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超大規模集成電路先進光刻理論與應用 版權信息
- ISBN：9787030482686
- 條形碼：9787030482686 ; 978-7-03-048268-6
- 裝幀：平裝-膠訂
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
超大規模集成電路先進光刻理論與應用 本書特色
光刻技術是所有微納器件制造的核心技術。特別是在集成電路制造中，正是由于光刻技術的不斷提高才使得摩爾定律（器件集成度每兩年左右翻一番）得以繼續。本書覆蓋現代光刻技術的主要方面，包括設備、材料、仿真（計算光刻）和工藝，內容直接取材于國際先進集成電路制造技術，為了保證先進性，特別側重于32nm節點以下的技術。書中引用了很多工藝實例，這些實例都是經過生產實際驗證的，希望能對讀者有所啟發。
超大規模集成電路先進光刻理論與應用 內容簡介
光刻技術是所有微納器件制造的核心技術。在集成電路制造中，正是由于光刻技術的不斷提高才使得摩爾定律得以繼續。本書覆蓋現代光刻技術的重要方面，包括設備、材料、仿真（計算光刻）和工藝。在設備部分，對業界使用的主流設備進行剖析，介紹其原理結構、使用方法、和工藝參數的設置。在材料部分，介紹了包括光刻膠、抗反射涂層、抗水涂層、和使用旋圖工藝的硬掩膜等材料的分子結構、使用方法，以及必須達到的性能參數。本書按照仿真技術發展的順序，系統介紹基于經驗的光學鄰近效應修正、基于模型的光學鄰近效應修正、亞曝光分辨率的輔助圖形、光源-掩模版共優化技術和反演光刻技術。如何控制套刻精度是光刻中認可的技術難點，本書有一章專門討論曝光對準系統和控制套刻精度的方法。另外，本書特別介紹新光刻工藝研究的方法論、光刻工程師的職責，以及如何協調各方資源保證研發進度。
超大規模集成電路先進光刻理論與應用 目錄
目錄
前言
第1章 光刻技術概述1
1.1半導體技術節點1
1.2集成電路的結構和光刻層3
1.3光刻工藝4
1.4曝光系統的分辨率和聚焦深度6
1.4.1分辨率6
1.4.2聚焦深度9
1.4.3調制傳遞函數11
1.5對設計的修正和版圖數據流程12
1.6光刻工藝的評價標準14
1.7去膠返工15
1.8光刻工藝中缺陷的檢測16
1.8.1旋涂后光刻薄膜中缺陷的檢測16
1.8.2曝光后圖形的缺陷檢測18
1.9光刻工藝的成本18
1.10現代光刻工藝研發各部分的職責和協作 20
1.10.1晶圓廠光刻內部的分工以及各單位之問的交叉和牽制 20
1.10.2先導光刻工藝研發的模式22
1.10.3光刻與刻蝕的關系23
參考文獻 24
第2章 勻膠顯影機及其應用 26
2.1勻膠顯影機的結構 26
2.2勻膠顯影流程的控制程序28
2.3勻膠顯影機內的主要工藝單元 29
2.3.1晶圓表面增粘處理 29
2.3.2光刻膠旋涂單元 31
2.3.3烘烤和冷卻36
2.3.4邊緣曝光39
2.3.5顯影單元40
2.4清洗工藝單元 45
2.4.1去離子水沖洗46
2.4.2晶圓背面清洗47
2.5勻膠顯影機中的子系統 49
2.5.1化學液體輸送系統 49
2.5.2勻膠顯影機中的微環境和氣流控制 57
2.5.3廢液收集系統58
2.5.4數據庫系統59
2.6勻膠顯影機性能的監測 59
2.6.1膠厚的監測 59
2.6.2旋涂后膠膜上顆粒的監測 60
2.6.3顯影后圖形缺陷的監測62
2.6.4熱盤溫度的監測64
2.7集成于勻膠顯影機中的在線測量單元 65
2.7.1膠厚測量單元66
2.7.2膠膜缺陷的檢測 67
2.7.3使用高速相機原位監測工藝單元內的動態 68
2.8勻膠顯影機中的閉環工藝修正 68
2.9勻膠顯影設備安裝后的接收測試70
2.9.1顆粒測試70
2.9.2增粘單元的驗收71
2.9.3旋涂均勻性和穩定性的驗收71
2.9.4顯影的均勻性和穩定性測試72
2.9.5系統可靠性測試72
2.9.6產能測試72
2.9.7對機械手的要求74
2.10勻膠顯影機的使用維護74
參考文獻75
第3章 光刻機及其應用78
