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寬禁帶化合物半導體材料與器件(第二版) 版權信息
- ISBN：9787308229159
- 條形碼：9787308229159 ; 978-7-308-22915-9
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
寬禁帶化合物半導體材料與器件(第二版) 內容簡介
全書共10章，主要內容為：緒論；化合物半導體材料基礎；化合物半導體中的缺陷；寬帶隙半導體發光；化合物半導體器件基本原理，包括pn結、超晶格與量子阱；寬帶隙化合物半導體材料及其器件的應用，主要介紹SiC、GaN、ZnO和Ga2O3的研究現狀。本書在內容取材和安排上具有以下特點：（1）簡明扼要、重點突出地介紹了半導體材料與器件的基本概念和基礎理論，幫助學生建立清晰的半導體材料與器件的知識體系；（2）通過總結浙江大學硅材料國家重點實驗室多年的研究成果，結合化合物半導體材料的近期新研究進展，對幾種重要的寬禁帶化合物半導體材料的基礎研究及器件應用做了詳細的闡述。本書可作為高等院校半導體材料、微電子與固體電子學及相關專業研究生和本科高年級學生學習化合物半導體材料和器件的教材，也可為從事化合物半導體材料和器件研究的科研和工程技術人員提供參考。
寬禁帶化合物半導體材料與器件(第二版) 目錄
第1章 緒 論
1.1 寬帶隙半導體概念
1.2 常見寬禁帶化合物半導體
思考題
參考文獻
第2章 化合物半導體材料基礎
2.1 半導體
2.2 半導體材料的分類
2.2.1 元素半導體
2.2.2 化合物半導體
2.2.3 半導體固溶體
2.3 化合物半導體的特性
2.3.1 化合物半導體的晶體結構和化合鍵
2.3.2 化合物半導體的能帶結構
思考題
參考文獻
第3章 固化合物半導體中的缺陷
3.1 缺陷理論基礎
3.1.1 點缺陷的分類
3.1.2 點缺陷的符號表示方法
3.1.3 點缺陷在半導體中的施主或受主作用及它們的能級位置
3.2 ZnO中的雜質與缺陷
3.2.1 ZnO中的本征點缺陷
3.2.2 ZnO中綠色發光起源
3.2.3 ZnO中的故意摻雜
思考題
參考文獻
第4章 寬帶隙半導體發光
4.1 半導體中的光躍遷
4.1.1 半導體吸收躍遷
4.1.2 半導體中的帶間躍遷輻射復合發光
4.2 激子
4.3 半導體發光光譜和輻射復合
4.4 激子復合
4.5 深能級中心相關的發光躍遷
4.6 時間分辨發光光譜
4.7 寬帶隙半導體材料發光研究實例
思考題
參考文獻
第5章 pn結
5.1 同質結
5.1.1 熱平衡狀態下的pn結
5.1.2 pn結的伏安特性
5.2 異質結
5.2.1 異質結的能帶圖
5.2.2 異型異質結的電學特性
思考題
參考文獻
第6章 超晶格與量子阱
6.1 超晶格和量子阱發展概況
6.2 量子阱
6.3 超晶格
6.3.1 復合超晶格
6.3.2 摻雜超晶格
6.3.3 應變超晶格
6.3.4 多維超晶格
6.4 量子阱與超晶格的實驗制備方法
6.5 超晶格和量子阱中的物理基礎
6.5.1 半導體中的兩類載流子：電子(n)與空穴(p)
6.5.2 超晶格和量子阱的能帶結構
6.5.3 量子阱與超晶格中的電子態
6.5.4 超晶格中的電子狀態
6.6 超晶格和量子阱中的物理效應
6.6.1 量子約束效應
6.6.2 量子阱中的激子效應
6.6.3 量子受限的斯塔克效應(QCSE)
6.6.4 電場下超晶格中的Wannier-Stark局域態
6.6.5 二維電子氣
6.7 超晶格和量子阱器件
6.7.1 量子阱激光器發展歷程
6.7.2 垂直腔面發射激光器
6.7.3 新型的量子阱激光器
6.7.4 主要應用
思考題
參考文獻
第7章 SiC
7.1 SiC的基本性質
7.1.1 物理性質和化學性質
7.1.2 晶體結構
7.1.3 電學性能和能帶結構
7.2 SiC材料生長、摻雜與缺陷
7.2.1 SiC體單晶生長
