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NAND閃存技術 版權信息
- ISBN：9787111773481
- 條形碼：9787111773481 ; 978-7-111-77348-1
- 裝幀：平裝-膠訂
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
NAND閃存技術 本書特色
NAND閃存是半導體非易失性存儲器，其應用十分廣泛，主要用于智能手機、固態硬盤（SSD）、數據中心等領域，并且在平板電腦、U盤、數碼相機、MP3播放器、游戲機、汽車電子等各種消費電子和嵌入式設備中也有廣泛應用，隨著人工智能和DeepSeek等大模型的推動，對閃存的需求有望進一步爆發。本書作者是NAND閃存發明團隊的核心成員，擁有超過27年的閃存開發經驗，并且本書還得到了閃存之父Fujio Masuoka博士親自作序推薦。《NAND閃存技術》這本書討論了基本和先進的NAND閃存技術，包括NAND閃存的原理、存儲單元技術、多比特位單元技術、存儲單元的微縮挑戰、可靠性和作為未來技術的3D單元。《NAND閃存技術》這本書不僅把NAND閃存技術從開始出現到發展成熟的過程梳理得很清楚，還深入分析了底層原理、*新的技術突破，以及未來的發展趨勢。不管是剛接觸NAND閃存技術的新手，還是在這個行業鉆研多年的資深人士，都能從這本書里學到新知識，得到新啟發。
NAND閃存技術 內容簡介
《NAND閃存技術》討論了基本和先進的NAND閃存技術，包括NAND閃存的原理、存儲單元技術、多比特位單元技術、存儲單元的微縮挑戰、可靠性和作為未來技術的3D單元。第1章描述了NAND閃存的背景和早期歷史。第2章描述了器件的基本結構和操作。接下來，第3章討論了以微縮為重點的存儲單元技術，并且第4章介紹了多電平存儲單元的先進操作。第5章討論了微縮的物理限制。第6章描述了NAND閃存的可靠性。第7章研究了3D NAND閃存單元，并討論了結構、工藝、操作、可擴展性和性能方面的優缺點。第8章討論了3D NAND閃存面臨的挑戰。*后，第9章總結并描述了未來NAND閃存的技術和市場前景。 《NAND閃存技術》適合從事NAND閃存或SSD（固態硬盤）和閃存系統開發的工程師、研究人員和設計人員閱讀，也可供高等院校集成電路、微電子、電子技術等專業的師生參考。
NAND閃存技術NAND閃存技術 前言
原書前言
NAND閃存成為標準的半導體非易失性存儲器。世界上每個人都在許多應用中廣泛使用NAND閃存，例如數碼相機、USB驅動器、MP3音樂播放器、智能手機和平板電腦。云數據服務器開始使用基于NAND閃存的SSD（固態硬盤）。*近，為了降低比特位成本，3D NAND閃存被開發出來并開始量產。利用3D NAND閃存，集中開發高性能、低功耗的先進SSD，避免了對生態環境的破壞。
隨著NAND閃存產量的增加，從事NAND閃存開發和生產的工程師也在增加。許多從事存儲設備工作的人也加入了NAND閃存行業。《NAND閃存技術》這本書旨在為NAND閃存開發工程師、NAND閃存用戶、產品工程師、應用工程師、營銷經理、技術經理、開發和生產SSD的工程師、其他與NAND閃存相關的存儲設備（如數據服務器等）的工程師等提供NAND閃存技術的詳細見解。
《NAND閃存技術》也適合新的工程師和研究生快速學習和熟悉NAND閃存技術。我希望《NAND閃存技術》這本書能夠鼓勵新來者為未來的NAND閃存技術和產品做出貢獻。
NAND閃存技術 目錄
目 錄
譯者序
原書序
原書前言
致謝
作者簡介
第1章 引言1
1.1 背景1
1.2 概述6
參考文獻8
第2章 NAND閃存原理14
2.1 NAND閃存器件與結構14
2.1.1 NAND閃存單元結構14
2.1.2 外圍器件16
2.2 單元操作17
2.2.1 讀操作17
2.2.2 編程和擦除操作18
2.2.3 編程和擦除的動力學過程23
2.2.4 編程升壓操作26
2.3 多電平單元（MLC）28
2.3.1 單元閾值電壓設置28
參考文獻29
第3章 NAND閃存器件31
3.1 引言31
3.2 LOCOS單元33
3.2.1 常規LOCOS單元33
3.2.2 先進LOCOS單元34
3.2.3 隔離技術35
3.2.4 可靠性38
3.3 帶浮柵翼的自對準STI單元40
3.3.1 自對準STI單元結構40
3.3.2 制備工藝流程40
3.3.3 帶浮柵翼的自對準STI單元的特性44
3.3.4 外圍器件特性47
3.4 無浮柵翼的自對準STI單元49
3.4.1 自對準STI單元結構49
3.4.2 制備工藝流程51
3.4.3 STI技術52
3.4.4 自對準STI單元的特性53
3.5 平面浮柵單元55
3.5.1 結構優勢55
3.5.2 電學特性56
3.6 側壁傳輸晶體管（SWATT）單元58
3.6.1 SWATT單元概念58
3.6.2 制備工藝60
3.6.3 電學特性62
3.7 NAND閃存的先進技術65
3.7.1 虛擬字線65
3.7.2 p型浮柵69
參考文獻75
第4章 多電平單元的先進操作79
4.1 引言79
4.2 緊湊Vth分布寬度的編程操作79
4.2.1 單元Vth設置79
4.2.2 增量步進脈沖編程（ISPP）81
4.2.3 逐位驗證操作83
4.2.4 兩步驗證方案84