3.1投影式光刻機的工作原理79
3.1.1步進掃描式曝光79
3.1.2光刻機曝光的流程80
3.1.3曝光工作文件的設定 81
3 .1.4雙工件臺介紹82
3.2光刻機的光源及光路設計 83
3.2.1光刻機的光源83
3 .2.2投影光路的設計86
3 .2.3 193nm浸沒式光刻機89
3.3光照條件 90
3.3.1在軸與離軸照明90
3.3.2光刻機中的照明方式及其定義92
3.3.3光照條件的設置和衍射光學元件 95
3 .3.4像素化和可編程的光照 96
3.3.5偏振照明 97
3.4成像系統中的問題102
3 .4.1波前畸變的Zernike描述103
3 .4.2對成像波前的修正108
3 .4.3投影透鏡的熱效應109
3 .4.4掩模版形狀修正111
3 .4.5掩模熱效應的修正111
3 .4.6曝光劑量修正113
3.5聚焦系統115
3.5.1表面水平傳感系統115
3.5.2晶圓邊緣區域的聚焦117
3.5.3氣壓表面測量系統118
3.5.4聚焦誤差的來源與聚焦穩定性的監控119
3.6光刻機的對準系統120
3.6.1掩模的預對準和定位120
3.6.2晶圓的預對準和定位121
3.6.3掩模工件臺與晶圓工件臺之問的對準122
3 .6.4掩模與晶圓的對準123
3.6.5對準標識的設計127
3.7光刻機性能的監控131
3.7.1激光輸出的帶寬和能量的穩定性131
3.7.2聚焦的穩定性131
3.7.3對準精度的穩定性132
3 .7.4光刻機停機恢復后的檢查134
3.7.5與產品相關的測試134
參考文獻135
第4章 光刻材料137
4.1增粘材料138
4.2光刻膠139
4.2.1用于I-線(365nm波長)和G-線(436nm波長)的光刻膠139
4.2.2用于248nm波長的光刻膠141
4.2.3用于193nm波長的光刻膠144
4.2.4用于193nm浸沒式光刻的化學放大膠145
4.2.5 193nm光刻膠的負顯影工藝155
4.2.6光刻膠發展的方向157
4.2.7光刻膠溶劑的選取162
4.3光刻膠性能的評估164
4.3.1敏感性與對比度165
4.3.2光學常數與吸收系數168
4.3.3光刻膠的Dill參數169
4.3.4科西系數170
4.3.5光刻膠抗刻蝕或抗離子注入的能力171
4.3.6光刻膠的分辨率176
4.3.7光刻膠圖形的粗糙度177
4.3.8光刻膠的分辨率、敏感性及其圖形邊緣粗糙度之間的關系183
4.3.9改善光刻膠圖形邊緣粗糙度的工藝185
4.3.10光刻膠旋涂的厚度曲線185
4.3.11 Fab對光刻膠的評估186
4.4抗反射涂層1 88
4.4.1光線在界面處的反射理論189
4.4.2底部抗反射涂層191
4.4.3頂部抗反射涂層196
4.4.4可以顯影的底部抗反射涂層197
4.4.5旋涂的含Si抗反射涂層202
4.4.6碳涂層205
4.5用于193nm浸沒式光刻的抗水涂層 209
4.5.1抗水涂層材料的分子結構210
4.5.2浸出測試和表面接觸角211
4.5.3與光刻膠的兼容性 212
4.6有機溶劑和顯影液213
4.7晶圓廠光刻材料的管理和規格要求217
4.7.1光刻材料的供應鏈217
4.7.2材料需求的預報和訂購 217
4.7.3光刻材料在勻膠顯影機上的配置217
4.7.4光刻材料供應商必須定期提供給Fab的數據218
4.7.5材料的變更220
參考文獻220
第5章 掩模版及其管理225
5.1倍縮式掩模的結構225
5.2掩模保護膜227
5.2.1掩模保護膜的功能227
5.2.2保護膜的材質228
5.2.3蒙貼保護膜對掩模翹曲度的影響229
5.2.4保護膜厚度對掩模成像性能的影響230
5.3掩模版的種類232
5.3.1雙極型掩模版232
5.3.2相移掩模234
5.3.3交替相移掩模238
5.4掩模的其他技術問題242
5.4.1衍射效率及掩模三維效應(M3D) 242
5.4.2交替相移掩模上孔徑之問光強的差別243
5.4.3交替相移掩模用于光學測量244
5.4.4掩模版導致的雙折射效應246
