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集成電路高可靠封裝技術(shù) 版權(quán)信息
- ISBN：9787111701224
- 條形碼：9787111701224 ; 978-7-111-70122-4
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊數(shù)：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>
集成電路高可靠封裝技術(shù) 本書特色
適讀人群 ：電子封裝工藝、技術(shù)和工程領(lǐng)域科研人員、高校師生及企業(yè)等相關(guān)單位科技工作者作者團隊長期從事封裝工藝技術(shù)研究、集成電路可靠性研究、失效分析、封裝抗輻射加固技術(shù)研究和制造等工作。 對于高可靠集成電路，本書的內(nèi)容既關(guān)注封測各工藝環(huán)節(jié)和檢測技術(shù)的新近成果，又關(guān)注技術(shù)落地實踐的經(jīng)驗總結(jié)，對國內(nèi)相關(guān)研究有一定的參考價值。也希望本書可以助力我國芯片產(chǎn)業(yè)進一步發(fā)展和逐步成熟。
集成電路高可靠封裝技術(shù) 內(nèi)容簡介
本書應(yīng)用理論和實際經(jīng)驗并重，共分為五章。第1章概括介紹了集成電路高可靠封裝體系框架；之后四章詳細講解了劃片、粘片、引線鍵合和密封四大工序，每章都介紹相應(yīng)工序的基本概念，并將該工序的重點內(nèi)容、行業(yè)內(nèi)關(guān)注的熱點、常見的失效問題及產(chǎn)生機理，按照小節(jié)逐一展開。本書內(nèi)容齊全，凝聚了多年的科研成果，更吸收了國內(nèi)外相關(guān)科研工作者的智慧結(jié)晶，是目前關(guān)于集成電路高可靠封裝技術(shù)前沿、詳盡、實用的圖書。 本書可作為電子封裝工藝、技術(shù)和工程領(lǐng)域科研人員、高校師生及企業(yè)等相關(guān)單位科技工作者的重要參考書。
集成電路高可靠封裝技術(shù) 目錄
前言
第1章 概述 1
1.1 關(guān)鍵術(shù)語及含義 1
1.1.1 可靠性 1
1.1.2 高可靠 2
1.1.3 陶瓷封裝 2
1.1.4 潔凈室 2
1.1.5 質(zhì)量等級 3
1.1.6 輻照加固保證（RHA） 3
1.1.7 二次篩選 3
1.1.8 失效分析（FA） 3
1.1.9 破壞性物理分析（DPA） 5
1.1.10 質(zhì)量體系 6
1.1.11 統(tǒng)計過程控制（SPC） 6
1.2 電子封裝技術(shù)的發(fā)展 6
1.2.1 摩爾定律 6
1.2.2 集成電路和混合電路 8
1.2.3 高可靠封裝類型 8
1.2.4 金屬封裝類型 10
1.2.5 封裝外形圖及標注 11
1.3 封裝工藝及檢驗 12
1.3.1 高可靠封裝 12
1.3.2 檢驗 12
1.3.3 執(zhí)行標準 13
1.3.4 美國標準 14
參考文獻 15
第2章 劃片 16
2.1 劃片工藝概述 16
2.1.1 劃片工藝介紹 16
2.1.2 劃片方式 17
2.1.3 劃片工藝步驟 19
2.1.4 機遇與挑戰(zhàn) 22
2.2 劃片刀及原理 23
2.2.1 劃片刀組成 23
2.2.2 劃片刀結(jié)構(gòu)特點 23
2.2.3 劃片刀切割機理 25
2.2.4 刀刃與線寬 26
2.2.5 刀片磨損 26
2.3 崩邊、分層及影響因素 28
2.3.1 正面崩邊 28
2.3.2 背面崩邊 30
2.3.3 劃片刀選型 32
2.3.4 砂輪轉(zhuǎn)速 32
2.3.5 藍膜粘接強度 32
2.3.6 晶圓厚度 33
2.3.7 冷卻水添加劑 33
2.3.8 劃片參數(shù) 34
2.4 激光切割 34
2.4.1 激光切割的優(yōu)勢 34
2.4.2 紫外激光劃片 35
2.4.3 激光隱形劃片 37
2.4.4 微水刀激光 38
2.5 劃片工藝面對的挑戰(zhàn) 38
2.5.1 超薄晶圓 38
2.5.2 低k介質(zhì)晶圓 39
2.5.3 砷化鎵 40
2.5.4 碳化硅 42
參考文獻 43
第3章 粘片 45
3.1 粘片工藝概述 45
3.1.1 粘片工藝介紹 45
3.1.2 粘片工藝的選擇 46
