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光刻技術(shù)(原著第二版) 版權(quán)信息
- ISBN：9787122451514
- 條形碼：9787122451514 ; 978-7-122-45151-4
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊(cè)數(shù)：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>
光刻技術(shù)(原著第二版) 本書特色
★★★★★ 原著作者林本堅(jiān)博士：浸沒式光刻之父、未來科學(xué)大獎(jiǎng)得主、臺(tái)積電前副總經(jīng)理★★★★★ 凝聚林本堅(jiān)博士在半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域的數(shù)十年大規(guī)模制造的經(jīng)驗(yàn)以及教學(xué)心得★★★★★ 一本書完全詳解集成電路光刻技術(shù)，涵蓋接近式、投影式、浸沒式、極紫外光刻
光刻技術(shù)(原著第二版) 內(nèi)容簡(jiǎn)介
本書詳細(xì)介紹了半導(dǎo)體芯片制造中的核心技術(shù)——光刻技術(shù)。主要內(nèi)容包括驅(qū)動(dòng)光學(xué)光刻的基本方程和參數(shù)的相關(guān)知識(shí)、曝光系統(tǒng)和成像基礎(chǔ)理論、光刻系統(tǒng)組件、工藝和優(yōu)化技術(shù)等；深入分析了光刻技術(shù)的發(fā)展前景，詳述了浸沒式光刻與極紫外（EUV）光刻。本書（第二版）特別融合了作者在研究、教學(xué)以及 大批量制造方面的獨(dú)特經(jīng)驗(yàn)，增加了關(guān)于接近式曝光方面的全新內(nèi)容，同時(shí) 新并擴(kuò)展了曝光系統(tǒng)、成像、曝光-離焦（E-D）法、硬件組件、工藝和優(yōu)化以及EUV光刻和浸沒式光刻等方面的資料。本書可供半導(dǎo)體光刻領(lǐng)域的工程師、管理者以及研究人員閱讀，還可作為高校微電子、光學(xué)工程、集成電路等相關(guān)學(xué)科的參考教材。
光刻技術(shù)(原著第二版) 目錄
第1章緒論1
1.1光刻在集成電路制造中的作用2
1.2光刻的目標(biāo)3
1.3光刻的度量標(biāo)準(zhǔn)4
1.4本書內(nèi)容介紹4
第2章接近式曝光6
2.1引言6
2.2接近式成像8
2.3各種衍射近似的有效區(qū)域12
2.4鄰近圖像17
2.5E-G圖22
2.6小結(jié)26
參考文獻(xiàn)26
第3章曝光系統(tǒng)28
3.1投影式曝光及其與接近式曝光的比較28
3.2全晶圓視場(chǎng)31
3.3步進(jìn)重復(fù)系統(tǒng)33
3.4步進(jìn)掃描系統(tǒng)35
3.5縮小系統(tǒng)和1×系統(tǒng)39
3.6縮小系統(tǒng)制造的1×掩模40
3.7小結(jié)41
參考文獻(xiàn)41
第4章成像43
4.1空間像43
4.1.1球面波前及其偏差的影響43
4.1.2球面波前44
4.1.3有限數(shù)值孔徑對(duì)球面波前的影響45
4.1.4球面波前的偏差49
4.1.5從掩模圖案成像53
4.1.6空間頻率58
4.1.7成像結(jié)果62
4.2反射和折射圖像66
4.2.1掩模反射和折射圖像的評(píng)估方法66
4.2.2多次反射對(duì)焦深的影響67
4.3潛像68
4.4光刻膠圖像68
4.4.1A、B、C系數(shù) 71
4.4.2集總參數(shù)模型73
4.4.3β與η80
4.5從空間像到光刻膠圖像81
4.6轉(zhuǎn)移圖像82
4.6.1各向 刻蝕82
4.6.2各向異性刻蝕83
4.6.3剝離83
4.6.4離子注入84
4.6.5電鍍85
參考文獻(xiàn)85
第5章光刻的度量：曝光-離焦（E-D）工具88
5.1分辨率和焦深比例方程88
5.2基于顯微術(shù)測(cè)定k1和k390
5.3基于光刻確定k1、k2和k391
5.3.1E-D分支、樹和區(qū)域91
5.3.2E-D窗口、DOF和曝光裕度 92
5.3.3使用E-D窗口確定k1、k2和k393
5.4k1、k2和k3作為歸一化的橫向和縱向尺寸單位94
5.5E-D工具95
5.5.1構(gòu)建E-D樹95
5.5.2曝光軸使用對(duì)數(shù)比例的重要性98
5.5.3橢圓E-D窗口98
5.5.4CD居中的E-D窗口與全CD范圍的E-D窗口99
5.5.5E-D窗口和CD控制100
5.5.6E-D工具的應(yīng)用101
參考文獻(xiàn)111
第6章光學(xué)光刻的硬件組件113
6.1光源113
6.1.1汞弧燈113
6.1.2準(zhǔn)分子激光器114
6.2照明器118
6.2.1科勒照明系統(tǒng)118
6.2.2離軸照明119
6.2.3任意照明119
6.3掩模119
6.3.1掩模襯底和吸收體121
