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氮化鎵單晶材料生長與應(yīng)用 版權(quán)信息
- ISBN：9787560664668
- 條形碼：9787560664668 ; 978-7-5606-6466-8
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊(cè)數(shù)：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>
氮化鎵單晶材料生長與應(yīng)用 內(nèi)容簡介
本書以作者所在團(tuán)隊(duì)多年來的研究工作為基礎(chǔ)，并作了大量擴(kuò)展和補(bǔ)充，呈現(xiàn)了該領(lǐng)域的*新研究成果。具體來說，本書分八章內(nèi)容詳細(xì)介紹了氮化鎵單晶材料生長的基本原理、技術(shù)方法、發(fā)展現(xiàn)狀及應(yīng)用趨勢(shì)。
氮化鎵單晶材料生長與應(yīng)用 目錄
第1章 氮化鎵單晶材料概述
1．1 氮化鎵晶體結(jié)構(gòu)及其極性
1．1．1 纖鋅礦結(jié)構(gòu)
1．1．2 晶體極性
1．1．3 能帶結(jié)構(gòu)
1．2 氮化鎵晶體缺陷
1．2．1 點(diǎn)缺陷
1．2．2 位錯(cuò)
1．2．3 層錯(cuò)
1．2．4 倒反疇界
1．3 氮化鎵材料特性
1．3．1 光學(xué)特性
1．3．2 電學(xué)特性
1．3．3 熱學(xué)特性
參考文獻(xiàn)
第2章 氮化鎵單晶材料生長的基本特性
2．1 生長動(dòng)力學(xué)特性
2．1．1 熱力學(xué)驅(qū)動(dòng)力
2．1．2 傳質(zhì)輸運(yùn)
2．1．3 晶體生長機(jī)制
2．1．4 晶體生長形態(tài)
2．2 位錯(cuò)的產(chǎn)生與湮滅
2．2．1 失配位錯(cuò)產(chǎn)生機(jī)理
2．2．2 穿透位錯(cuò)
參考文獻(xiàn)
第3章 氮化鎵單晶制備的方法——?dú)浠餁庀嗤庋由L法
3．1 發(fā)展歷程
3．2 生長原理及裝備
3．2．1 基本原理
3．2．2 HVPE生長過程的研究
3．2．3 HVPE反應(yīng)器的分類及研究現(xiàn)狀
3．3 應(yīng)力及缺陷控制
3．3．1 應(yīng)力控制
3．3．2 缺陷控制
3．4 摻雜技術(shù)
3．4．1 非故意摻雜
3．4．2 Si摻雜
3．4．3 Ge摻雜
3．4．4 半絕緣摻雜
3．5 氮化鎵單晶襯底分離技術(shù)
3．5．1 自分離工藝
3．5．2 激光剝離
3．6 發(fā)展趨勢(shì)
參考文獻(xiàn)
……
第4章 氮化鎵單晶制備的方法——氨熱法
第5章 氮化鎵單晶制備的方法——助熔劑法
第6章 氮化鎵單晶同質(zhì)外延生長技術(shù)
第7章 氮化鎵單晶材料的應(yīng)用——光電器件
第8章 氮化鎵單晶材料的應(yīng)用——電力電子和微波射頻器件
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