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包郵 清華大學(xué)很好博士學(xué)位論文叢書納米體硅CMOS工藝邏輯電路單粒子效應(yīng)研究
作者：陳榮梅
開本：
其他
頁數(shù)：
152
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清華大學(xué)很好博士學(xué)位論文叢書納米體硅CMOS工藝邏輯電路單粒子效應(yīng)研究 版權(quán)信息
- ISBN：9787302557470
- 條形碼：9787302557470 ; 978-7-302-55747-0
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊數(shù)：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>
清華大學(xué)很好博士學(xué)位論文叢書納米體硅CMOS工藝邏輯電路單粒子效應(yīng)研究 本書特色
《納米體硅CMOS工藝邏輯電路單粒子效應(yīng)研究》的作者陳榮梅主要從事集成電路的輻射效應(yīng)，碳納米管互連線和晶體管的集成工藝、物理分析和電路建模與設(shè)計的研究工作，其研究成果得到國際知名專家和同行的高度認(rèn)可。本書深入研究了納米體硅CMOS工藝邏輯電路中單粒子效應(yīng)的產(chǎn)生與傳播受電路工作電壓、頻率和版圖結(jié)構(gòu)這些電路內(nèi)在因素以及溫度和總劑量兩種空間環(huán)境變量的影響規(guī)律及其機(jī)理，可供相關(guān)領(lǐng)域的研究人員深度閱讀。 本書稿屬于清華大學(xué)優(yōu)秀博士論文叢書之一，作者聚焦專業(yè)熱門，現(xiàn)在法國繼續(xù)從事相關(guān)專業(yè)的科學(xué)研究。
清華大學(xué)很好博士學(xué)位論文叢書納米體硅CMOS工藝邏輯電路單粒子效應(yīng)研究 內(nèi)容簡介
空間輻射環(huán)境對宇航電子系統(tǒng)構(gòu)成嚴(yán)峻的可靠性威脅。納米集成電路具有高性能、高集成度等優(yōu)點，是未來宇航電子系統(tǒng)的必然選擇。《納米體硅CMOS工藝邏輯電路單粒子效應(yīng)研究》深入研究納米體硅CMOS工藝邏輯電路中單粒子效應(yīng)的產(chǎn)生與傳播受電路工作電壓、頻率和版圖結(jié)構(gòu)這些電路內(nèi)在因素以及溫度和總劑量兩種空間環(huán)境變量的影響規(guī)律及其機(jī)理。
清華大學(xué)很好博士學(xué)位論文叢書納米體硅CMOS工藝邏輯電路單粒子效應(yīng)研究 目錄
第1章 緒論
1．1 課題背景和意義
1．2 空間輻射環(huán)境
1．3 邏輯電路的輻射效應(yīng)
1．3．1 單粒子效應(yīng)和總劑量效應(yīng)
1．3．2 邏輯電路的單粒子效應(yīng)
1．4 國內(nèi)外研究現(xiàn)狀
1．4．1 納米邏輯電路SEU軟錯誤傳播規(guī)律
1．4．2 版圖結(jié)構(gòu)對納米邏輯電路SET影響
1．4．3 總劑量效應(yīng)對納米邏輯電路SEE影響
1．4．4 溫度對納米邏輯電路SEE影響
1．5 本書的目標(biāo)和研究內(nèi)容
第2章 納米邏輯電路SEU軟錯誤傳播規(guī)律的研究
2．1 本章引論
2．2 邏輯電路SEU傳播模型分析和仿真驗證
2．2．1 現(xiàn)有的邏輯電路SEU傳播模型分析
2．2．2 現(xiàn)有的邏輯電路SEU傳播模型仿真驗證
2．2．3 改進(jìn)的邏輯電路SEU傳播模型
2．3 改進(jìn)的邏輯電路SEU傳播模型的實驗驗證
2．3．1 電路設(shè)計和實驗方法
2．3．2 實驗結(jié)果和討論
2．4 改進(jìn)的邏輯電路SEU傳播模型的應(yīng)用
2．4．1 觸發(fā)器SEU軟錯誤的加固策略
2．4．2 邏輯電路SEE軟錯誤動態(tài)截面評估
2．5 單粒子軟錯誤傳播規(guī)律的影響因素
2．5．1 電路設(shè)計
2．5．2 組合邏輯延遲時間的影響
2．5．3 入射粒子LET的影響
2．5．4 觸發(fā)器抗SEU性能的影響
2．5．5 邏輯電路單粒子軟錯誤截面的預(yù)測
2．6 本章小結(jié)
第3章 版圖結(jié)構(gòu)對納米邏輯電路SET影響的研究
3．1 本章引論
3．2 電路設(shè)計和實驗方法
3．2．1 電路設(shè)計
