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氮化鎵基半導體異質結構及二維電子氣 版權信息
- ISBN：9787560659060
- 條形碼：9787560659060 ; 978-7-5606-5906-0
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>
氮化鎵基半導體異質結構及二維電子氣 內容簡介
GaN基寬禁帶半導體異質結構具有很高的應用價值，是發展高頻、高功率電子器件*優選的半導體材料。本書基于國內外GaN基電子材料和器件的發展現狀和趨勢，從晶體結構、能帶結構、襯底材料、外延生長、射頻電子器件和功率電子器件研制等方面詳細論述了GaN基半導體異質結構和二維電子氣的物理性質、國內外發展動態、面臨的關鍵科學技術問題、主要的材料和器件研發成果及其應用情況和發展前景。 本書可作為相關專業高年級本科生和研究生的教學參考用書，可為從事寬禁帶半導體電子材料和器件研發及生產的科技工作者、企業工程技術人員提供參考，也可供從事該領域科研和高技術產業管理的企業家和政府官員使用。
氮化鎵基半導體異質結構及二維電子氣 目錄
第1章半導體異質結構的基本物理性質
1.1半導體材料和半導體異質結構
1.1.1半導體材料的導電類型和晶體結構
1.1.2半導體異質結構界面的晶格失配
1.2半導體異質結構的能帶圖
1.2.1不考慮界面態的異質結構能帶圖
1.2.2考慮界面態的異質結構能帶圖
1.2.3界面漸變異質結構的能帶圖及Anderson模型的修正
1.3半導體異質結構中的二維電子氣
1.3.1異質結構中二維電子氣的形成
1.3.2異質結構中二維電子氣的基本物理性質
1.4半導體異質結構的電學特性
1.4.1異質結構的電流-電壓特性
1.4.2異質結構的勢壘電容
1.4.3異質結構的載流子注人特性
參考文獻
……
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