3.1.3 粘片質(zhì)量標準———剪切強度 46
3.1.4 粘片質(zhì)量指標———空洞率 47
3.2 導熱膠粘片 47
3.2.1 粘接原理 47
3.2.2 導電膠的固化 48
3.2.3 玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg 48
3.3 導電膠的特性 49
3.3.1 導電膠的組成 49
3.3.2 導電膠的導電原理 49
3.3.3 各向異性導電膠 49
3.3.4 導電性與粘接強度 50
3.3.5 水汽與導電性 51
3.3.6 固化溫度與導電性 51
3.3.7 銀遷移 53
3.4 粘接可靠性的失效模式與影響分析（FMEA） 53
3.4.1 FMEA 53
3.4.2 芯片粘接失效模式統(tǒng)計 54
3.4.3 芯片粘接FMEA表格的建立 55
3.5 導熱膠的失效 56
3.5.1 吸濕與氧化腐蝕 56
3.5.2 裂紋和分層 56
3.5.3 蠕變 57
3.5.4 溢出膠量與應(yīng)力 57
3.5.5 膠層厚度與應(yīng)力 58
3.5.6 不良應(yīng)力與導熱膠粘接失效 59
3.5.7 保存與使用失效 59
3.6 芯片的堆疊與應(yīng)力 60
3.6.1 多芯片堆疊 60
3.6.2 多層芯片堆疊應(yīng)力集中 61
3.6.3 芯片的裂紋 62
3.6.4 爬膠與膠膜 62
3.7 焊接的基本概念 63
3.7.1 潤濕 63
3.7.2 鋪展 64
3.7.3 填縫 65
3.7.4 釬焊 65
3.7.5 軟焊料 66
3.7.6 界面金屬間化合物（IMC） 66
3.7.7 共晶 66
3.7.8 固溶體 67
3.7.9 相圖 68
3.8 芯片焊接工藝 68
3.8.1 芯片焊接 68
3.8.2 共晶摩擦粘片 68
3.8.3 燒結(jié)粘片 68
3.8.4 多溫度梯度粘片 68
3.9 典型焊料相圖與性質(zhì) 70
3.9.1 Sn-Pb合金 70
3.9.2 Au-Sn合金 71
3.9.3 Au-Si合金 72
3.9.4 Au-Ge合金 73
3.10 真空燒結(jié)粘片 73
3.10.1 真空燒結(jié)的含義 73
3.10.2 燒結(jié)溫度曲線 74
3.10.3 焊料熔融時間 75
3.10.4 燒結(jié)過程中的氣氛 76
3.10.5 燒結(jié)過程中的還原氣體 78
3.10.6 燒結(jié)過程中的焊接壓力 79
3.11 芯片焊接失效模式 81
3.11.1 失效模式分析 81
3.11.2 芯片脫落失效原因及采取措施 82
3.11.3 粘接空洞失效原因及采取措施 82
3.11.4 內(nèi)部氣氛不合格原因及采取措施 83
3.12 焊接空洞 83
3.12.1 焊接空洞的標準 83
3.12.2 氧化對空洞的影響 84
3.12.3 助焊劑選型與空洞 84
3.12.4 焊接工藝與空洞率 84
3.12.5 真空度與焊接空洞 85
參考文獻 86
第
第1章 概述 1
1.1 關(guān)鍵術(shù)語及含義 1
1.1.1 可靠性 1
1.1.2 高可靠 2
1.1.3 陶瓷封裝 2
1.1.4 潔凈室 2
1.1.5 質(zhì)量等級 3
1.1.6 輻照加固保證（RHA） 3
1.1.7 二次篩選 3
1.1.8 失效分析（FA） 3
1.1.9 破壞性物理分析（DPA） 5
1.1.10 質(zhì)量體系 6
1.1.11 統(tǒng)計過程控制（SPC） 6
1.2 電子封裝技術(shù)的發(fā)展 6
1.2.1 摩爾定律 6
1.2.2 集成電路和混合電路 8
1.2.3 高可靠封裝類型 8
1.2.4 金屬封裝類型 10
1.2.5 封裝外形圖及標注 11
1.3 封裝工藝及檢驗 12
1.3.1 高可靠封裝 12
1.3.2 檢驗 12
1.3.3 執(zhí)行標準 13
1.3.4 美國標準 14
參考文獻 15
第2章 劃片 16
2.1 劃片工藝概述 16
2.1.1 劃片工藝介紹 16
2.1.2 劃片方式 17
2.1.3 劃片工藝步驟 19
2.1.4 機遇與挑戰(zhàn) 22
2.2 劃片刀及原理 23
2.2.1 劃片刀組成 23
2.2.2 劃片刀結(jié)構(gòu)特點 23
2.2.3 劃片刀切割機理 25
2.2.4 刀刃與線寬 26
2.2.5 刀片磨損 26
2.3 崩邊、分層及影響因素 28
2.3.1 正面崩邊 28
2.3.2 背面崩邊 30