3．2．2 實驗方法
3．3 實驗結(jié)果和討論
3．3．1 SET脈沖寬度測量精度和測量下限的標(biāo)定
3．3．2 SET脈沖寬度展寬因子的標(biāo)定
3．3．3 重離子垂直入射實驗結(jié)果和分析
3．3．4 重離子斜入射實驗結(jié)果和分析
3．3．5 激光微束單粒子效應(yīng)實驗結(jié)果和分析
3．3．6 對比分析和討論
3．4 本章小結(jié)
……
第4章 總劑量對納米邏輯電路SEE影響的研究
第5章 溫度對納米邏輯電路SEE的影響
第6章 總結(jié)與展望
參考文獻(xiàn)
在學(xué)期間發(fā)表的相關(guān)學(xué)術(shù)論文
相關(guān)研究成果
致謝
1．1 課題背景和意義
1．2 空間輻射環(huán)境
1．3 邏輯電路的輻射效應(yīng)
1．3．1 單粒子效應(yīng)和總劑量效應(yīng)
1．3．2 邏輯電路的單粒子效應(yīng)
1．4 國內(nèi)外研究現(xiàn)狀
1．4．1 納米邏輯電路SEU軟錯誤傳播規(guī)律
1．4．2 版圖結(jié)構(gòu)對納米邏輯電路SET影響
1．4．3 總劑量效應(yīng)對納米邏輯電路SEE影響
1．4．4 溫度對納米邏輯電路SEE影響
1．5 本書的目標(biāo)和研究內(nèi)容
第2章 納米邏輯電路SEU軟錯誤傳播規(guī)律的研究
2．1 本章引論
2．2 邏輯電路SEU傳播模型分析和仿真驗證
2．2．1 現(xiàn)有的邏輯電路SEU傳播模型分析
2．2．2 現(xiàn)有的邏輯電路SEU傳播模型仿真驗證
2．2．3 改進(jìn)的邏輯電路SEU傳播模型
2．3 改進(jìn)的邏輯電路SEU傳播模型的實驗驗證
2．3．1 電路設(shè)計和實驗方法
2．3．2 實驗結(jié)果和討論
2．4 改進(jìn)的邏輯電路SEU傳播模型的應(yīng)用
2．4．1 觸發(fā)器SEU軟錯誤的加固策略
2．4．2 邏輯電路SEE軟錯誤動態(tài)截面評估
2．5 單粒子軟錯誤傳播規(guī)律的影響因素
2．5．1 電路設(shè)計
2．5．2 組合邏輯延遲時間的影響
2．5．3 入射粒子LET的影響
2．5．4 觸發(fā)器抗SEU性能的影響
2．5．5 邏輯電路單粒子軟錯誤截面的預(yù)測
2．6 本章小結(jié)
第3章 版圖結(jié)構(gòu)對納米邏輯電路SET影響的研究
3．1 本章引論
3．2 電路設(shè)計和實驗方法
3．2．1 電路設(shè)計
3．2．2 實驗方法
3．3 實驗結(jié)果和討論
3．3．1 SET脈沖寬度測量精度和測量下限的標(biāo)定
3．3．2 SET脈沖寬度展寬因子的標(biāo)定
3．3．3 重離子垂直入射實驗結(jié)果和分析
3．3．4 重離子斜入射實驗結(jié)果和分析
3．3．5 激光微束單粒子效應(yīng)實驗結(jié)果和分析
3．3．6 對比分析和討論
3．4 本章小結(jié)
……
第4章 總劑量對納米邏輯電路SEE影響的研究
第5章 溫度對納米邏輯電路SEE的影響
第6章 總結(jié)與展望
參考文獻(xiàn)
在學(xué)期間發(fā)表的相關(guān)學(xué)術(shù)論文
相關(guān)研究成果
致謝
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清華大學(xué)很好博士學(xué)位論文叢書納米體硅CMOS工藝邏輯電路單粒子效應(yīng)研究 作者簡介
陳榮梅,先后于2012年和2017年在清華大學(xué)取得本科和博士學(xué)位，現(xiàn)在法國國家科學(xué)院從事博士后研究。主要從事集成電路的輻射效應(yīng)，碳納米管互連線和晶體管的集成工藝、物理分析和電路建模與設(shè)計的研究。截止到目前在IEEE Transactions on Nuclear Science, Microelectronics, IEEE Transactions on Nanotechnology 等知名期刊上發(fā)表了近十篇論文，其中一作六篇。還有三篇文章在IEEE Transactions on Electron Devices上審稿。多次參加國際知名會議，并在集成電路輻射效應(yīng)頂級會議NSREC和RADECS上做了數(shù)次口頭報告，研究成果得到國際知名專家和同行的高度認(rèn)可。
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