5.5掩模發展的技術路線248
5.6掩模圖形數據的準備249
5.7掩模的制備和質量控制253
5.7.1掩模基板254
5.7.2掩模上圖形的曝光256
5.7.3掩模版刻蝕工藝257
5.7.4掩模的規格參數259
5.7.5掩模缺陷的檢查和修補261
5.8掩模的缺陷及其清洗和檢測方法263
5.8.1掩模缺陷的分類和處理辦法263
5.8.2清洗掩模的方法268
5.8.3掩模缺陷檢測的方法270
5.8.4測試掩模的設計273
5.8.5掩模缺陷對成像影響的仿真評估 274
5.9晶圓廠對掩模的管理276
5.9.1晶圓廠與掩模廠的合作276
5.9.2掩模管理系統276
參考文獻281
第6章 對準和套刻誤差控制285
6.1光刻機的對準操作287
6.1.1對準標識在晶圓上的分布288
6.1.2曝光區域網格的測定 289
6.1.3曝光區域網格的修正 289
6.1.4光刻機的對準操作291
6.2套刻誤差測量293
6.2.1套刻誤差測量設備 293
6.2.2套刻誤差測量的過程 294
6.2.3常用的套刻標識296
6.2.4曝光區域拼接標識299
6.2.5基于衍射的套刻誤差測量300
6.3套刻誤差測量結果的分析模型與修正反饋303
6.3.1測量結果 303
6.3.2套刻誤差的分析模型304
6.3.3對每一個曝光區域進行獨立修正 308
6.4先進工藝修正的設置310
6.5導致套刻誤差的主要原因31 1
6.5.1曝光時掩模加熱變形財套刻誤差的影響313
6.5.2負顯影工藝中晶圓的熱效應對套刻誤差的影響314
6.5.3化學研磨對套刻誤差的影響315
6.5.4厚膠工藝對套刻誤差的影響315
6.5.5掩模之問的對準偏差對晶圓上套刻誤差的影響316
6.6產品的對準和套刻測量鏈316
6.6.1曝光時的對準和套刻誤差測量方案316
6.6.2對準與套刻測量不一致導致的問題318
6.6.3單一機器的套刻誤差與不同機器之間的套刻誤差321
參考文獻323
第7章 光學鄰近效應修正與計算光刻325
7.1光學模型325
7.1.1薄掩模近似326
7.1.2考慮掩模的三維效應328
7.1.3光學模型的發展方向 330
7.2光刻膠中光化學反應和顯影模型331
7.3光照條件的選取與優化333
7.3.1分辨率增強技術 333
7.3.2光源掩模協同優化338
7.4光學鄰近效應修正(0PC)343
7.4.1基于經驗的光學鄰近效應修正344
7.4.2基于模型的光學鄰近效應修正347
7.4.3與光刻工藝窗口相關聯的鄰近效應修正(PWOPC)357
7.4.4刻蝕對OPC的影響358
7.4.5考慮襯底三維效應的OPC模型359
7.4.6考慮光刻膠三維效應的OPC模型360
7.5曝光輔助圖形360
7.5.1禁止周期360
7.5.2輔助圖形的放置 362
7.5.3基于經驗的輔助圖形 363
7.5.4基于模型的輔助圖形366
7.6反演光刻技術368
7.7壞點(hot spot)的發現和排除368
7.8版圖設計規則的優化370
7.8.1設計規則優化原理及流程370
7.8.2設計規則優化實例371
7.8.3設計和工藝的協同優化(DTC0) 373
7.9先導光刻工藝的研發模式374
7.9.1光學鄰近效應修正學習循環374
7.9.2光刻仿真軟件與OPC軟件的區別375
7.9.3掩模制備工藝對OPC的限制 375
參考文獻376
第8章 光刻工藝的設定與監控379
8.1工藝標準手冊379
8.2測量方法的改進382
8.2.1散射儀測量圖形的形貌 382
8.2.2混合測量方法383
8.2.3為控制而設計測量圖形的概念384
8.3光刻工藝窗口的確定385
8.3.1 FEM數據分析385
8.3.2晶圓內與晶圓之間線寬的穩定性390
8.3.3光刻膠的損失與切片檢查392
8.3.4光刻工藝窗口的進一步確認393
8.3.5工藝窗口的再驗證394
8.3.6工藝窗口中其他關鍵圖形的行為395
8.4工藝假設與設計手冊396
8.5使用FEM晶圓提高良率398
8.6掩模誤差增強因子404
