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圖解入門半導體系列(共四冊:器件缺陷+元器件+設備基礎與構造+制造工藝) 版權信息
- ISBN：2200059000388
- 條形碼：2200059000381
- 裝幀：平裝
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>
圖解入門半導體系列(共四冊:器件缺陷+元器件+設備基礎與構造+制造工藝) 內容簡介
本書共分為4章，內容包括半導體器件缺陷及失效分析技術概要、硅集成電路(LSI)的失效分析技術、功率器件的缺陷及失效分析技術、化合物半導體發光器件的缺陷及失效分析技術。筆者在書中各處開設了專欄，用以介紹每個領域的某些方面。在第2~4章的末尾各列入了3道例題，這些例題出自日本科學技術聯盟主辦的“初級可靠性技術者”資格認定考試，題型為5選1，希望大家可以利用這些例題來測試一下自身的水平。本書的讀者包括：半導體器件工藝及器件的相關技術人員，可靠性技術人員，失效分析技術人員，試驗、分析、實驗的負責人，以及大學生、研究生等。因此，羅列的內容層次從基礎介紹到近期新研究，覆蓋范圍較廣。本書改編自東芝株式會社內部培訓用書。為了讓讀者理解以硅（Si）為中心的半導體元器件，筆者用了大量的圖解方式進行說明。理解半導體元器件原理有效的圖，其實是能帶圖。全書共7章，包括半導體以及MOS晶體管的簡單說明、半導體的基礎物理、PN結二極管、雙極性晶體管、MOS電容器、MOS晶體管和超大規模集成電路器件。在本書*后，附加了常量表、室溫下（300K）的Si基本常量、MOS晶體管、麥克斯韋玻爾茲曼分布函數、關于電子密度n以及空穴密度p的公式、質量作用定律、PN結的耗盡層寬度、載流子的產生與復合、小信號下的共發射極電路的電流放大倍數、帶隙變窄以及少數載流子遷移率、閾值電壓Vth、關于漏極電流ID飽和的解釋。本書主要面向具有高中數理基礎的半導體初學者，也可供半導體、芯片從業者閱讀。《圖解入門——半導體制造工藝基礎精講（原書第4版）》以圖解的方式深入淺出地講述了半導體制造工藝的各個技術環節。全書共分為12章，包括半導體制造工藝全貌、前段制程概述、清洗和干燥濕法工藝、離子注入和熱處理工藝、光刻工藝、刻蝕工藝、成膜工藝、平坦化 （CMP）工藝、CMOS工藝流程、后段制程工藝概述、后段制程的趨勢、半導體工藝的*新動向。本書適合與半導體業務相關的人士、準備涉足半導體領域的人士、對半導體制造工藝感興趣的職場人士和學生等閱讀參考。本書以簡潔明了的結構向讀者展現了半導體制造工藝中使用的設備基礎和構造。全書涵蓋了半導體制造設備的現狀以及展望，同時對清洗和干燥設備、離子注入設備、熱處理設備、光刻設備、蝕刻設備、成膜設備、平坦化設備、監測和分析設備、后段制程設備等逐章進行解說。雖然包含了很多生澀的詞匯，但難能可貴的是全書提供了豐富的圖片和表格，幫助讀者進行理解。相信本書一定能帶領讀者進入一個半導體制造設備的立體世界。本書適合從事半導體與芯片加工、設計的從業者，以及準備涉足上述領域的上班族和學生閱讀參考。此版本僅限在中國大陸地區（不包括香港、澳門特別行政區及臺灣地區）銷售。
圖解入門半導體系列(共四冊:器件缺陷+元器件+設備基礎與構造+制造工藝) 目錄
《圖解入門——半導體器件缺陷與失效分析技術精講》
《圖解入門——半導體元器件精講》
《圖解入門——半導體制造工藝基礎精講（原書第4版）》
《圖解入門——半導體制造設備基礎與構造精講 原書第3版》
《圖解入門——半導體元器件精講》
《圖解入門——半導體制造工藝基礎精講（原書第4版）》
《圖解入門——半導體制造設備基礎與構造精講 原書第3版》
展開全部
圖解入門半導體系列(共四冊:器件缺陷+元器件+設備基礎與構造+制造工藝) 作者簡介
山本秀和，北海道大學研究生院工學研究科電氣工學博士。在三菱電機從事Si-LSI及功率器件的研究開發。現任千葉工業大學教授，從事功率器件和功率器件產品的分析技術研究。曾任北海道大學客座教授、功率器件賦能協會理事、新金屬協會硅晶體分析技術國際標準審議委員會委員長、新金屬協會半導體供應鏈研究會副委員長等。上田修，東京大學工學部物理工學博士。1974—2005年，在富士通研究所(股份有限公司)從事半導體中晶格缺陷的分析以及半導體發光器件、電子器件劣化機制闡明的研究。2005—2019年，在金澤工業大學研究生院工學研究科任教授。現為明治大學客座教授。二川清，大阪大學研究生院基礎工學研究科物理系工學博士。在NEC和NEC電子從事半導體可靠性和失效分析技術的實際業務和研究開發。曾任大阪大學特聘教授、金澤工業大學客座教授、日本可靠性學會副會長等職。現任芝浦工業大學兼職講師。執行直之，國際電子技術與信息科學工程師學會會士（IEEE Fellow）。畢業于日本東北大學的工學研究科情報工學專業，并取得了博士學位（工學）。1980年進入東芝株式會社，2019年進入鎧俠控股株式會社。專業領域為半導體器件的仿真以及器件設計。主要貢獻為：研發了三維器件仿真工具，闡釋并解決了器件微縮過程中的問題。構造了少數載流子遷移率等物理模型，使得器件仿真工具進一步實用化，對超大規模集成電路的實現做出了貢獻。解決了一些靜電放電（ESD）軟件錯誤等相關的問題，對閃存的器件設計做出了貢獻。此外還進行過功率半導體IGBT相關的研究。合著了《MOS集成電路的基礎》（近代科學社出版）、《最新半導體制程 器件 仿真技術》（REALIZE出版社出版）等書籍。自2001年，為神奈川大學工學部兼課講師一職。自2004年開始的兩年間，曾任東京工業大學大學院兼課講師一職。曾任日本東北大學大學院客座教授一職。自2017年開始的兩年間，曾任東京工業大學研究員一職。佐藤淳一京都大學工學研究生院碩士。1978年，加入東京電氣化學工業股份有限公司（現TDK）；1982年，加入索尼股份有限公司。一直從事半導體和薄膜設備，以及工藝技術的研發工作。期間，在半導體尖端技術（Selete）創立之時被借調，擔任長崎大學工學部兼職講師、半導體行業委員會委員。
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