的發展歷史、研究現狀，并指出了今后的發展方向。其內容廣泛，數據詳實，可作為高等院校、科研院所和相關單位從事半導體材料學習、科研和開發人員的參考用書。
硅技術的發展和未來 目錄
1 導論：各種形式的硅
1.1 引言
1.2 從20世紀60年代到70年代初：能帶
1.3 20世紀70年代：應用于硅的表面理論
1.4 20世紀80年代：硅的結構能
1.5 20世紀90年代：硅團簇與量子點的結構和電子性質
1.6 未來展望
參考文獻
**部分 半導體體硅晶體
2 硅：半導體材料
2.1 引言
2.2 早期歷史
2.3 硅研究中的競爭與合作
2.4 *初的器件應用
2.5 mos技術和集成
2.6 結論
參考文獻
3 硅：一個工業奇跡
3.1 引言
3.2 主要制程
3.3 硅材料生產工藝
參考文獻
第二部分 多晶硅
4 電子器件用多晶硅薄膜
4.1 引言
4.2 多晶硅薄膜分類
4.3 多晶硅生長和微晶結構
4.3.1 cvd多晶硅
4.3.2 非晶硅晶化的多晶硅
4.3.3 cvd多晶硅晶界化學
4.3.4 多晶硅的摻雜
4.4 多晶硅的電性能
4.5 結論
參考文獻
5 光伏用硅
5.1 引言
5.2 光伏用硅材料
5.2.1 不同生產工藝的歷史與現狀
5.2.2 薄膜沉積工藝
5.3 光伏硅的輸運特性
5.3.1 缺陷及雜質對硅輸運性質的影響
5.3 .2吸除改善材料性能
5.4 硅太陽電池
5.4.1 硅太陽電池技術與其他技術的比較
5.4.2 多晶硅太陽電池技術
5.5 結論
參考文獻
第三部分 外延，薄膜和多孔層
6 分子束外延薄膜
6.1 設備原理和生長機理
6.2 歷史概述；
6.3 應變異質結構的穩定性
6.3.1 應變層的臨界厚度
6.3.2 亞穩態膺晶生長
6.3.3 器件結構的加工和退火
6.4 硅mbe生長膜中摻雜劑的分布
6.4.1 摻雜問題
6.4.2 突變和δ型摻雜分布
6.5 半導體器件研究
6.5.1 異質結雙極晶體管（hbt）
6.5.2 sigemosfet和modfet
6.5.3 垂直mosfet結構
6.6 若干研究重點介紹
6.6.1 級聯激光器
6.6.2 表面結構
6.6.3 自組織和有序化
6.7 結論
參考文獻
7 氫化非晶硅（a-si：h）
7.1 引言
7.2 a-si的制備和結構性質
7.3 a-si：h的電學性質
7.4 光致發光和光電導
7.5 亞穩態
7.6 a-si太陽電池
參考文獻
第四部分 品格缺陷
第五部分 硅摻雜
第六部分 某些雜質的作用
第七部分 器件
第八部分 對硅的補充：化合物半導體
第九部分 新的研究領域
list of contribrtors
1.1 引言
1.2 從20世紀60年代到70年代初：能帶
1.3 20世紀70年代：應用于硅的表面理論
1.4 20世紀80年代：硅的結構能
1.5 20世紀90年代：硅團簇與量子點的結構和電子性質
1.6 未來展望
參考文獻
**部分 半導體體硅晶體
2 硅：半導體材料
2.1 引言
2.2 早期歷史
2.3 硅研究中的競爭與合作
2.4 *初的器件應用
2.5 mos技術和集成
2.6 結論
參考文獻
3 硅：一個工業奇跡
3.1 引言
3.2 主要制程
3.3 硅材料生產工藝
參考文獻
第二部分 多晶硅
4 電子器件用多晶硅薄膜
4.1 引言
4.2 多晶硅薄膜分類
4.3 多晶硅生長和微晶結構
4.3.1 cvd多晶硅
4.3.2 非晶硅晶化的多晶硅
4.3.3 cvd多晶硅晶界化學
4.3.4 多晶硅的摻雜
4.4 多晶硅的電性能
4.5 結論
參考文獻
5 光伏用硅
5.1 引言
5.2 光伏用硅材料
5.2.1 不同生產工藝的歷史與現狀
5.2.2 薄膜沉積工藝
5.3 光伏硅的輸運特性
5.3.1 缺陷及雜質對硅輸運性質的影響
5.3 .2吸除改善材料性能
5.4 硅太陽電池
5.4.1 硅太陽電池技術與其他技術的比較
5.4.2 多晶硅太陽電池技術
5.5 結論
參考文獻
第三部分 外延，薄膜和多孔層
6 分子束外延薄膜
6.1 設備原理和生長機理
6.2 歷史概述；
6.3 應變異質結構的穩定性
6.3.1 應變層的臨界厚度
6.3.2 亞穩態膺晶生長
6.3.3 器件結構的加工和退火
6.4 硅mbe生長膜中摻雜劑的分布
6.4.1 摻雜問題
6.4.2 突變和δ型摻雜分布
6.5 半導體器件研究
6.5.1 異質結雙極晶體管（hbt）
6.5.2 sigemosfet和modfet
6.5.3 垂直mosfet結構
6.6 若干研究重點介紹
6.6.1 級聯激光器
6.6.2 表面結構
6.6.3 自組織和有序化
6.7 結論
參考文獻
7 氫化非晶硅（a-si：h）
7.1 引言
7.2 a-si的制備和結構性質
7.3 a-si：h的電學性質
7.4 光致發光和光電導
7.5 亞穩態
7.6 a-si太陽電池
參考文獻
第四部分 品格缺陷
第五部分 硅摻雜
第六部分 某些雜質的作用
第七部分 器件
第八部分 對硅的補充：化合物半導體
第九部分 新的研究領域
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硅技術的發展和未來 節選
《硅技術的發展和未來》涵蓋了半導體硅及硅基材料、多晶硅和光伏技術、硅外延和薄膜、硅摻雜、器件、化合物半導體、品格缺陷、雜質影響等多方面的內容，并涉及量子計算機、碳納米管在微電子中的應用、情境智能系統、大腦半導體等諸多新概念；系統總結了世界半導體硅材料的發展歷史、研究現狀，并指出了今后的發展方向。其內容廣泛，數據詳實，可作為高等院校、科研院所和相關單位從事半導體材料學習、科研和開發人員的參考用書。
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