8.6.1掩模誤差增強因子(MEEF)的定義與測量404
8.6.2減少MEEF的措施406
8.6.3掩模成像時的線性406
8.7光刻工藝的匹配408
8.7.1光刻機之問光照條件的匹配 408
8.7.2掩模之問的匹配412
8.7.3光刻膠之問的匹配413
8.8工藝監控的設置與工藝能力的評估413
8.8.1工藝監控的設置413
8.8.2工藝能力指數Cp和Cpk 414
8.9自動工藝控制的設置415
8.9.1線寬的控制416
8.9.2晶圓內線寬均勻性的控制 418
8.9.3套刻誤差的控制419
8.10檢查晶圓上的壞點420
參考文獻420
第9章 晶圓返工與光刻膠的清除423
9.1晶圓返工的傳統工藝423
9.2三層光刻材料(resist/SiARC/SOC)的返工工藝424
9.2.1“干／濕”工藝425
9.2.2去除空白晶圓上的SiARC或SOC 427
9.2.3三層材料中只去除光刻膠429
9.2.4工藝失敗后晶圓返工的分流處理430
9.3后道(BEOI)低介電常數材料上光刻層的返工430
9.3.1雙大馬士革工藝流程 431
9.3.2返工導致Si02 (TEOS)損失432
9.3.3高偏置功率的等離子體會導致襯底受傷433
9.4光刻返工原因的分析433
9.4.1返工常見原因的分類 435
9.4.2快速熱處理和激光退火導致晶圓變形436
9.5晶圓返工的管理437
9.6離子注入后光刻膠的清除438
9.6.1技術難點438
9.6.2“干／濕”法去除光刻膠439
9.6.3“濕”法去除光刻膠440
9.6.4些新進展440
參考文獻441
第10章 雙重和多重光刻技術443
10.1雙重曝光技術443
10.1.1X/Y雙極照明的雙重曝光 444
10.1.2使用反演計算設計雙重曝光445
10.2固化**次圖形的雙重曝光(IFIE)工藝447
10.2.1形成表面保護層的固化技術447
10.2.2使用高溫交聯光刻膠的固化技術449
10.2.3通孔的合包與分包450
10.2.4其他的固化方案451
10.3雙重光刻(LELE)I藝451
10.3.1雙溝槽光刻技術451
10.3.2使用負顯影實現雙溝槽454
10.3.3雙線條光刻技術456
10.3.4含Si的光刻膠用于雙線條工藝458
10.3.5雙線條工藝中SiARC作為硬掩模層458
10.3.6“LE Cut”工藝460
10.3.7光刻機對準偏差和分辨率對LELE工藝的影響461
10.4三重光刻技術(LELELE)463
10.5自對準雙重成像技術(SADP)464
10.5.1 a-C做“mandrel”/SiN或Si07做“spacer”/Si07或SiN做硬掩模 468
10.5.2光刻膠圖形做“mandrel”/Si01做“spacer”/a-C做硬掩模469
10.5.3 Si07做“mandrel”/TiN做“spacer”/SiN做硬掩模471
10.5.4自對準技術在NAND器件中的應用472
10.5.5自對準的重復使用(SAQP，SAOP) 473
超大規模集成電路先進光刻理論與應用
10.5.6SADP和LE結合實現三重成像 476
10.5.7自對準實現三重圖形疊加477
10.5.8“SAMP Cut”工藝478
10.6掩模圖形的拆分480
10.6.1適用于LELE工藝的圖形拆分 480
10.6.2適用于LELELE工藝的圖形拆分484
10.6.3適用于SADP的圖形拆分 486
10.7雙重顯影技術489
參考文獻490
第11章 極紫外(EUV)光刻技術494
11.1極紫外光刻機495
11.1.1 EUV反射鏡495
11.1.2 EUV光刻機的曝光系統 497
11.1.3光照條件的設置498
11.1.4 EUV光刻機研發進展及技術路線499
11.15更大數值孔徑EUV光刻機的技術挑戰500
11.2極紫外光源502
11.2.1 EUV光源的結構502
11.2.2光源輸出功率與產能的關系504
11.2.3波段外的輻射505
11.3 EUV掩模版507
11.3.1 EUV掩模缺陷的控制510
