第1章　緒論 1

1.1　單片智能功率芯片與厚膜SOI工藝　1

1.1.1　單片智能功率芯片　1

1.1.2　厚膜SOI工藝　2

1.1.3　LIGBT器件及其應(yīng)用需求　3

1.2　高壓厚膜SOI-LIGBT器件的研究現(xiàn)狀　6

1.2.1　互連線技術(shù)　6

1.2.2　電流密度提升技術(shù)　7

1.2.3　短路魯棒性　8

1.2.4　關(guān)斷魯棒性　10

1.2.5　快速關(guān)斷技術(shù)　11

1.3　本書內(nèi)容　12

參考文獻(xiàn)　13

第2章　高壓厚膜SOI-LIGBT器件的基本原理　20

2.1　耐壓原理　20

2.2　導(dǎo)通原理　22

2.3　關(guān)斷原理　24

2.3.1　開(kāi)關(guān)波形　24

2.3.2　關(guān)斷的物理過(guò)程　26

2.4　短路過(guò)程與失效機(jī)理　27

參考文獻(xiàn)　32

第3章　高壓厚膜SOI-LIGBT器件的互連線技術(shù)　33

3.1　HVI導(dǎo)致?lián)舸╇妷合陆档臋C(jī)理　33

3.2　等深雙溝槽互連線技術(shù)　35

3.3　非等深雙溝槽互連線技術(shù)　41

3.4　本章小結(jié)　49

參考文獻(xiàn)　50

第4章高壓厚膜SOI-LIGBT器件的電流密度提升技術(shù)　51

4.1　電流密度與閂鎖電壓的折中關(guān)系　51

4.2　直角U型溝道技術(shù)　55

4.3　非直角U型溝道技術(shù)　60

4.4　本章小結(jié)　70

參考文獻(xiàn)　71

第5章高壓厚膜SOI-LIGBT器件的魯棒性　73

5.1　關(guān)斷魯棒性　73

5.1.1　多跑道并聯(lián)SOI-LIGBT器件的非一致性關(guān)斷特性　73

5.1.2　非一致性關(guān)斷行為的改進(jìn)　83

5.2　短路魯棒性　84

5.2.1　雙柵控制型器件及其短路能力　84

5.2.2　溝槽柵U型溝道器件的特性　89

5.2.3　平面柵與溝槽柵U型溝道器件的短路特性對(duì)比　94

5.3　開(kāi)啟電流過(guò)沖與di/dt控制技術(shù)　104

5.3.1　U型溝道SOI-LIGBT器件的di/dt可控性　104

5.3.2　預(yù)充電控制技術(shù)　106

5.4　擊穿電壓漂移現(xiàn)象　110

5.4.1　低溫動(dòng)態(tài)雪崩測(cè)試　111

5.4.2　動(dòng)態(tài)雪崩穩(wěn)定性機(jī)理　113

5.4.3　優(yōu)化策略討論　118

5.5　本章小結(jié)　122

參考文獻(xiàn)　122

第6章高壓厚膜SOI-LIGBT器件的快速關(guān)斷技術(shù)　127

6.1　漂移區(qū)深溝槽技術(shù)　127

6.1.1　漂移區(qū)雙溝槽器件及其關(guān)斷特性　127

6.1.2　漂移區(qū)三溝槽器件及其關(guān)斷特性　135

6.2　電壓波形平臺(tái)的產(chǎn)生機(jī)理與消除技術(shù)　144

6.2.1　電壓波形平臺(tái)的產(chǎn)生機(jī)理　145

6.2.2　電壓波形平臺(tái)的消除技術(shù)　148

6.3　復(fù)合集電極技術(shù)　156

6.3.1　復(fù)合集電極結(jié)構(gòu)與原理　157

6.3.2　復(fù)合集電極SOI-LIGBT器件的特性　160

6.4　橫向超結(jié)技術(shù)　165

6.4.1　橫向超結(jié)的排列方式　166

6.4.2　關(guān)斷過(guò)程電壓波形分析　168

6.4.3　橫向超結(jié)優(yōu)化策略　174

6.5　陽(yáng)極短路技術(shù)　178

6.5.1　結(jié)構(gòu)和工作機(jī)理　178

6.5.2　電學(xué)特性　183

6.6　本章小結(jié)　188

參考文獻(xiàn)　189

第7章高壓厚膜SOI-LIGBT器件工藝流程與版圖設(shè)計(jì)　193

7.1　工藝流程　193

7.2　版圖設(shè)計(jì)　196

7.2.1　直條區(qū)域　196

7.2.2　拐角區(qū)域與HVI　197

7.2.3　跑道和隔離溝槽　197

參考文獻(xiàn)　198

符號(hào)、變量注釋表　199

縮略語(yǔ)　201