6.3.2保護(hù)膜121
6.3.3掩模的關(guān)鍵參數(shù)122
6.3.4相移掩模124
6.4成像透鏡130
6.4.1典型透鏡參數(shù)130
6.4.2透鏡配置131
6.4.3透鏡像差133
6.4.4透鏡加工134
6.4.5透鏡維護(hù)134
6.5光刻膠135
6.5.1分類135
6.5.2光與光刻膠的相互作用145
6.5.3顯影的光刻膠圖像149
6.5.4抗反射涂層152
6.6晶圓158
6.7晶圓臺(tái)159
6.8對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)160
6.8.1離軸對(duì)準(zhǔn)和通過透鏡對(duì)準(zhǔn)161
6.8.2逐場(chǎng)、全局和增強(qiáng)全局對(duì)準(zhǔn)162
6.8.3明場(chǎng)和暗場(chǎng)對(duì)準(zhǔn)163
6.9小結(jié)163
參考文獻(xiàn)163
第7章工藝與優(yōu)化168
7.1曝光機(jī)的優(yōu)化168
7.1.1NA的優(yōu)化168
7.1.2照明的優(yōu)化171
7.1.3曝光和焦點(diǎn)174
7.1.4焦深預(yù)算174
7.1.5曝光機(jī)的產(chǎn)率管理181
7.2光刻膠工藝186
7.2.1光刻膠涂覆186
7.2.2光刻膠烘焙189
7.2.3光刻膠顯影192
7.2.4光刻膠圖像的高寬比194
7.2.5環(huán)境污染195
7.3k1降低195
7.3.1相移掩模195
7.3.2離軸照明204
7.3.3散射條220
7.3.4光學(xué)鄰近效應(yīng)校正225
7.4偏振照明235
7.5多重圖案化235
7.5.1多重圖案化技術(shù)原理235
7.5.2MPT工藝238
7.5.3MPT版圖239
7.5.4雙重圖案化技術(shù)的G規(guī)則240
7.5.5打包-解包技術(shù)241
7.5.6分辨率倍增理論說明242
7.5.7MPT的套刻考慮243
7.5.8克服雙重成像的產(chǎn)率損失243
7.6CD均勻性245
7.6.1CD不均勻性分析245
7.6.2CDU的改進(jìn)250
7.7對(duì)準(zhǔn)和套刻252
7.7.1對(duì)準(zhǔn)和套刻標(biāo)記252
7.7.2使用測(cè)量數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)253
7.7.3評(píng)估場(chǎng)間和場(chǎng)內(nèi)套刻誤差成分254
參考文獻(xiàn)257
第8章浸沒式光刻261
8.1引言261
8.2浸沒式光刻概述262
8.3分辨率和焦深264
8.3.1波長(zhǎng)縮短和空間頻率264
8.3.2分辨率比例方程和焦深比例方程265
8.3.3使用浸沒式系統(tǒng)改善分辨率和焦深265
8.3.4浸沒式系統(tǒng)中的NA266
8.4多層介質(zhì)的焦深266
8.4.1多層介質(zhì)中的透射和反射266
8.4.2晶圓離焦運(yùn)動(dòng)的影響268
8.4.3衍射焦深270
8.4.4所需焦深271
8.4.5可用焦深271
8.4.6耦合介質(zhì)的 折射率272
8.4.7分辨率和衍射焦深之間的權(quán)衡273
8.5光學(xué)成像中的偏振274
8.5.1不同偏振的成像274
8.5.2雜散光281
8.6浸沒式系統(tǒng)和組件291
8.6.1浸沒式系統(tǒng)的配置291
8.6.2浸沒介質(zhì)293
8.6.3浸沒透鏡295
8.6.4浸沒介質(zhì)中的氣泡295
8.6.5掩模299
8.6.6亞波長(zhǎng)3D掩模299
8.6.7光刻膠300
8.7浸沒式光刻對(duì)工藝的影響301
8.7.1浸沒式光刻的模擬301
8.7.2多晶硅層303
8.7.3接觸層305
8.7.4金屬層307
8.7.5對(duì)三個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的建議308
8.8浸沒式光刻技術(shù)實(shí)踐309
8.8.1曝光結(jié)果309
8.8.2減少缺陷311
8.8.3監(jiān)測(cè)浸沒罩和特殊路線312
8.8.4其他缺陷減少方案316
8.8.5結(jié)果317
8.9浸沒式光刻的延伸319
8.9.1高折射率材料319
8.9.2固體浸沒式掩模319
8.9.3偏振照明320
8.9.4多重圖案化320
8.10小結(jié)320
參考文獻(xiàn)321
第9章極紫外（EUV）光刻325
9.1引言325
9.2EUV光源328
9.2.1光源功率要求328
9.2.2激光等離子體光源331
9.2.3EUV系統(tǒng)的輸入功率要求332
9.3EUV掩模332
9.3.1EUV掩模的配置333
9.3.2斜入射對(duì)掩模的影響333
9.3.3EUV掩模的制作 337
9.3.4EUV保護(hù)膜338
9.4EUVL分辨率增強(qiáng)技術(shù)339
