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半導體材料 版權信息
- ISBN：9787121479731
- 條形碼：9787121479731 ; 978-7-121-47973-1
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
半導體材料 內容簡介
半導體材料是材料、信息、新能源的交叉學科，是信息、新能源(半導體照明、太陽能光伏)等高科技產業的材料基礎。 本書共15章，詳細介紹了半導體材料的基本概念、基本物理原理、制備原理和制備技術，重點介紹了半導體硅材料(包括高純多晶硅、區熔單晶硅、直拉單晶硅和硅薄膜半導體材料)的制備、結構和性質，闡述了化合物半導體(包括Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族、Ⅳ-Ⅳ族化合物半導體材料和氧化物半導體材料)的制備技術和基本性質，還闡述了有機半導體材料、半導體量子點(量子阱)等新型半導體材料的制備和性質。本書配套MOOC在線課程、習題參考答案等。
半導體材料 目錄
第1章 半導體材料概論 1
1.1 半導體材料的研究和發展歷史 2
1.2 半導體材料的基本性質 3
1.2.1 半導體材料的分類 4
1.2.2 半導體材料的基本電學特性 5
1.2.3 半導體材料的材料結構特性 7
1.3 半導體材料的應用和產業 8
1.3.1 半導體材料在微電子產業的應用 8
1.3.2 半導體材料在光電子產業的應用 10
1.3.3 半導體材料在太陽能光伏產業的應用 11
1.4 半導體材料的展望 12
習題1 13
第2章 半導體材料物理基礎 14
2.1 載流子和能帶 14
2.1.1 載流子和電導率 14
2.1.2 能帶結構 15
2.1.3 電子和空穴 18
2.2 雜質和缺陷能級 19
2.2.1 摻雜半導體材料 19
2.2.2 雜質能級 20
2.2.3 深能級 22
2.2.4 缺陷能級 23
2.3 熱平衡狀態下的載流子 23
2.3.1 載流子的狀態密度和統計分布 24
2.3.2 本征半導體的載流子濃度 27
2.3.3 摻雜半導體的載流子濃度和補償 28
2.4 非平衡少數載流子 30
2.4.1 非平衡載流子的產生、復合和壽命 30
2.4.2 非平衡載流子的擴散 32
2.4.3 非平衡載流子在電場下的漂移和擴散 33
2.5 PN結 35
2.5.1 PN結的制備 36
2.5.2 PN結的能帶結構 38
2.5.3 PN結的電流-電壓特性 39
2.6 金屬-半導體接觸和MIS結構 41
2.6.1 金屬-半導體接觸 41
2.6.2 歐姆接觸 43
2.6.3 MIS結構 44
習題2 45
參考文獻 45
第3章 半導體材料晶體生長原理 46
3.1 半導體晶體材料的生長方式 46
3.2 晶體生長的熱力學理論 47
3.2.1 晶體生長的自由能和驅動力 47
3.2.2 晶體生長的均勻成核 50
3.2.3 晶體生長的非均勻成核 52
3.3 晶體生長的動力學理論 54
3.3.1 晶體生長單原子層界面模型 54
3.3.2 晶體生長機制 56
3.4 晶體的外形控制 59
3.4.1 晶體外形和界面自由能的關系 59
3.4.2 晶體外形和晶體生長界面的關系 60
3.4.3 晶體外形和晶體生長方向的
展開全部
半導體材料 作者簡介
楊德仁，半導體材料學家，中國科學院院士。現任浙江大學硅及先進半導體材料全國重點實驗室主任、杭州國際科創中心首席科學家，并任浙大寧波理工學院校長，國家自然科學基金創新研究群體負責人；兼任中國可再生能源學會副理事長等， Elsevier旗下Micro and Nanostructures等雜志主編。長期從事半導體硅材料的研究，曾主持國家973、863、國家重大專項、國家自然科學基金重大、重點等項目，以第一獲獎人獲得國家自然科學二等獎2項，國家技術發明二等獎1項，何梁何利科學與技術進步獎。
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