7.2.2 SiC薄膜生長
7.2.3 SiC納米結構
7.2.4 SiC的摻雜
7.2.5 SiC材料中的缺陷
7.3 SiC電子器件
7.3.1 SiC肖特基接觸理論
7.3.2 肖特基勢壘二極管(SBI))及其改進結構器件(JBD、MPS)
7.3.3 SiC場效應晶體管
7.3.4 SiC雙極型晶體管(BJT)
7.4 SiC傳感器件
7.4.1 SiC的壓阻效應
7.4.2 SiC材料在氣敏傳感器中的應用
7.4.3 SiC材料在光電探測器中的應用
思考題
參考文獻
第8章 GaN
8.1 概述
8.2 GaN的基本性質
8.2.1 物理和化學特性
8.2.2 晶體結構
8.2.3 電學性質和摻雜
8.2.4 光學性質
8.2.5 GaN與其他ⅢA族氮化物合金
8.3 GaN材料制備
8.3.1 GaN體單晶的生長
8.3.2 GaN薄膜外延生長襯底材料的選擇
8.3.3 GaN外延生長技術
8.4 GaN光電器件
8.4.1 GaN基LED
8.4.2 GaN基LD
8.4.3 GaN基紫外探測器
8.4.4 GaN基電子器件
思考題
參考文獻
第9章 Zn0
9.1 Zn0材料概述
9.1.1 Zn0的基本性質和能帶工程
9.1.2 Zn0中的雜質與缺陷
9.1.3 Zn0的電學性能及P型摻雜
9.1.4 Zn0)的p型摻雜研究現狀
9.2 傳統及新穎的Zn0制備技術
9.2.1 Zn0體單晶
9.2.2 Zn0薄膜
9.2.3 Zn0納米結構
9.3 Zn0基光電器件
9.3.1 納米結構的摻雜與接觸
9.3.2 同質結LED
9.3.3 異質結LED
9.3.4 激光二極管(LD)
9.3.5 光電探測器(PD)
9.3.6 光伏太陽能電池
9.4 ZnO基透明導電薄膜和場效應器件
9.5 ZnO基壓電器件
9.6 ZnO基傳感器件
9.7 ZnO基自旋器件
9.8 ZnO基光催化材料
9.9 小結
思考題
參考文獻
第10章 Ga203
10.1 概述
10.2 Ga203的基本性質
10.2.1 物理和化學性質
10.2.2 晶體結構
10.2.3 電學性質和摻雜
10.2.4 光學性質
1O.3 Ga203的制備丁藝
10.3.1 單 晶
10.3.2 薄 膜
1O.4 Ga203功率器件
10.5 Ga203光電器件
1 O.5.1 光電探測器
10.5.2 光電晶體管
10.6 Ga203氣敏傳感器
10.7 Ga203其他器件應用
思考題
參考文獻
縮略詞
1.1 寬帶隙半導體概念
1.2 常見寬禁帶化合物半導體
思考題
參考文獻
第2章 化合物半導體材料基礎
2.1 半導體
2.2 半導體材料的分類
2.2.1 元素半導體
2.2.2 化合物半導體
2.2.3 半導體固溶體
2.3 化合物半導體的特性
2.3.1 化合物半導體的晶體結構和化合鍵
2.3.2 化合物半導體的能帶結構
思考題
參考文獻
第3章 固化合物半導體中的缺陷
3.1 缺陷理論基礎
3.1.1 點缺陷的分類
3.1.2 點缺陷的符號表示方法
3.1.3 點缺陷在半導體中的施主或受主作用及它們的能級位置
3.2 ZnO中的雜質與缺陷
3.2.1 ZnO中的本征點缺陷
3.2.2 ZnO中綠色發光起源
3.2.3 ZnO中的故意摻雜
思考題
參考文獻
第4章 寬帶隙半導體發光
4.1 半導體中的光躍遷
4.1.1 半導體吸收躍遷
4.1.2 半導體中的帶間躍遷輻射復合發光
4.2 激子
4.3 半導體發光光譜和輻射復合
4.4 激子復合
4.5 深能級中心相關的發光躍遷
4.6 時間分辨發光光譜
4.7 寬帶隙半導體材料發光研究實例
思考題
參考文獻
第5章 pn結
5.1 同質結
5.1.1 熱平衡狀態下的pn結
5.1.2 pn結的伏安特性
5.2 異質結
5.2.1 異質結的能帶圖
5.2.2 異型異質結的電學特性
思考題
參考文獻
第6章 超晶格與量子阱
6.1 超晶格和量子阱發展概況
6.2 量子阱
6.3 超晶格
6.3.1 復合超晶格