9.4.1EUV柔性照明339
9.4.2EUV鄰近效應(yīng)校正341
9.4.3EUV多重圖案化341
9.4.4EUV相移掩模341
9.5EUV投影光學(xué)器件345
9.6EUV光刻膠346
9.6.1EUV光刻膠曝光機(jī)制347
9.6.2化學(xué)放大EUV光刻膠348
9.6.3非化學(xué)放大EUV光刻膠349
9.7EUVL的延伸351
9.7.1每個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的光刻膠靈敏度、產(chǎn)率和功率351
9.7.2增加NA353
9.8EUVL小結(jié)354
9.9光刻技術(shù)展望354
參考文獻(xiàn)355
附錄360
附錄A基于光刻應(yīng)用的有效區(qū)域評(píng)估方法360
附錄B中英文術(shù)語(yǔ)367
展開全部
光刻技術(shù)(原著第二版) 作者簡(jiǎn)介
林本堅(jiān)（Burn J.Lin）博士，是臺(tái)灣清華大學(xué)（清大）特聘研究講座教授和臺(tái)積電（TSMC）清大聯(lián)合研發(fā)中心主任。2000年加入臺(tái)積電擔(dān)任資深處長(zhǎng)，2011年至2015年擔(dān)任副總經(jīng)理和杰出科技院士。早年間，自1970年加人美國(guó)IBM T.J.Watson研究中心后，在IBM公司擔(dān)任過各種技術(shù)和管理職務(wù)。半個(gè)世紀(jì)以來，他一直在拓展光學(xué)光刻技術(shù)的極限。1991年，他創(chuàng)建了Linnovation.Inc.，至今仍是該公司的首席執(zhí)行官， 林博士是Journal of Micro/ Nanolithography，MEMS，and MOEMS的創(chuàng)刊主編，美國(guó)國(guó)家工程院院士，中國(guó)臺(tái)灣“中研院”院士、臺(tái)灣工業(yè)技術(shù)研究院院士，IEEE和SPIE終身會(huì)士，臺(tái)灣交通大學(xué)和臺(tái)灣大學(xué)聯(lián)合特聘教授，俄亥俄大學(xué)和臺(tái)灣大學(xué)杰出校友， 林博士獲得的榮警有2018年未來科學(xué)大獎(jiǎng)數(shù)學(xué)與計(jì)算機(jī)科學(xué)獎(jiǎng)，2017年SPIE獎(jiǎng)〈因在1987年創(chuàng)辦了光學(xué)微光刻會(huì)議），2013年IEEE西澤潤(rùn)一獎(jiǎng)，2010年首個(gè)SEMI IC杰出成就獎(jiǎng)，2009年IEEE Cledo Brunetti獎(jiǎng)，2009年Benjamin G.Lamme功成就獎(jiǎng)，2007年工業(yè)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)，2006年杰出光學(xué)工程獎(jiǎng)，2005年VLSI Research Inc.的芯片制造行業(yè)全明星最有價(jià)值專家，2005年臺(tái)灣兩位最佳研發(fā)經(jīng)理之一，2004年P(guān)WY基金會(huì)杰出研究獎(jiǎng)，2004年首屆SPIE Frits Zernike獎(jiǎng)，2003年杰出科技工作者獎(jiǎng)，2002年臺(tái)灣十大最佳工程師獎(jiǎng)；在他的職業(yè)生涯中，還獲得過兩次臺(tái)積電創(chuàng)新獎(jiǎng)、十次IBM發(fā)明獎(jiǎng)和一次IBM杰出技術(shù)貢獻(xiàn)獎(jiǎng) 林博士在許多方面一直在開拓：深紫外光刻技術(shù)（1975年以來），多層光刻膠體系（1979年以來），2D部分相干成像模擬（1980年以來），曝光-離焦方法（1980年以來），分辨率和焦深的比例方程（1986年以來），k1降低（1987年以來），1義掩模限制的證明（1987年以來），光學(xué)成像中的振動(dòng)（1989年以來），接觸孔電測(cè)量（1989年以來），又射線接近式曝光的E-G樹（1990年以來），掩模反射率對(duì)成像影響的實(shí)驗(yàn)演示（1990年以來），透鏡最佳NA（1990年以來），衰減型相移掩模（1991年以來），Signamization技術(shù)（1996年以來），LWD-n和LWD-p（1999年以來），分辨率和焦深的非近軸比例方程（2000年以來），193nm浸沒式光刻（2002年以來），偏振相關(guān)雜散光（2004年以來）。他的創(chuàng)新和研究工作跨越了21代光刻技術(shù)，從5000nm節(jié)點(diǎn)開始，一直延伸到5nm節(jié)點(diǎn)。 林博士撰寫了兩本書以及其他書中的三章內(nèi)容，發(fā)表了132篇以上文章，其中71篇他是唯一或第一作者，還擁有88項(xiàng)美國(guó)專利。
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