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半導體材料常用標準匯編 版權信息
- ISBN：9787502653828
- 條形碼：9787502653828 ; 978-7-5026-5382-8
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>
半導體材料常用標準匯編 內容簡介
本匯編匯集了截至2024年4月底發布的有關國家標準，共44項。 本匯編收集的國家標準的屬性已在目錄上標明（GB或GB/T），年代號用四位數字表示。鑒于部分國家標準或行業標準是在國家標準清理整頓前出版的，現尚未修訂，故正文部分仍保留原樣；讀者在使用這些標準時，其屬性以目錄上標明的為準（標準正文“引用標準”中標準的屬性請讀者注意查對）。
半導體材料常用標準匯編 目錄
GB/T 1551-2021 硅單品電陽率的測定 直排四探針法和直流兩探針法
GB/T 1557-2018 硅品體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法
GB/T 1558-2023 硅中代位碳含量的紅外吸收測試方法
GB/T 4058-2009 硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法
GB/T 4059-2018 硅多品氣氛區熔基磷檢驗方法
GB/T 4060-2018 硅多品真空區熔基剛檢驗方法
GB/T 4061-2009 硅多品斷面夾層化學腐蝕檢驗方法
GB/T 4326-2006 非本征半導體單品程爾遷移率和霍爾系數測量方法
GB/T 5252-2020 鍺單品位錯密度的測試方法
GB/T 5238-2019 鍺單晶和儲單晶片
GB/T 6616-2023 半導體晶片電阻率及半導體薄膜薄層電阻的測試 非接觸渦流法
GB/T 6617-2009 硅片電阻率測定 擴展電阻探針法
GB/T 6618-2009 硅片厚度和總厚度變化測試方法
GB/T 6619-2009 硅片彎曲度測試方法
GB/T 6620-2009 硅片翹曲度非接觸式測試方法
GB/T 6621-2009 硅片表面平整度測試方法
GB/T 6624-2009 硅拋光片表面質量目測檢驗方法
GB/T 8750-2022 半導體封裝用金基鍵合絲、帶
GB/T 14264-2009 半導體材料術語
GB/T 14844-2018 半導體材料牌號表示方法
GB/T 23513.1-2009 鍺精礦化學分析方法 第1部分：鍺量的測定 碘酸鉀滴定法
GB/T 23513.2-2009 鍺精礦化學分析方法 第2部分：砷量的測定 硫酸亞鐵銨滴定法
GB/T 23513.3-2009 鍺精礦化學分析方法 第3部分：硫量的測定 硫酸鋇重量法
GB/T 23513.4-2009 鍺精礦化學分析方法 第4部分：氟量的測定 離子選擇電極法
GB/T 23513.5-2009 鍺精礦化學分析方法 第5部分：二氧化硅量的測定 重量法
GB/T 26070-2010 化合物半導體拋光晶片亞表面損傷的反射差分譜測試方法
GB/T 29856-2013 半導體性單壁碳納米管的近紅外光致發光光譜表征方法
GB/T 26074-2010 鍺單晶電阻率直流四探針測量方法
GB/T 30866-2014 碳化硅單晶片直徑測試方法
GB/T 31469-2015 半導體材料切削液
GB/T 32278-2015 碳化硅單晶片平整度測試方法
GB/T 34481-2017 低位錯密度鍺單晶片腐蝕坑密度（EPD）的測量方法
GB/T 36646-2018 制備氮化物半導體材料用氫化物氣相外延設備
GB/T 37254-2018 高純碳化硅 微量元素的測定
GB/T 39867-2021 正電子發射斷層掃描儀用鍺酸鉍閃爍晶體
GB/T 41153-2021 碳化硅單晶中硼、鋁、氮雜質含量的測定 二次離子質譜法
GB/T 41765-2022 碳化硅單晶位錯密度的測試方法
GB/T 42271-2022 半絕緣碳化硅單晶的電阻率非接觸測試方法
GB/T 42518-2023 鍺酸鉍（BGO）晶體 痕量元素化學分析 輝光放電質譜法
GB/T 42676-2023 半導體單晶晶體質量的測試 X射線衍射法
GB/T 42902-2023 碳化硅外延片表面缺陷的測試 激光散射法
GB/T 42905-2023 碳化硅外延層厚度的測試 紅外反射法
GB/T 43313-2023 碳化硅拋光片表面質量和微管密度的測試 共焦點微分干涉法
GB/T 43612-2023 碳化硅晶體材料缺陷圖譜
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