中圖網(wǎng)小程序
一鍵登錄
更方便
本類(lèi)五星書(shū)更多>
-
>
公路車(chē)寶典(ZINN的公路車(chē)維修與保養(yǎng)秘籍)
-
>
晶體管電路設(shè)計(jì)(下)
-
>
基于個(gè)性化設(shè)計(jì)策略的智能交通系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)
-
>
花樣百出:貴州少數(shù)民族圖案填色
-
>
山東教育出版社有限公司技術(shù)轉(zhuǎn)移與技術(shù)創(chuàng)新歷史叢書(shū)中國(guó)高等技術(shù)教育的蘇化(1949—1961)以北京地區(qū)為中心
-
>
鐵路機(jī)車(chē)概要.交流傳動(dòng)內(nèi)燃.電力機(jī)車(chē)
-
>
利維坦的道德困境:早期現(xiàn)代政治哲學(xué)的問(wèn)題與脈絡(luò)
中圖價(jià):¥37.7
加入購(gòu)物車(chē)
薄膜晶體管原理及應(yīng)用(第2版) 版權(quán)信息
- ISBN：9787302627777
- 條形碼：9787302627777 ; 978-7-302-62777-7
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊(cè)數(shù)：暫無(wú)
- 重量：暫無(wú)
- 所屬分類(lèi)：>>
薄膜晶體管原理及應(yīng)用(第2版) 本書(shū)特色
本書(shū)是國(guó)內(nèi)較早針對(duì)薄膜晶體管技術(shù)的教材。本書(shū)的讀者定位是大專(zhuān)院校的本科生和研究生以及無(wú)平板顯示產(chǎn)業(yè)界相關(guān)基礎(chǔ)的工程師等。 本書(shū)作者結(jié)合實(shí)際教學(xué)經(jīng)驗(yàn)，在內(nèi)容講解順序上另辟蹊徑，按照從應(yīng)用原理到器件物理再到工藝原理的順序闡述。具體而言，首先從薄膜晶體管在平板顯示的有源矩陣驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用原理講起，并由此引出實(shí)際應(yīng)用對(duì)TFT器件特性的基本要求；接著詳細(xì)闡述薄膜晶體管相關(guān)的材料物理和器件物理，并由此確定TFT工藝的技術(shù)目標(biāo)；*后，重點(diǎn)講解薄膜晶體管陣列的單項(xiàng)工藝原理和工藝整合原理。 本書(shū)以非晶硅/多晶硅TFT技術(shù)的相關(guān)原理作為主要闡述目標(biāo)，作者在產(chǎn)業(yè)界的實(shí)際工作經(jīng)驗(yàn)及TFT實(shí)際生產(chǎn)中的相關(guān)實(shí)務(wù)知識(shí)也多有涉及。此外，在本書(shū)的結(jié)尾處作者還根據(jù)自身的研究經(jīng)驗(yàn)對(duì)當(dāng)前正在研發(fā)的非晶氧化物薄膜晶體管技術(shù)以及TFT在非顯示領(lǐng)域的實(shí)際應(yīng)用前景進(jìn)行了總結(jié)和展望。
薄膜晶體管原理及應(yīng)用(第2版) 內(nèi)容簡(jiǎn)介
作為薄膜晶體管(TFT)技術(shù)的入門(mén)教材，本書(shū)以非晶硅薄膜晶體管（a-Si TFT)和多晶硅薄膜晶體管(p-Si TFT)為例詳細(xì)講解了與TFT技術(shù)相關(guān)的材料物理、器件物理和制備工藝原理及其在平板顯示中的應(yīng)用原理等。 本書(shū)共分7章。第1章簡(jiǎn)單介紹了薄膜晶體管的發(fā)展簡(jiǎn)史；第2章詳細(xì)闡述了TFT在平板顯示有源矩陣驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用原理；第3章深入講解了薄膜晶體管相關(guān)的半導(dǎo)體、絕緣體和電極材料物理；第4章詳細(xì)闡述了非晶硅TFT和多晶硅TFT器件物理的相關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)；第5章系統(tǒng)介紹了TFT制備的單項(xiàng)工藝原理；第6章仔細(xì)講解了非晶硅TFT陣列和多晶硅TFT陣列工藝整合原理；第7章簡(jiǎn)單總結(jié)全書(shū)并展望了以a-IGZO TFT為代表的非晶氧化物薄膜晶體管技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)。每章后附有習(xí)題，可供課堂練習(xí)或課后作業(yè)使用。 本書(shū)適合于作為大學(xué)本科生和研究生相關(guān)課程的教材，也適合針對(duì)從事TFT技術(shù)相關(guān)工作的工程技術(shù)人員作為技術(shù)培訓(xùn)和在職進(jìn)修的教材或參考書(shū)籍。
