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集成電路制造工藝與工程應(yīng)用 版權(quán)信息
- ISBN：9787111764625
- 條形碼：9787111764625 ; 978-7-111-76462-5
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊(cè)數(shù)：暫無(wú)
- 重量：暫無(wú)
- 所屬分類(lèi)：>
集成電路制造工藝與工程應(yīng)用 本書(shū)特色
在審讀溫德通老師的《集成電路制造工藝與工程應(yīng)用》一書(shū)的首版時(shí)，我對(duì)于他親自繪制的數(shù)百幅工藝流程圖印象深刻，并且深感佩服，這些圖片在目前講述集成電路工藝的教材中是看不到的，這也是我決定這本書(shū)一定要采用彩色印刷的原因。而且教材往往囿于知識(shí)體系的完整，不可能將具體的工藝流程如此詳細(xì)地講解，而我們?cè)趯W(xué)習(xí)的時(shí)候，對(duì)于許多同類(lèi)書(shū)所敘述的工藝流程總是僅限于名詞的解釋和空洞的描述，而溫老師得益于他十多年在企業(yè)中的工作經(jīng)驗(yàn)，彌補(bǔ)了這些不足，為讀者奉上了這本佳作。 而此次的新版修訂，作者與時(shí)俱進(jìn)，增加了大量新工藝的流程3D彩圖，并且對(duì)原版書(shū)的大量圖片進(jìn)行了重繪，并且配備了PPT和視頻課程，方便讀者閱讀和學(xué)習(xí)，增加了這么多新內(nèi)容，而且距離第1版的出版已經(jīng)過(guò)去了6年，但是作者依然強(qiáng)烈要求不能漲價(jià)，因此新版依然維持了和第1版相同的價(jià)格。 作為同是微電子學(xué)專(zhuān)業(yè)的我，深知這樣的書(shū)在編寫(xiě)上的難度，以及找尋愿意去寫(xiě)這樣的書(shū)的作者有多難。本書(shū)的出現(xiàn)，相信一定會(huì)為集成電路領(lǐng)域做出很大的貢獻(xiàn)！這個(gè)領(lǐng)域雖然小眾，但是對(duì)于和傳統(tǒng)教科書(shū)有所區(qū)別，具有鮮明特點(diǎn)和針對(duì)性的圖書(shū)的需求，我一直相信是有的，而且很大。 在編寫(xiě)時(shí)，溫老師數(shù)易其稿，并且力求簡(jiǎn)明和清晰，這不是一本大而全的教科書(shū)，但卻是工藝方面難能可貴的參考資料，希望能收到各位半導(dǎo)體集成電路從業(yè)者的喜愛(ài)。正如溫老師在扉頁(yè)中所寫(xiě)的那句話(huà)一樣：謹(jǐn)以此書(shū)，獻(xiàn)給所有熱愛(ài)半導(dǎo)體行業(yè)的朋友！
集成電路制造工藝與工程應(yīng)用 內(nèi)容簡(jiǎn)介
《集成電路制造工藝與工程應(yīng)用 第2版》在第1版的基礎(chǔ)上新增了大量新工藝彩圖，配備了PPT課件和17小時(shí)的課程視頻。 《集成電路制造工藝與工程應(yīng)用 第2版》以實(shí)際應(yīng)用為出發(fā)點(diǎn)，抓住目前半導(dǎo)體工藝的工藝技術(shù)逐一進(jìn)行介紹，例如應(yīng)變硅技術(shù)、HKMG技術(shù)、SOI技術(shù)和FinFET技術(shù)。然后從工藝整合的角度，通過(guò)圖文對(duì)照的形式對(duì)典型工藝進(jìn)行介紹，例如隔離技術(shù)的發(fā)展、硬掩膜版工藝技術(shù)、LDD工藝技術(shù)、Salicide工藝技術(shù)、ESD IMP工藝技術(shù)、Al和Cu金屬互連，并將這些工藝技術(shù)應(yīng)用于實(shí)際工藝流程中，通過(guò)實(shí)例讓大家能快速地掌握具體工藝技術(shù)的實(shí)際應(yīng)用。本書(shū)旨在向從事半導(dǎo)體行業(yè)的朋友介紹半導(dǎo)體工藝技術(shù)，給業(yè)內(nèi)人士提供簡(jiǎn)單易懂并且與實(shí)際應(yīng)用相結(jié)合的參考書(shū)。本書(shū)也可供微電子學(xué)與集成電路專(zhuān)業(yè)的學(xué)生和教師閱讀參考。
集成電路制造工藝與工程應(yīng)用 目錄
第1章引言
1.1崛起的CMOS工藝制程技術(shù)
1.1.1雙極型工藝制程技術(shù)簡(jiǎn)介
