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硅技術(shù)的發(fā)展和未來(lái) 版權(quán)信息
- ISBN：9787502445362
- 條形碼：9787502445362 ; 978-7-5024-4536-2
- 裝幀：暫無(wú)
- 冊(cè)數(shù)：暫無(wú)
- 重量：暫無(wú)
- 所屬分類：>>
硅技術(shù)的發(fā)展和未來(lái) 內(nèi)容簡(jiǎn)介
本書(shū)涵蓋了半導(dǎo)體硅及硅基材料、多晶硅和光伏技術(shù)、硅外延和薄膜、硅摻雜、器件、化合物半導(dǎo)體、品格缺陷、雜質(zhì)影響等多方面的內(nèi)容，并涉及量子計(jì)算機(jī)、碳納米管在微電子中的應(yīng)用、情境智能系統(tǒng)、大腦半導(dǎo)體等諸多新概念；系統(tǒng)總結(jié)了世界半導(dǎo)體硅材料的發(fā)展歷史、研究現(xiàn)狀，并指出了今后的發(fā)展方向。其內(nèi)容廣泛，數(shù)據(jù)詳實(shí)，可作為高等院校、科研院所和相關(guān)單位從事半導(dǎo)體材料學(xué)習(xí)、科研和開(kāi)發(fā)人員的參考用書(shū)。
硅技術(shù)的發(fā)展和未來(lái) 目錄
1 導(dǎo)論：各種形式的硅
1.1 引言
1.2 從20世紀(jì)60年代到70年代初：能帶
1.3 20世紀(jì)70年代：應(yīng)用于硅的表面理論
1.4 20世紀(jì)80年代：硅的結(jié)構(gòu)能
1.5 20世紀(jì)90年代：硅團(tuán)簇與量子點(diǎn)的結(jié)構(gòu)和電子性質(zhì)
1.6 未來(lái)展望
參考文獻(xiàn)
**部分 半導(dǎo)體體硅晶體
2 硅：半導(dǎo)體材料
2.1 引言
2.2 早期歷史
2.3 硅研究中的競(jìng)爭(zhēng)與合作
2.4 *初的器件應(yīng)用
2.5 mos技術(shù)和集成
2.6 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
3 硅：一個(gè)工業(yè)奇跡
3.1 引言
3.2 主要制程
3.3 硅材料生產(chǎn)工藝
參考文獻(xiàn)
第二部分 多晶硅
4 電子器件用多晶硅薄膜
4.1 引言
4.2 多晶硅薄膜分類
4.3 多晶硅生長(zhǎng)和微晶結(jié)構(gòu)
4.3.1 cvd多晶硅
4.3.2 非晶硅晶化的多晶硅
4.3.3 cvd多晶硅晶界化學(xué)
4.3.4 多晶硅的摻雜
4.4 多晶硅的電性能
4.5 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
5 光伏用硅
5.1 引言
5.2 光伏用硅材料
5.2.1 不同生產(chǎn)工藝的歷史與現(xiàn)狀
5.2.2 薄膜沉積工藝
5.3 光伏硅的輸運(yùn)特性
5.3.1 缺陷及雜質(zhì)對(duì)硅輸運(yùn)性質(zhì)的影響
5.3 .2吸除改善材料性能
5.4 硅太陽(yáng)電池
5.4.1 硅太陽(yáng)電池技術(shù)與其他技術(shù)的比較
5.4.2 多晶硅太陽(yáng)電池技術(shù)
5.5 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
第三部分 外延，薄膜和多孔層
6 分子束外延薄膜
6.1 設(shè)備原理和生長(zhǎng)機(jī)理
6.2 歷史概述；
6.3 應(yīng)變異質(zhì)結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性
6.3.1 應(yīng)變層的臨界厚度
6.3.2 亞穩(wěn)態(tài)膺晶生長(zhǎng)
6.3.3 器件結(jié)構(gòu)的加工和退火
6.4 硅mbe生長(zhǎng)膜中摻雜劑的分布
6.4.1 摻雜問(wèn)題
6.4.2 突變和δ型摻雜分布
6.5 半導(dǎo)體器件研究
6.5.1 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（hbt）
6.5.2 sigemosfet和modfet
6.5.3 垂直mosfet結(jié)構(gòu)
6.6 若干研究重點(diǎn)介紹
6.6.1 級(jí)聯(lián)激光器
6.6.2 表面結(jié)構(gòu)
6.6.3 自組織和有序化
6.7 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
7 氫化非晶硅（a-si：h）
7.1 引言
7.2 a-si的制備和結(jié)構(gòu)性質(zhì)
7.3 a-si：h的電學(xué)性質(zhì)
7.4 光致發(fā)光和光電導(dǎo)
7.5 亞穩(wěn)態(tài)
7.6 a-si太陽(yáng)電池
參考文獻(xiàn)
第四部分 品格缺陷
第五部分 硅摻雜
第六部分 某些雜質(zhì)的作用