薄膜晶體管原理及應(yīng)用(第2版) 目錄
第1章緒論
1.1薄膜晶體管發(fā)展簡(jiǎn)史
1.2薄膜晶體管的技術(shù)分類(lèi)及比較
1.3薄膜晶體管的應(yīng)用簡(jiǎn)介
1.4本書(shū)的主要內(nèi)容及架構(gòu)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第2章平板顯示的有源矩陣驅(qū)動(dòng)
2.1平板顯示簡(jiǎn)介
2.1.1顯示技術(shù)的分類(lèi)及特性指標(biāo)
2.1.2平板顯示的定義和分類(lèi)
2.1.3液晶顯示器件的基本原理
2.1.4有機(jī)發(fā)光二極管顯示的基本原理
2．1．5電子紙顯示的基本原理
2.2液晶顯示的有源矩陣驅(qū)動(dòng)
2.2.1液晶顯示的靜態(tài)驅(qū)動(dòng)和無(wú)源矩陣驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)介
2.2.2AMLCD像素電路的充放電原理
2.2.3AMLCD像素陣列的相關(guān)原理
2.2.4液晶顯示有源矩陣驅(qū)動(dòng)的特殊方法
2.2.5液晶顯示有源矩陣驅(qū)動(dòng)的技術(shù)要求
2.3有機(jī)發(fā)光二極管顯示的有源矩陣驅(qū)動(dòng)
2.3.1有機(jī)發(fā)光二極管顯示的無(wú)源矩陣驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)介
2.3.2有機(jī)發(fā)光二極管顯示的有源矩陣驅(qū)動(dòng)基本原理
2．3．3AMOLED電壓型像素電路的補(bǔ)償原理
2.3.4有機(jī)發(fā)光二極管顯示的有源矩陣驅(qū)動(dòng)技術(shù)要求
2．4電子紙顯示的有源矩陣驅(qū)動(dòng)
2．4．1電子紙顯示的驅(qū)動(dòng)波形
2．4．2電子紙顯示的有源矩陣驅(qū)動(dòng)技術(shù)要求
2．5平板顯示外圍驅(qū)動(dòng)電路和SOG技術(shù)
2．5．1AMLCD外圍驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)介
2．5．2SOG技術(shù)基礎(chǔ)簡(jiǎn)介
2．5．3GOA技術(shù)的基本原理
2.6本章小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第3章薄膜晶體管材料物理
3.1非晶硅材料物理
3.1.1非晶體簡(jiǎn)介
3.1.2非晶硅材料結(jié)構(gòu)
3.1.3非晶硅電學(xué)特性
3.2多晶硅材料物理
3.2.1多晶體簡(jiǎn)介
3.2.2多晶硅材料結(jié)構(gòu)
3.2.3多晶硅電學(xué)特性
3.3薄膜晶體管絕緣層材料
3.3.1絕緣層介電特性
3.3.2絕緣層漏電特性
3.3.3氮化硅薄膜
3.3.4氧化硅薄膜
3.4薄膜晶體管電極材料
3.4.1導(dǎo)電材料簡(jiǎn)介
3.4.2TFT用鋁合金薄膜
3.4.3ITO
3.5平板顯示用玻璃基板簡(jiǎn)介
3．6柔性基板簡(jiǎn)介
3.7本章小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第4章薄膜晶體管器件物理
4.1薄膜晶體管的器件結(jié)構(gòu)
4.1.1薄膜晶體管的器件結(jié)構(gòu)分類(lèi)
4.1.2非晶硅薄膜晶體管器件結(jié)構(gòu)的選擇
4.1.3多晶硅薄膜晶體管器件結(jié)構(gòu)的選擇
4.2薄膜晶體管器件的操作特性及理論模型
4.2.1薄膜晶體管的操作特性
4.2.2薄膜晶體管的簡(jiǎn)單物理模型
4.2.3薄膜晶體管的精確物理模型
4.2.4薄膜晶體管的特性參數(shù)及提取方法