1.1.2PMOS工藝制程技術(shù)簡(jiǎn)介
1.1.3NMOS工藝制程技術(shù)簡(jiǎn)介
1.1.4CMOS工藝制程技術(shù)簡(jiǎn)介
1.2特殊工藝制程技術(shù)
1.2.1BiCMOS工藝制程技術(shù)簡(jiǎn)介
1.2.2BCD工藝制程技術(shù)簡(jiǎn)介
1.2.3HV-CMOS工藝制程技術(shù)簡(jiǎn)介
1.3MOS集成電路的發(fā)展歷史
1.4MOS器件的發(fā)展和面臨的挑戰(zhàn)
參考文獻(xiàn)
第2章先進(jìn)工藝制程技術(shù)
2.1應(yīng)變硅工藝技術(shù)
2.1.1應(yīng)變硅技術(shù)的概況
2.1.2應(yīng)變硅技術(shù)的物理機(jī)理
2.1.3源漏嵌入SiC應(yīng)變技術(shù)
2.1.4源漏嵌入SiGe應(yīng)變技術(shù)
2.1.5應(yīng)力記憶技術(shù)
2.1.6接觸刻蝕阻擋層應(yīng)變技術(shù)
2.2HKMG工藝技術(shù)
2.2.1柵介質(zhì)層的發(fā)展和面臨的挑戰(zhàn)
2.2.2襯底量子效應(yīng)
2.2.3多晶硅柵耗盡效應(yīng)
2.2.4等效柵氧化層厚度
2.2.5柵直接隧穿漏電流
2.2.6高介電常數(shù)介質(zhì)層
2.2.7HKMG工藝技術(shù)
2.2.8金屬嵌入多晶硅柵工藝技術(shù)
2.2.9金屬替代柵極工藝技術(shù)
2.3SOI工藝技術(shù)
2.3.1SOS技術(shù)
2.3.2SOI技術(shù)
2.3.3PD-SOI
2.3.4FD-SOI
2.4FinFET和UTB-SOI工藝技術(shù)
2.4.1FinFET的發(fā)展概況
2.4.2FinFET和UTB-SOI的原理
2.4.3FinFET工藝技術(shù)
參考文獻(xiàn)
集成電路制造工藝與工程應(yīng)用第2版
目錄
第3章工藝集成
3.1隔離技術(shù)
3.1.1pn結(jié)隔離技術(shù)
3.1.2LOCOS（硅局部氧化）隔離技術(shù)
3.1.3STI（淺溝槽）隔離技術(shù)
3.1.4LOD效應(yīng)
3.2硬掩膜版（Hard Mask）工藝技術(shù)
3.2.1硬掩膜版工藝技術(shù)簡(jiǎn)介
3.2.2硬掩膜版工藝技術(shù)的工程應(yīng)用
3.3漏致勢(shì)壘降低效應(yīng)和溝道離子注入
3.3.1漏致勢(shì)壘降低效應(yīng)
3.3.2暈環(huán)離子注入
3.3.3淺源漏結(jié)深
3.3.4倒摻雜阱
3.3.5阱鄰近效應(yīng)
3.3.6反短溝道效應(yīng)
3.4熱載流子注入效應(yīng)與輕摻雜漏（LDD）工藝技術(shù)
3.4.1熱載流子注入效應(yīng)簡(jiǎn)介
3.4.2雙擴(kuò)散漏（DDD）和輕摻雜漏（LDD）工藝技術(shù)
3.4.3
側(cè)墻（Spacer Sidewall）工藝技術(shù)
3.4.4輕摻雜漏離子注入和
側(cè)墻工藝技術(shù)的工程應(yīng)用
3.5金屬硅化物技術(shù)
3.5.1Po
展開(kāi)全部
集成電路制造工藝與工程應(yīng)用 作者簡(jiǎn)介
溫德通，芯片設(shè)計(jì)工程師。畢業(yè)于西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院。曾就職于中芯 集成電路制造（上海）有限公司，負(fù)責(zé)工藝制程整合方面的工作；后加入晶門(mén)科技（深圳）有限公司，負(fù)責(zé)集成電路制造工藝、器件、設(shè)計(jì)規(guī)則、物理驗(yàn)證、閂鎖效應(yīng)和ESD電路設(shè)計(jì)等方面的工作；目前就職于一家 的芯片設(shè)計(jì)公司，負(fù)責(zé)集成電路制造工藝、器件、設(shè)計(jì)規(guī)則、物理驗(yàn)證、閂鎖效應(yīng)、IO電路設(shè)計(jì)和ESD設(shè)計(jì)等方面的工作。已出版圖書(shū)《集成電路制造工藝與工程應(yīng)用》和《CMOS集成電路門(mén)鎖效應(yīng)》。郵箱：wendetong@139.com
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