11.3.2 EUV掩模的清洗512
11.3.3 EUV掩模保護膜的研發 514
11.3.4 EUV空間像顯微鏡516
11.3.5 EUV相移掩模517
11.4極紫外光刻膠519
11.4.1光刻膠的放氣檢測5 19
11.4.2 EUV膠的分辨率、圖形邊緣粗糙度和敏感性521
11.4.3吸收頻譜外輻射的表面層材料 526
11.4.4底層材料526
11.5計算光刻在EUV中的應用528
11.5.1 EUV光源與掩模的協同優化529
11.5.2 0PC方法在EUV與DUV中的區別532
11.6極紫外光刻用于量產的分析535
11.6.1極紫外光刻技術的現狀 535
11.6.2 EUV光刻中的隨機效應535
11.6.3 EUV與193i之問的套刻誤差 537
11.6.4實例分析537
參考文獻540
中英文光刻術語對照546
彩圖
前言
第1章 光刻技術概述1
1.1半導體技術節點1
1.2集成電路的結構和光刻層3
1.3光刻工藝4
1.4曝光系統的分辨率和聚焦深度6
1.4.1分辨率6
1.4.2聚焦深度9
1.4.3調制傳遞函數11
1.5對設計的修正和版圖數據流程12
1.6光刻工藝的評價標準14
1.7去膠返工15
1.8光刻工藝中缺陷的檢測16
1.8.1旋涂后光刻薄膜中缺陷的檢測16
1.8.2曝光后圖形的缺陷檢測18
1.9光刻工藝的成本18
1.10現代光刻工藝研發各部分的職責和協作 20
1.10.1晶圓廠光刻內部的分工以及各單位之問的交叉和牽制 20
1.10.2先導光刻工藝研發的模式22
1.10.3光刻與刻蝕的關系23
參考文獻 24
第2章 勻膠顯影機及其應用 26
2.1勻膠顯影機的結構 26
2.2勻膠顯影流程的控制程序28
2.3勻膠顯影機內的主要工藝單元 29
2.3.1晶圓表面增粘處理 29
2.3.2光刻膠旋涂單元 31
2.3.3烘烤和冷卻36
2.3.4邊緣曝光39
2.3.5顯影單元40
2.4清洗工藝單元 45
2.4.1去離子水沖洗46
2.4.2晶圓背面清洗47
2.5勻膠顯影機中的子系統 49
2.5.1化學液體輸送系統 49
2.5.2勻膠顯影機中的微環境和氣流控制 57
2.5.3廢液收集系統58
2.5.4數據庫系統59
2.6勻膠顯影機性能的監測 59
2.6.1膠厚的監測 59
2.6.2旋涂后膠膜上顆粒的監測 60
2.6.3顯影后圖形缺陷的監測62
2.6.4熱盤溫度的監測64
2.7集成于勻膠顯影機中的在線測量單元 65
2.7.1膠厚測量單元66
2.7.2膠膜缺陷的檢測 67
2.7.3使用高速相機原位監測工藝單元內的動態 68
2.8勻膠顯影機中的閉環工藝修正 68
2.9勻膠顯影設備安裝后的接收測試70
2.9.1顆粒測試70
2.9.2增粘單元的驗收71
2.9.3旋涂均勻性和穩定性的驗收71
2.9.4顯影的均勻性和穩定性測試72
2.9.5系統可靠性測試72
2.9.6產能測試72
2.9.7對機械手的要求74
2.10勻膠顯影機的使用維護74
參考文獻75
第3章 光刻機及其應用78
3.1投影式光刻機的工作原理79
3.1.1步進掃描式曝光79
3.1.2光刻機曝光的流程80
3.1.3曝光工作文件的設定 81
3 .1.4雙工件臺介紹82
3.2光刻機的光源及光路設計 83
3.2.1光刻機的光源83
3 .2.2投影光路的設計86
3 .2.3 193nm浸沒式光刻機89
3.3光照條件 90
3.3.1在軸與離軸照明90
3.3.2光刻機中的照明方式及其定義92
3.3.3光照條件的設置和衍射光學元件 95
3 .3.4像素化和可編程的光照 96
3.3.5偏振照明 97
3.4成像系統中的問題102
3 .4.1波前畸變的Zernike描述103
3 .4.2對成像波前的修正108
3 .4.3投影透鏡的熱效應109
3 .4.4掩模版形狀修正111
3 .4.5掩模熱效應的修正111
3 .4.6曝光劑量修正113
3.5聚焦系統115
3.5.1表面水平傳感系統115
3.5.2晶圓邊緣區域的聚焦117
3.5.3氣壓表面測量系統118