4.2.5薄膜晶體管操作特性的影響因素分析
4.3薄膜晶體管的穩(wěn)定特性
4.3.1非晶硅薄膜晶體管的電壓偏置穩(wěn)定特性
4.3.2多晶硅薄膜晶體管的電壓偏置穩(wěn)定特性
4.3.3薄膜晶體管的環(huán)境效應(yīng)
4．4薄膜晶體管的動(dòng)態(tài)特性
4．4．1薄膜晶體管的瞬態(tài)特性
4．4．2薄膜晶體管的頻率特性
4．4．3薄膜晶體管的噪聲特性
4.5本章小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第5章薄膜晶體管單項(xiàng)制備工藝
5.1成膜工藝
5.1.1磁控濺射
5.1.2等離子體化學(xué)氣相沉積
5.2薄膜改性技術(shù)
5.2.1激光結(jié)晶化退火
5.2.2離子注入
5.3光刻工藝
5.3.1曝光工藝
5.3.2光刻膠涂覆與顯影工藝
5.4刻蝕工藝
5.4.1濕法刻蝕
5.4.2干法刻蝕
5.5其他工藝
5.5.1洗凈
5.5.2光刻膠剝離
5.5.3器件退火
5.6工藝檢查
5.6.1自動(dòng)光學(xué)檢查
5.6.2斷/短路檢查
5.6.3陣列測(cè)試
5.6.4TEG測(cè)試
5.7本章小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第6章薄膜晶體管陣列制備工藝整合
6.1AMLCD制備工藝概述
6.1.1陣列工程
6.1.2彩膜工程
6.1.3成盒工程
6.1.4模組工程
6.2非晶硅薄膜晶體管陣列基板制備工藝流程
6.2.15MASK aSi TFT工藝流程
6.2.24MASK aSi TFT工藝流程
6.3AMOLED制備工藝概述
6.3.1陣列工程
6.3.2OLED工程
6.3.3成盒工程和模組工程
6.4多晶硅薄膜晶體管陣列基板制備工藝流程
6.4.16MASK pSi TFT工藝流程
6.4.210MASK pSi TFT工藝流程
6.5陣列檢查與修補(bǔ)
6．6柔性TFT背板的制備工藝
6．6．1柔性TFT溝道層材料的對(duì)比和選擇
6．6．2柔性L(fǎng)TPS TFT制備工藝簡(jiǎn)介
6.7本章小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第7章總結(jié)與展望
7.1全書(shū)內(nèi)容總結(jié)
7.2薄膜晶體管技術(shù)發(fā)展展望
7．3薄膜晶體管在非顯示領(lǐng)域的應(yīng)用展望
參考文獻(xiàn)
附錄A物理常數(shù)表
附錄B單位前綴一覽表
附錄C單晶硅材料特性參數(shù)一覽表
附錄D氮化硅與氧化硅材料特性參數(shù)一覽表
附錄E10MASK pSi TFT制備工藝流程
展開(kāi)全部
薄膜晶體管原理及應(yīng)用(第2版) 作者簡(jiǎn)介
董承遠(yuǎn) 上海交通大學(xué)電子信息與電氣工程學(xué)院電子工程系副教授，主要研究方向?yàn)樾滦捅∧ぞw管器件，及其在顯示、傳感和存儲(chǔ)領(lǐng)域的應(yīng)用等。2003年7月畢業(yè)于上海交通大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院，獲工學(xué)博士學(xué)位。2003—2008年先后在上海廣電NEC、昆山龍騰光電和上海天馬等國(guó)內(nèi)幾家主要平板顯示企業(yè)從事與TFT背板技術(shù)相關(guān)的工藝開(kāi)發(fā)、產(chǎn)品設(shè)計(jì)和新技術(shù)研發(fā)工作等；2008年年底加入上海交通大學(xué)至今；兼任SID北京分會(huì)顯示技術(shù)培訓(xùn)委員會(huì)主席、顯示制造技術(shù)委員會(huì)副主席，Micromachines期刊客座編輯等。主持或參與國(guó)家、地方政府和企業(yè)科研項(xiàng)目10余項(xiàng)，發(fā)表論文70余篇，申請(qǐng)發(fā)明專(zhuān)利10余項(xiàng)，編著教材1部。
書(shū)友推薦
- >
回憶愛(ài)瑪儂
- >
山海經(jīng)
- >
月亮虎
- >
伊索寓言-世界文學(xué)名著典藏-全譯本
- >
自卑與超越
- >
姑媽的寶刀
- >
羅曼·羅蘭讀書(shū)隨筆-精裝
- >
伯納黛特,你要去哪(2021新版)
本類(lèi)暢銷(xiāo)