6.3.2 摻雜超晶格
6.3.3 應變超晶格
6.3.4 多維超晶格
6.4 量子阱與超晶格的實驗制備方法
6.5 超晶格和量子阱中的物理基礎
6.5.1 半導體中的兩類載流子：電子(n)與空穴(p)
6.5.2 超晶格和量子阱的能帶結構
6.5.3 量子阱與超晶格中的電子態
6.5.4 超晶格中的電子狀態
6.6 超晶格和量子阱中的物理效應
6.6.1 量子約束效應
6.6.2 量子阱中的激子效應
6.6.3 量子受限的斯塔克效應(QCSE)
6.6.4 電場下超晶格中的Wannier-Stark局域態
6.6.5 二維電子氣
6.7 超晶格和量子阱器件
6.7.1 量子阱激光器發展歷程
6.7.2 垂直腔面發射激光器
6.7.3 新型的量子阱激光器
6.7.4 主要應用
思考題
參考文獻
第7章 SiC
7.1 SiC的基本性質
7.1.1 物理性質和化學性質
7.1.2 晶體結構
7.1.3 電學性能和能帶結構
7.2 SiC材料生長、摻雜與缺陷
7.2.1 SiC體單晶生長
7.2.2 SiC薄膜生長
7.2.3 SiC納米結構
7.2.4 SiC的摻雜
7.2.5 SiC材料中的缺陷
7.3 SiC電子器件
7.3.1 SiC肖特基接觸理論
7.3.2 肖特基勢壘二極管(SBI))及其改進結構器件(JBD、MPS)
7.3.3 SiC場效應晶體管
7.3.4 SiC雙極型晶體管(BJT)
7.4 SiC傳感器件
7.4.1 SiC的壓阻效應
7.4.2 SiC材料在氣敏傳感器中的應用
7.4.3 SiC材料在光電探測器中的應用
思考題
參考文獻
第8章 GaN
8.1 概述
8.2 GaN的基本性質
8.2.1 物理和化學特性
8.2.2 晶體結構
8.2.3 電學性質和摻雜
8.2.4 光學性質
8.2.5 GaN與其他ⅢA族氮化物合金
8.3 GaN材料制備
8.3.1 GaN體單晶的生長
8.3.2 GaN薄膜外延生長襯底材料的選擇
8.3.3 GaN外延生長技術
8.4 GaN光電器件
8.4.1 GaN基LED
8.4.2 GaN基LD
8.4.3 GaN基紫外探測器
8.4.4 GaN基電子器件
思考題
參考文獻
第9章 Zn0
9.1 Zn0材料概述
9.1.1 Zn0的基本性質和能帶工程
9.1.2 Zn0中的雜質與缺陷
9.1.3 Zn0的電學性能及P型摻雜
9.1.4 Zn0)的p型摻雜研究現狀
9.2 傳統及新穎的Zn0制備技術
9.2.1 Zn0體單晶
9.2.2 Zn0薄膜
9.2.3 Zn0納米結構
9.3 Zn0基光電器件
9.3.1 納米結構的摻雜與接觸
9.3.2 同質結LED
9.3.3 異質結LED
9.3.4 激光二極管(LD)
9.3.5 光電探測器(PD)
9.3.6 光伏太陽能電池
9.4 ZnO基透明導電薄膜和場效應器件
9.5 ZnO基壓電器件
9.6 ZnO基傳感器件
9.7 ZnO基自旋器件
9.8 ZnO基光催化材料
9.9 小結
思考題
參考文獻
第10章 Ga203
10.1 概述
10.2 Ga203的基本性質
10.2.1 物理和化學性質
10.2.2 晶體結構
10.2.3 電學性質和摻雜
10.2.4 光學性質
1O.3 Ga203的制備丁藝
10.3.1 單 晶
10.3.2 薄 膜
1O.4 Ga203功率器件
10.5 Ga203光電器件
1 O.5.1 光電探測器
10.5.2 光電晶體管
10.6 Ga203氣敏傳感器
10.7 Ga203其他器件應用
思考題
參考文獻
縮略詞
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寬禁帶化合物半導體材料與器件(第二版) 作者簡介
朱麗萍，女，浙江大學教授，博士生導師。主要從事寬帶隙化合物半導體材料及器件、半導體納米材料與器件以及節能薄膜材料的研究。
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