包郵硅通孔三維封裝技術(shù)

作者：于大全

出版社：電子工業(yè)出版社出版時間：2021-09-01

開本： 16開 頁數(shù)： 308

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版權(quán)信息
內(nèi)容簡介
目錄
作者簡介

硅通孔三維封裝技術(shù) 版權(quán)信息

ISBN：9787121420160
條形碼：9787121420160 ; 978-7-121-42016-0
裝幀：一般膠版紙
冊數(shù)：暫無
重量：暫無
所屬分類：
工業(yè)技術(shù)
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電子通信
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一般性問題

硅通孔三維封裝技術(shù) 內(nèi)容簡介

硅通孔（TSV）技術(shù)是當(dāng)前先進(jìn)性**的封裝互連技術(shù)之一，基于TSV技術(shù)的三維（3D）封裝能夠?qū)崿F(xiàn)芯片之間的高密度封裝，能有效滿足高功能芯片超薄、超小、多功能、高性能、低功耗及低成本的封裝需求。本書針對TSV技術(shù)本身，介紹了TSV結(jié)構(gòu)、性能與集成流程、TSV單元工藝、圓片級鍵合技術(shù)與應(yīng)用、圓片減薄與拿持技術(shù)、再布線與微凸點技術(shù)；基于TSV的封裝技術(shù)，介紹了2.5D TSV中介層封裝技術(shù)、3D WLCSP技術(shù)與應(yīng)用、3D集成電路集成工藝與應(yīng)用、3D集成電路的散熱與可靠性。