3.5.4聚焦誤差的來源與聚焦穩定性的監控119
3.6光刻機的對準系統120
3.6.1掩模的預對準和定位120
3.6.2晶圓的預對準和定位121
3.6.3掩模工件臺與晶圓工件臺之問的對準122
3 .6.4掩模與晶圓的對準123
3.6.5對準標識的設計127
3.7光刻機性能的監控131
3.7.1激光輸出的帶寬和能量的穩定性131
3.7.2聚焦的穩定性131
3.7.3對準精度的穩定性132
3 .7.4光刻機停機恢復后的檢查134
3.7.5與產品相關的測試134
參考文獻135
第4章 光刻材料137
4.1增粘材料138
4.2光刻膠139
4.2.1用于I-線(365nm波長)和G-線(436nm波長)的光刻膠139
4.2.2用于248nm波長的光刻膠141
4.2.3用于193nm波長的光刻膠144
4.2.4用于193nm浸沒式光刻的化學放大膠145
4.2.5 193nm光刻膠的負顯影工藝155
4.2.6光刻膠發展的方向157
4.2.7光刻膠溶劑的選取162
4.3光刻膠性能的評估164
4.3.1敏感性與對比度165
4.3.2光學常數與吸收系數168
4.3.3光刻膠的Dill參數169
4.3.4科西系數170
4.3.5光刻膠抗刻蝕或抗離子注入的能力171
4.3.6光刻膠的分辨率176
4.3.7光刻膠圖形的粗糙度177
4.3.8光刻膠的分辨率、敏感性及其圖形邊緣粗糙度之間的關系183
4.3.9改善光刻膠圖形邊緣粗糙度的工藝185
4.3.10光刻膠旋涂的厚度曲線185
4.3.11 Fab對光刻膠的評估186
4.4抗反射涂層1 88
4.4.1光線在界面處的反射理論189
4.4.2底部抗反射涂層191
4.4.3頂部抗反射涂層196
4.4.4可以顯影的底部抗反射涂層197
4.4.5旋涂的含Si抗反射涂層202
4.4.6碳涂層205
4.5用于193nm浸沒式光刻的抗水涂層 209
4.5.1抗水涂層材料的分子結構210
4.5.2浸出測試和表面接觸角211
4.5.3與光刻膠的兼容性 212
4.6有機溶劑和顯影液213
4.7晶圓廠光刻材料的管理和規格要求217
4.7.1光刻材料的供應鏈217
4.7.2材料需求的預報和訂購 217
4.7.3光刻材料在勻膠顯影機上的配置217
4.7.4光刻材料供應商必須定期提供給Fab的數據218
4.7.5材料的變更220
參考文獻220
第5章 掩模版及其管理225
5.1倍縮式掩模的結構225
5.2掩模保護膜227
5.2.1掩模保護膜的功能227
5.2.2保護膜的材質228
5.2.3蒙貼保護膜對掩模翹曲度的影響229
5.2.4保護膜厚度對掩模成像性能的影響230
5.3掩模版的種類232
5.3.1雙極型掩模版232
5.3.2相移掩模234
5.3.3交替相移掩模238
5.4掩模的其他技術問題242
5.4.1衍射效率及掩模三維效應(M3D) 242
5.4.2交替相移掩模上孔徑之問光強的差別243
5.4.3交替相移掩模用于光學測量244
5.4.4掩模版導致的雙折射效應246
5.5掩模發展的技術路線248
5.6掩模圖形數據的準備249
5.7掩模的制備和質量控制253
5.7.1掩模基板254
5.7.2掩模上圖形的曝光256
5.7.3掩模版刻蝕工藝257
5.7.4掩模的規格參數259
5.7.5掩模缺陷的檢查和修補261
5.8掩模的缺陷及其清洗和檢測方法263
5.8.1掩模缺陷的分類和處理辦法263
5.8.2清洗掩模的方法268
5.8.3掩模缺陷檢測的方法270
5.8.4測試掩模的設計273
5.8.5掩模缺陷對成像影響的仿真評估 274
5.9晶圓廠對掩模的管理276
5.9.1晶圓廠與掩模廠的合作276
5.9.2掩模管理系統276
參考文獻281
第6章 對準和套刻誤差控制285
6.1光刻機的對準操作287
6.1.1對準標識在晶圓上的分布288
6.1.2曝光區域網格的測定 289
6.1.3曝光區域網格的修正 289
6.1.4光刻機的對準操作291
6.2套刻誤差測量293
