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圖解入門半導體系列(共兩冊:器件缺陷+功率半導體) 版權信息
- ISBN：2200059000387
- 條形碼：2200059000381
- 裝幀：平裝
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>
圖解入門半導體系列(共兩冊:器件缺陷+功率半導體) 內容簡介
本書共分為4章，內容包括半導體器件缺陷及失效分析技術概要、硅集成電路(LSI)的失效分析技術、功率器件的缺陷及失效分析技術、化合物半導體發光器件的缺陷及失效分析技術。筆者在書中各處開設了專欄，用以介紹每個領域的某些方面。在第2~4章的末尾各列入了3道例題，這些例題出自日本科學技術聯盟主辦的“初級可靠性技術者”資格認定考試，題型為5選1，希望大家可以利用這些例題來測試一下自身的水平。本書的讀者包括：半導體器件工藝及器件的相關技術人員，可靠性技術人員，失效分析技術人員，試驗、分析、實驗的負責人，以及大學生、研究生等。因此，羅列的內容層次從基礎介紹到近期新研究，覆蓋范圍較廣。本書以圖解的方式深入淺出地講述了功率半導體制造工藝的各個技術環節。全書共分為11章，分別是：功率半導體的全貌、功率半導體的基本原理、各種功率半導體的原理和作用、功率半導體的用途與市場、功率半導體的分類、用于功率半導體的硅片、功率半導體制造工藝的特點、功率半導體生產企業介紹、硅基功率半導體的發展、挑戰硅極限的碳化硅與氮化鎵、功率半導體開拓的碳減排時代。 本書適合與半導體業務相關的人士、準備涉足半導體領域的人士、對功率半導體感興趣的職場人士和學生閱讀。
圖解入門半導體系列(共兩冊:器件缺陷+功率半導體) 目錄
《圖解入門:功率半導體基礎與工藝精講:原書第3版》
《圖解入門:半導體器件缺陷與失效分析技術精講》
《圖解入門:半導體器件缺陷與失效分析技術精講》
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圖解入門半導體系列(共兩冊:器件缺陷+功率半導體) 作者簡介
山本秀和，北海道大學研究生院工學研究科電氣工學博士。在三菱電機從事Si-LSI及功率器件的研究開發。現任千葉工業大學教授，從事功率器件和功率器件產品的分析技術研究。曾任北海道大學客座教授、功率器件賦能協會理事、新金屬協會硅晶體分析技術國際標準審議委員會委員長、新金屬協會半導體供應鏈研究會副委員長等。上田修，東京大學工學部物理工學博士。1974—2005年，在富士通研究所(股份有限公司)從事半導體中晶格缺陷的分析以及半導體發光器件、電子器件劣化機制闡明的研究。2005—2019年，在金澤工業大學研究生院工學研究科任教授。現為明治大學客座教授。二川清，大阪大學研究生院基礎工學研究科物理系工學博士。在NEC和NEC電子從事半導體可靠性和失效分析技術的實際業務和研究開發。曾任大阪大學特聘教授、金澤工業大學客座教授、日本可靠性學會副會長等職。現任芝浦工業大學兼職講師。佐藤淳一，畢業于京都大學工學研究科，并獲得碩士學位。1978年開始就職于東京電氣化學工業株式會社（現TDK），1982年開始就職于索尼公司。一直從事半導體和薄膜器件相關工藝的研究開發工作。在此期間，參與創建半導體技術公司，擔任長崎大學兼職講師、行業協會委員等職位，同時也是應用物理學會員。
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