硅通孔三維封裝技術(shù) 目錄

第1章三維封裝發(fā)展概述
1．1 封裝技術(shù)發(fā)展
1．2 拓展摩爾定律――3D封裝
1．2．1 3D封裝驅(qū)動力
1．2．2 3D TSV封裝優(yōu)勢
1．3 3D封裝技術(shù)發(fā)展趨勢
1．4 本書章節(jié)概覽
第2章 TSV結(jié)構(gòu)、性能與集成流程
2．1 TSV定義和基本結(jié)構(gòu)
2．2 TSV工藝流程概述
2．3 Via-middle技術(shù)
2．4 Via-last技術(shù)
2．5 其他TSV技術(shù)路線
2．6 本章小結(jié)
第3章 TSV單元工藝
3．1 TSV刻蝕技術(shù)
3．2 TSV側(cè)壁絕緣技術(shù)
3．3 TSV黏附層、擴(kuò)散阻擋層及種子層沉積技術(shù)
3．4 TSV電鍍填充技術(shù)
3．5 TSV平坦化技術(shù)
3．6 TSV背面露銅技術(shù)
3．7 本章小結(jié)
第4章圓片級鍵合技術(shù)與應(yīng)用
4．1 圓片級鍵合與3D封裝概述
4．1．1 圓片-圓片鍵合與芯片-圓片鍵合
4．1．2 直接鍵合與間接鍵合
4．1．3 正面-正面鍵合與正面-背面鍵合
4．1．4 圓片級鍵合與多片/單片3D集成
4．2 介質(zhì)鍵合技術(shù)
4．2．1 介質(zhì)鍵合技術(shù)簡介
4．2．2 氧化硅親水性鍵合
4．2．3 聚合物膠熱壓鍵合
4．3 金屬圓片鍵合技術(shù)
4．3．1 金屬直接鍵合技術(shù)簡介
4．3．2 銅-銅熱壓鍵合
4．3．3 表面活化鍵合
4．4 金屬/介質(zhì)混合鍵合技術(shù)
4．4．1 混合鍵合技術(shù)簡介
4．4．2 銅/氧化硅混合鍵合
4．4．3 銅/聚合物膠混合鍵合
4．4．4 微凸點/聚合物膠混合鍵合
4．5 本章小結(jié)
第5章圓片減薄與拿持技術(shù)
5．1 圓片減薄技術(shù)
5．1．1 圓片減薄工藝
5．1．2 圓片切邊工藝
5．1．3 中心區(qū)域減薄無載體薄圓片拿持技術(shù)
5．2 圓片臨時鍵合技術(shù)
5．2．1 臨時鍵合膠的選擇
5．2．2 載片的選擇
5．2．3 臨時鍵合質(zhì)量的評價標(biāo)準(zhǔn)
5．3 圓片拆鍵合技術(shù)
5．3．1 熱滑移方法
5．3．2 紫外光剝離方法
5．3．3 濕法溶解方法
5．3．4 疊層膠體縱向分離方法
5．3．5 區(qū)域鍵合方法
5．3．6 激光拆鍵合方法
5．4 臨時鍵合材料
5．4．1 熱滑移拆鍵合材料
5．4．2 機(jī)械拆臨時鍵合材料
5．4．3 紫外激光拆鍵合材料
5．4．4 紅外激光拆鍵合材料
5．5 本章小結(jié)
第6章再布線與微凸點技術(shù)
6．1 再布線技術(shù)
6．1．1 圓片級扇入型封裝再布線技術(shù)
6．1．2 圓片級扇出型封裝再布線技術(shù)
6．2 釬料凸點技術(shù)
6．2．1 釬料凸點制備
6．2．2 基于釬料凸點的2．5D/3D封裝
6．3 銅柱凸點技術(shù)
6．3．1 銅柱凸點簡介
6．3．2 銅柱凸點互連機(jī)制及應(yīng)用
6．4 銅凸點技術(shù)
6．4．1 銅凸點簡介
6．4．2 銅凸點互連機(jī)制及應(yīng)用
6．5 本章小結(jié)
第7章 2．5D TSV中介層封裝技術(shù)
7．1 TSV中介層的結(jié)構(gòu)與特點
7．2 TSV中介層技術(shù)發(fā)展與應(yīng)用
7．3 TSV中介層電性能分析
7．3．1 TSV的傳輸特性研究
7．3．2 中介層互連線傳輸特性分析
7．3．3 TSV中介層信號完整性仿真分析
7．3．4 TSV中介層電源完整性仿真分析
7．3．5 TSV中介層版圖設(shè)計
7．4 2．5 D TSV中介層封裝熱設(shè)計與仿真
7．4．1 Z方向等效導(dǎo)熱系數(shù)
7．4．2 X-Y方向等效導(dǎo)熱系數(shù)
7．4．3 中介層對封裝熱阻的影響
7．5 2．5D TSV中介層封裝研究實例
7．5．1 TSV中介層電路結(jié)構(gòu)設(shè)計
7．5．2 TSV中介層工藝流程
7．5．3 有機(jī)基板設(shè)計與仿真
7．5．4 中介層工藝研究
7．6 本章小結(jié)
第8章 3D WLCSP技術(shù)與應(yīng)用
8．1 基于TSV和圓片鍵合的3D WLCSP技術(shù)
8．1．1 圖像傳感器圓片級封裝技術(shù)
8．1．2 車載圖像傳感器產(chǎn)品圓片級封裝技術(shù)
8．1．3 垂直TSV技術(shù)圖像傳感器圓片級封裝工藝
8．2 基于Via-last型TSV的埋入硅基3D扇出型封裝技術(shù)
8．2．1 封裝工藝流程
8．2．2 封裝工藝研究
8．2．3 背面制造工藝流程
8．3 3D圓片級扇出型封裝技術(shù)
8．4 本章小結(jié)
第9章 3D集成電路集成工藝與應(yīng)用
9．1 3D集成電路集成方法
9．1．1 C2C堆疊
9．1．2 C2W堆疊
9．1．3 W2W堆疊
9．2 存儲器3D集成
9．2．1 三星動態(tài)隨機(jī)存取存儲器
9．2．2 美光混合立方存儲器
9．2．3 海力士高帶寬內(nèi)存
9．3 異質(zhì)芯片3D集成
9．3．1 異質(zhì)集成射頻器件
9．3．2 集成光電子器件
9．4 無凸點3D集成電路集成
9．5 3D集成模塊化整合
9．6 本章小結(jié)
第10章 3D集成電路的散熱與可靠性
10．1 3D集成電路中的熱管理
10．1．1 熱阻分析法
10．1．2 有限元分析法
10．2 3D集成電路散熱影響因素與改進(jìn)
10．3 TSV電學(xué)可靠性
10．4 TSV噪聲耦合
10．5 TSV的熱機(jī)械可靠性
10．5．1 TSV中的熱機(jī)械失效
10．5．2 TSV熱機(jī)械可靠性影響因素
10．6 3D集成電路中的電遷移
10．6．1 電遷移現(xiàn)象
10．6．2 電遷移的基本理論
10．6．3 溫度和應(yīng)力對電遷移的影響
10．6．4 電遷移失效模型
10．6．5 影響電遷移的因素和降低電遷移的措施
10．7 3D集成電路中的熱力學(xué)可靠性
10．7．1 封裝結(jié)構(gòu)對可靠性的影響
10．7．2 3D集成電路中的失效問題
10．7．3 3D集成電路熱力學(xué)分析與測試
10．8 3D封裝中芯片封裝交互作用
10．8．1 封裝形式對芯片失效的影響
10．8．2 芯片和封裝交互影響問題
10．8．3 交互影響分析和設(shè)計
10．9 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)

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硅通孔三維封裝技術(shù) 作者簡介

于大全博士，廈門大學(xué)微電子與集成電路系主任、閩江學(xué)者特聘教授、博導(dǎo)，中科院百人計劃，國家02重大專項總體組特聘專家、中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會MEMS分會副理事長、全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會委員。國家自然科學(xué)基金項目、國家科技重大專項02專項、中科院百人計劃項目主持人。

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