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氮化鎵與碳化硅功率器件:基礎原理及應用全解 版權信息
- ISBN：9787122477545
- 條形碼：9787122477545 ; 978-7-122-47754-5
- 裝幀：平裝
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
氮化鎵與碳化硅功率器件:基礎原理及應用全解 內容簡介
本書是關于寬禁帶(WBG)半導體器件及其設計、應用等主題的綜合性參考書籍，能夠滿足讀者對基礎及前沿知識的需求。本書內容以實用性為出發點，闡釋了氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)半導體的原理、制造工藝、特性表征、市場現狀以及針對關鍵應用的設計方法。針對GaN器件，從材料特性、芯片設計、制造工藝和外特性各方面深入分析，重點介紹了仿真手段和各種典型應用，*后還介紹了目前主流的技術和GaN公司。針對SiC器件，主要介紹了芯片工藝、芯片技術、可靠性等，并對核心應用，如新能源汽車、儲能等方面進行了介紹。 本書既適合電力電子、微電子、功率器件設計與制造等領域的研究及技術人員閱讀，也可作為高等院校相關專業本科生和研究生的教學參考書。此外，也適合對半導體、電力電子等技術感興趣的管理者、投資者閱讀，以拓寬視野。
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