4.2.5 頁編程中的偽通過方案86
4.3 頁編程序列88
4.3.1 原始頁編程方案88
4.3.2 新的頁編程方案（一）90
4.3.3 新的頁編程方案（二）92
4.3.4 全位線（ABL）架構93
4.4 TLC（3比特位/單元）95
4.5 QLC（4比特位/單元）99
4.6 三電平（1.5比特位/單元）NAND閃存101
4.7 移動讀算法103
參考文獻104
第5章 NAND閃存單元微縮面臨的挑戰109
5.1 引言109
5.2 讀窗口裕度（RWM）110
5.2.1 RWM的假設條件110
5.2.2 編程態Vth分布寬度114
5.2.3 Vth窗口116
5.2.4 RWM118
5.2.5 RWM中Vth設置的依賴性118
5.3 浮柵電容耦合干擾119
5.3.1 浮柵電容耦合干擾模型120
5.3.2 溝道直接耦合122
5.3.3 源漏耦合124
5.3.4 空氣隙和低k材料126
5.4 編程電子注入展寬（EIS）129
5.4.1 編程EIS理論129
5.4.2 浮柵低摻雜效應133
5.5 隨機電報信號噪聲（RTN）136
5.5.1 閃存單元中的RTN136
5.5.2 RTN的微縮趨勢139
5.6 單元結構挑戰143
5.7 高場限制144
5.8 少電子現象147
5.9 光刻工藝限制149
5.10 變化性效應151
5.11 微縮對數據保持的影響153
5.12 小結155
參考文獻156
第6章 NAND閃存的可靠性163
6.1 引言163
6.2 編程/擦除循環耐久和數據保持165
6.2.1 編程/擦除方案165
6.2.2 編程/擦除循環耐久167
6.2.3 數據保持特性169
6.3 編程/擦除循環耐久和數據保持的特性分析175
6.3.1 編程/擦除循環退化175
6.3.2 應力誘導漏電流（SILC）180
6.3.3 NAND閃存產品中的數據保持183
6.3.4 分散式循環測試185
6.4 讀干擾187
6.4.1 編程/擦除方案的依賴性187
6.4.2 脫阱和SILC191
6.4.3 NAND閃存產品中的讀干擾194
6.4.4 讀干擾中的熱載流子注入機制196
6.5 編程干擾198
6.5.1 自升壓模型198
6.5.2 熱載流子注入機制202
6.5.3 溝道耦合206
6.6 不穩定的過度編程208
6.7 閾值電壓的負向偏移現象211
6.7.1 背景和實驗211
6.7.2 閾值電壓負向偏移212
6.7.3 編程速度和受害單元的閾值電壓依賴性213
6.7.4 編程條件下的載流子分離217
6.7.5 模型219
6.8 小結220
參考文獻222
第7章 3D NAND閃存單元229
7.1 背景229
7.2 BiCS/P-BiCS231
7.2.1 BiCS的概念231
7.2.2 BiCS制備工藝流程233
7.2.3 電學特性234
7.2.4 管形BiCS239
7.3 TCAT/V-NAND243
7.3.1 TCAT結構和制備工藝流程243
7.3.2 電學特性246
7.3.3 128Gbit MLC NAND閃存247
7.3.4 128Gbit TLC V-NAND閃存249
7.4 SMArT251
7.4.1 SMArT結構的先進性251
7.4.2 電學特性253
7.5 VG-NAND254
7.5.1 VG-NAND的結構和制備工藝流程254
7.5.2 電學特性256
7.6 DC-SF單元259
7.6.1 電荷陷阱型3D單元的問題259
7.6.2 DC-SF NAND閃存單元259
7.6.3 結果和討論264
7.6.4 微縮能力266
7.7 先進DC-SF單元267
7.7.1 DC-SF單元上的改進267
7.7.2 MCGL工藝268
7.7.3 新的讀方案268
7.7.4 新的編程方案274
7.7.5 可靠性276
參考文獻277
第8章 3D NAND閃存面臨的挑戰282
8.1 引言282
8.2 3D NAND單元的比較283
8.3 數據保持286
8.3.1 快速初始電荷損失286
8.3.2 溫度依賴性288
8.4 編程干擾289
8.4.1 新的編程干擾模式289
8.4.2 編程干擾的分析290
8.5 字線RC延遲295
8.6 單元電路波動297
8.6.1 傳導機理297
8.6.2 VG依賴性301
8.6.3 RTN303
8.6.4 “通心粉”溝道的背端陷阱305
8.6.5 激光熱退火309
8.7 堆疊單元數量310
8.8 陣列下外圍電路312
8.9 功耗314
8.10 3D NA
展開全部
NAND閃存技術 作者簡介
Seiichi Aritome從2009年到2014年擔任韓國利川市SK海力士公司的高級研究員。他在多個國家的多家公司為NAND閃存技術做出了超過27年的貢獻。他曾在中國臺灣省的力晶半導體公司擔任項目主管，在美國愛達荷州的美光科技公司擔任高級工藝可靠性工程師，在日本川崎市的東芝公司擔任首席專家。他畢業于日本廣島大學高等物質科學研究生院，獲博士學位。他是IEEE會士（Fellow） 和IEEE電子器件學會（ Electron Device Society）的成員。
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