6.2.1套刻誤差測量設備 293
6.2.2套刻誤差測量的過程 294
6.2.3常用的套刻標識296
6.2.4曝光區域拼接標識299
6.2.5基于衍射的套刻誤差測量300
6.3套刻誤差測量結果的分析模型與修正反饋303
6.3.1測量結果 303
6.3.2套刻誤差的分析模型304
6.3.3對每一個曝光區域進行獨立修正 308
6.4先進工藝修正的設置310
6.5導致套刻誤差的主要原因31 1
6.5.1曝光時掩模加熱變形財套刻誤差的影響313
6.5.2負顯影工藝中晶圓的熱效應對套刻誤差的影響314
6.5.3化學研磨對套刻誤差的影響315
6.5.4厚膠工藝對套刻誤差的影響315
6.5.5掩模之問的對準偏差對晶圓上套刻誤差的影響316
6.6產品的對準和套刻測量鏈316
6.6.1曝光時的對準和套刻誤差測量方案316
6.6.2對準與套刻測量不一致導致的問題318
6.6.3單一機器的套刻誤差與不同機器之間的套刻誤差321
參考文獻323
第7章 光學鄰近效應修正與計算光刻325
7.1光學模型325
7.1.1薄掩模近似326
7.1.2考慮掩模的三維效應328
7.1.3光學模型的發展方向 330
7.2光刻膠中光化學反應和顯影模型331
7.3光照條件的選取與優化333
7.3.1分辨率增強技術 333
7.3.2光源掩模協同優化338
7.4光學鄰近效應修正(0PC)343
7.4.1基于經驗的光學鄰近效應修正344
7.4.2基于模型的光學鄰近效應修正347
7.4.3與光刻工藝窗口相關聯的鄰近效應修正(PWOPC)357
7.4.4刻蝕對OPC的影響358
7.4.5考慮襯底三維效應的OPC模型359
7.4.6考慮光刻膠三維效應的OPC模型360
7.5曝光輔助圖形360
7.5.1禁止周期360
7.5.2輔助圖形的放置 362
7.5.3基于經驗的輔助圖形 363
7.5.4基于模型的輔助圖形366
7.6反演光刻技術368
7.7壞點(hot spot)的發現和排除368
7.8版圖設計規則的優化370
7.8.1設計規則優化原理及流程370
7.8.2設計規則優化實例371
7.8.3設計和工藝的協同優化(DTC0) 373
7.9先導光刻工藝的研發模式374
7.9.1光學鄰近效應修正學習循環374
7.9.2光刻仿真軟件與OPC軟件的區別375
7.9.3掩模制備工藝對OPC的限制 375
參考文獻376
第8章 光刻工藝的設定與監控379
8.1工藝標準手冊379
8.2測量方法的改進382
8.2.1散射儀測量圖形的形貌 382
8.2.2混合測量方法383
8.2.3為控制而設計測量圖形的概念384
8.3光刻工藝窗口的確定385
8.3.1 FEM數據分析385
8.3.2晶圓內與晶圓之間線寬的穩定性390
8.3.3光刻膠的損失與切片檢查392
8.3.4光刻工藝窗口的進一步確認393
8.3.5工藝窗口的再驗證394
8.3.6工藝窗口中其他關鍵圖形的行為395
8.4工藝假設與設計手冊396
8.5使用FEM晶圓提高良率398
8.6掩模誤差增強因子404
8.6.1掩模誤差增強因子(MEEF)的定義與測量404
8.6.2減少MEEF的措施406
8.6.3掩模成像時的線性406
8.7光刻工藝的匹配408
8.7.1光刻機之問光照條件的匹配 408
8.7.2掩模之問的匹配412
8.7.3光刻膠之問的匹配413
8.8工藝監控的設置與工藝能力的評估413
8.8.1工藝監控的設置413
8.8.2工藝能力指數Cp和Cpk 414
8.9自動工藝控制的設置415
8.9.1線寬的控制416
8.9.2晶圓內線寬均勻性的控制 418
8.9.3套刻誤差的控制419
8.10檢查晶圓上的壞點420
參考文獻420
第9章 晶圓返工與光刻膠的清除423
9.1晶圓返工的傳統工藝423
9.2三層光刻材料(resist/SiARC/SOC)的返工工藝424
9.2.1“干／濕”工藝425
9.2.2去除空白晶圓上的SiARC或SOC 427
9.2.3三層材料中只去除光刻膠429
9.2.4工藝失敗后晶圓返工的分流處理430