第七部分 器件
第八部分 對(duì)硅的補(bǔ)充：化合物半導(dǎo)體
第九部分 新的研究領(lǐng)域
list of contribrtors
1.1 引言
1.2 從20世紀(jì)60年代到70年代初：能帶
1.3 20世紀(jì)70年代：應(yīng)用于硅的表面理論
1.4 20世紀(jì)80年代：硅的結(jié)構(gòu)能
1.5 20世紀(jì)90年代：硅團(tuán)簇與量子點(diǎn)的結(jié)構(gòu)和電子性質(zhì)
1.6 未來(lái)展望
參考文獻(xiàn)
**部分 半導(dǎo)體體硅晶體
2 硅：半導(dǎo)體材料
2.1 引言
2.2 早期歷史
2.3 硅研究中的競(jìng)爭(zhēng)與合作
2.4 *初的器件應(yīng)用
2.5 mos技術(shù)和集成
2.6 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
3 硅：一個(gè)工業(yè)奇跡
3.1 引言
3.2 主要制程
3.3 硅材料生產(chǎn)工藝
參考文獻(xiàn)
第二部分 多晶硅
4 電子器件用多晶硅薄膜
4.1 引言
4.2 多晶硅薄膜分類
4.3 多晶硅生長(zhǎng)和微晶結(jié)構(gòu)
4.3.1 cvd多晶硅
4.3.2 非晶硅晶化的多晶硅
4.3.3 cvd多晶硅晶界化學(xué)
4.3.4 多晶硅的摻雜
4.4 多晶硅的電性能
4.5 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
5 光伏用硅
5.1 引言
5.2 光伏用硅材料
5.2.1 不同生產(chǎn)工藝的歷史與現(xiàn)狀
5.2.2 薄膜沉積工藝
5.3 光伏硅的輸運(yùn)特性
5.3.1 缺陷及雜質(zhì)對(duì)硅輸運(yùn)性質(zhì)的影響
5.3 .2吸除改善材料性能
5.4 硅太陽(yáng)電池
5.4.1 硅太陽(yáng)電池技術(shù)與其他技術(shù)的比較
5.4.2 多晶硅太陽(yáng)電池技術(shù)
5.5 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
第三部分 外延，薄膜和多孔層
6 分子束外延薄膜
6.1 設(shè)備原理和生長(zhǎng)機(jī)理
6.2 歷史概述；
6.3 應(yīng)變異質(zhì)結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性
6.3.1 應(yīng)變層的臨界厚度
6.3.2 亞穩(wěn)態(tài)膺晶生長(zhǎng)
6.3.3 器件結(jié)構(gòu)的加工和退火
6.4 硅mbe生長(zhǎng)膜中摻雜劑的分布
6.4.1 摻雜問(wèn)題
6.4.2 突變和δ型摻雜分布
6.5 半導(dǎo)體器件研究
6.5.1 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（hbt）
6.5.2 sigemosfet和modfet
6.5.3 垂直mosfet結(jié)構(gòu)
6.6 若干研究重點(diǎn)介紹
6.6.1 級(jí)聯(lián)激光器
6.6.2 表面結(jié)構(gòu)
6.6.3 自組織和有序化
6.7 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
7 氫化非晶硅（a-si：h）
7.1 引言
7.2 a-si的制備和結(jié)構(gòu)性質(zhì)
7.3 a-si：h的電學(xué)性質(zhì)
7.4 光致發(fā)光和光電導(dǎo)
7.5 亞穩(wěn)態(tài)
7.6 a-si太陽(yáng)電池
參考文獻(xiàn)
第四部分 品格缺陷
第五部分 硅摻雜
第六部分 某些雜質(zhì)的作用
第七部分 器件
第八部分 對(duì)硅的補(bǔ)充：化合物半導(dǎo)體
第九部分 新的研究領(lǐng)域
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硅技術(shù)的發(fā)展和未來(lái) 節(jié)選
《硅技術(shù)的發(fā)展和未來(lái)》涵蓋了半導(dǎo)體硅及硅基材料、多晶硅和光伏技術(shù)、硅外延和薄膜、硅摻雜、器件、化合物半導(dǎo)體、品格缺陷、雜質(zhì)影響等多方面的內(nèi)容，并涉及量子計(jì)算機(jī)、碳納米管在微電子中的應(yīng)用、情境智能系統(tǒng)、大腦半導(dǎo)體等諸多新概念；系統(tǒng)總結(jié)了世界半導(dǎo)體硅材料的發(fā)展歷史、研究現(xiàn)狀，并指出了今后的發(fā)展方向。其內(nèi)容廣泛，數(shù)據(jù)詳實(shí)，可作為高等院校、科研院所和相關(guān)單位從事半導(dǎo)體材料學(xué)習(xí)、科研和開(kāi)發(fā)人員的參考用書(shū)。
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