2.3.3 劃片刀選型 32
2.3.4 砂輪轉(zhuǎn)速 32
2.3.5 藍膜粘接強度 32
2.3.6 晶圓厚度 33
2.3.7 冷卻水添加劑 33
2.3.8 劃片參數(shù) 34
2.4 激光切割 34
2.4.1 激光切割的優(yōu)勢 34
2.4.2 紫外激光劃片 35
2.4.3 激光隱形劃片 37
2.4.4 微水刀激光 38
2.5 劃片工藝面對的挑戰(zhàn) 38
2.5.1 超薄晶圓 38
2.5.2 低k介質(zhì)晶圓 39
2.5.3 砷化鎵 40
2.5.4 碳化硅 42
參考文獻 43
第3章 粘片 45
3.1 粘片工藝概述 45
3.1.1 粘片工藝介紹 45
3.1.2 粘片工藝的選擇 46
3.1.3 粘片質(zhì)量標準———剪切強度 46
3.1.4 粘片質(zhì)量指標———空洞率 47
3.2 導熱膠粘片 47
3.2.1 粘接原理 47
3.2.2 導電膠的固化 48
3.2.3 玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg 48
3.3 導電膠的特性 49
3.3.1 導電膠的組成 49
3.3.2 導電膠的導電原理 49
3.3.3 各向異性導電膠 49
3.3.4 導電性與粘接強度 50
3.3.5 水汽與導電性 51
3.3.6 固化溫度與導電性 51
3.3.7 銀遷移 53
3.4 粘接可靠性的失效模式與影響分析（FMEA） 53
3.4.1 FMEA 53
3.4.2 芯片粘接失效模式統(tǒng)計 54
3.4.3 芯片粘接FMEA表格的建立 55
3.5 導熱膠的失效 56
3.5.1 吸濕與氧化腐蝕 56
3.5.2 裂紋和分層 56
3.5.3 蠕變 57
3.5.4 溢出膠量與應(yīng)力 57
3.5.5 膠層厚度與應(yīng)力 58
3.5.6 不良應(yīng)力與導熱膠粘接失效 59
3.5.7 保存與使用失效 59
3.6 芯片的堆疊與應(yīng)力 60
3.6.1 多芯片堆疊 60
3.6.2 多層芯片堆疊應(yīng)力集中 61
3.6.3 芯片的裂紋 62
3.6.4 爬膠與膠膜 62
3.7 焊接的基本概念 63
3.7.1 潤濕 63
3.7.2 鋪展 64
3.7.3 填縫 65
3.7.4 釬焊 65
3.7.5 軟焊料 66
3.7.6 界面金屬間化合物（IMC） 66
3.7.7 共晶 66
3.7.8 固溶體 67
3.7.9 相圖 68
3.8 芯片焊接工藝 68
3.8.1 芯片焊接 68
3.8.2 共晶摩擦粘片 68
3.8.3 燒結(jié)粘片 68
3.8.4 多溫度梯度粘片 68
3.9 典型焊料相圖與性質(zhì) 70
3.9.1 Sn-Pb合金 70
3.9.2 Au-Sn合金 71
3.9.3 Au-Si合金 72
3.9.4 Au-Ge合金 73
3.10 真空燒結(jié)粘片 73
3.10.1 真空燒結(jié)的含義 73
3.10.2 燒結(jié)溫度曲線 74
3.10.3 焊料熔融時間 75
3.10.4 燒結(jié)過程中的氣氛 76
3.10.5 燒結(jié)過程中的還原氣體 78
3.10.6 燒結(jié)過程中的焊接壓力 79
3.11 芯片焊接失效模式 81
3.11.1 失效模式分析 81
3.11.2 芯片脫落失效原因及采取措施 82
3.11.3 粘接空洞失效原因及采取措施 82
3.11.4 內(nèi)部氣氛不合格原因及采取措施 83
3.12 焊接空洞 83
3.12.1 焊接空洞的標準 83
3.12.2 氧化對空洞的影響 84
3.12.3 助焊劑選型與空洞 84
3.12.4 焊接工藝與空洞率 84
3.12.5 真空度與焊接空洞 85
參考文獻 86
第
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集成電路高可靠封裝技術(shù) 作者簡介
主編趙鶴然，在電子封裝領(lǐng)域工作十余年；長期從事封裝工藝技術(shù)研究、集成電路可靠性研究、失效分析、封裝抗輻射加固技術(shù)研究等工作；作為項目負責人，主持項目兩項；作為封裝負責人，參與科研、生產(chǎn)項目10余項；被中國電子科技集團公司第四十七研究所評為2019年度優(yōu)秀青年人才，2020年度優(yōu)秀科技人才。
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