9.3后道(BEOI)低介電常數材料上光刻層的返工430
9.3.1雙大馬士革工藝流程 431
9.3.2返工導致Si02 (TEOS)損失432
9.3.3高偏置功率的等離子體會導致襯底受傷433
9.4光刻返工原因的分析433
9.4.1返工常見原因的分類 435
9.4.2快速熱處理和激光退火導致晶圓變形436
9.5晶圓返工的管理437
9.6離子注入后光刻膠的清除438
9.6.1技術難點438
9.6.2“干／濕”法去除光刻膠439
9.6.3“濕”法去除光刻膠440
9.6.4些新進展440
參考文獻441
第10章 雙重和多重光刻技術443
10.1雙重曝光技術443
10.1.1X/Y雙極照明的雙重曝光 444
10.1.2使用反演計算設計雙重曝光445
10.2固化**次圖形的雙重曝光(IFIE)工藝447
10.2.1形成表面保護層的固化技術447
10.2.2使用高溫交聯光刻膠的固化技術449
10.2.3通孔的合包與分包450
10.2.4其他的固化方案451
10.3雙重光刻(LELE)I藝451
10.3.1雙溝槽光刻技術451
10.3.2使用負顯影實現雙溝槽454
10.3.3雙線條光刻技術456
10.3.4含Si的光刻膠用于雙線條工藝458
10.3.5雙線條工藝中SiARC作為硬掩模層458
10.3.6“LE Cut”工藝460
10.3.7光刻機對準偏差和分辨率對LELE工藝的影響461
10.4三重光刻技術(LELELE)463
10.5自對準雙重成像技術(SADP)464
10.5.1 a-C做“mandrel”/SiN或Si07做“spacer”/Si07或SiN做硬掩模 468
10.5.2光刻膠圖形做“mandrel”/Si01做“spacer”/a-C做硬掩模469
10.5.3 Si07做“mandrel”/TiN做“spacer”/SiN做硬掩模471
10.5.4自對準技術在NAND器件中的應用472
10.5.5自對準的重復使用(SAQP，SAOP) 473
超大規模集成電路先進光刻理論與應用
10.5.6SADP和LE結合實現三重成像 476
10.5.7自對準實現三重圖形疊加477
10.5.8“SAMP Cut”工藝478
10.6掩模圖形的拆分480
10.6.1適用于LELE工藝的圖形拆分 480
10.6.2適用于LELELE工藝的圖形拆分484
10.6.3適用于SADP的圖形拆分 486
10.7雙重顯影技術489
參考文獻490
第11章 極紫外(EUV)光刻技術494
11.1極紫外光刻機495
11.1.1 EUV反射鏡495
11.1.2 EUV光刻機的曝光系統 497
11.1.3光照條件的設置498
11.1.4 EUV光刻機研發進展及技術路線499
11.15更大數值孔徑EUV光刻機的技術挑戰500
11.2極紫外光源502
11.2.1 EUV光源的結構502
11.2.2光源輸出功率與產能的關系504
11.2.3波段外的輻射505
11.3 EUV掩模版507
11.3.1 EUV掩模缺陷的控制510
11.3.2 EUV掩模的清洗512
11.3.3 EUV掩模保護膜的研發 514
11.3.4 EUV空間像顯微鏡516
11.3.5 EUV相移掩模517
11.4極紫外光刻膠519
11.4.1光刻膠的放氣檢測5 19
11.4.2 EUV膠的分辨率、圖形邊緣粗糙度和敏感性521
11.4.3吸收頻譜外輻射的表面層材料 526
11.4.4底層材料526
11.5計算光刻在EUV中的應用528
11.5.1 EUV光源與掩模的協同優化529
11.5.2 0PC方法在EUV與DUV中的區別532
11.6極紫外光刻用于量產的分析535
11.6.1極紫外光刻技術的現狀 535
11.6.2 EUV光刻中的隨機效應535
11.6.3 EUV與193i之問的套刻誤差 537
11.6.4實例分析537
參考文獻540
中英文光刻術語對照546
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