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高端集成電路制造工藝叢書衍射極限附近的光刻工藝 版權(quán)信息
- ISBN：9787302537427
- 條形碼：9787302537427 ; 978-7-302-53742-7
- 裝幀：平裝-膠訂
- 冊(cè)數(shù)：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>
高端集成電路制造工藝叢書衍射極限附近的光刻工藝 本書特色
為了應(yīng)對(duì)我國在集成電路領(lǐng)域,尤其是光刻技術(shù)方面嚴(yán)重落后于發(fā)達(dá)國家的局面,破解光刻制造設(shè)備、材料和光學(xué)鄰近效應(yīng)修正軟件幾乎完全依賴進(jìn)口的困境,作為從事光刻工藝研發(fā)近 20 年的資深研發(fā)人員,作 者肩負(fù)著協(xié)助光刻設(shè)備、材料和軟件等產(chǎn)業(yè)鏈共同研發(fā)和發(fā)展的責(zé)任,將近 20 年的學(xué)習(xí)成果和研發(fā)經(jīng)驗(yàn)匯編 成書,建立聯(lián)系我國集成電路芯片的研發(fā)和制造,設(shè)備、材料和軟件的研發(fā),以及大專院校、科研院所的科學(xué) 技術(shù)研究、人才培養(yǎng)的一座橋梁。 本書以光刻工藝為主線,有機(jī)地將光刻設(shè)備、光刻材料、光刻成像的理論計(jì)算、光刻工藝中各種建模思想 和推導(dǎo)、芯片制造的技術(shù)發(fā)展要求以及對(duì)光刻工藝各項(xiàng)參數(shù)的要求緊密地聯(lián)系在一起,給讀者一個(gè)整體的圖 景。《衍射極限附近的光刻工藝》可供光刻技術(shù)領(lǐng)域科研院所的研究人員、大專院校的教師和學(xué)生、集成電路工廠的工程技術(shù)人員等 參考。
高端集成電路制造工藝叢書衍射極限附近的光刻工藝 內(nèi)容簡介
為了應(yīng)對(duì)我國在集成電路領(lǐng)域,尤其是光刻技術(shù)方面嚴(yán)重落后于發(fā)達(dá)國家的局面,破解光刻制造設(shè)備、材料和光學(xué)鄰近效應(yīng)修正軟件幾乎接近依賴進(jìn)口的困境,作為從事光刻工藝研發(fā)近 20 年的資深研發(fā)人員,作者肩負(fù)著協(xié)助光刻設(shè)備、材料和軟件等產(chǎn)業(yè)鏈共同研發(fā)和發(fā)展的責(zé)任,將近 20 年的學(xué)習(xí)成果和研發(fā)經(jīng)驗(yàn)匯編成書,建立聯(lián)系我國集成電路芯片的研發(fā)和制造,設(shè)備、材料和軟件的研發(fā),以及大專院校、科研院所的科學(xué)技術(shù)研究、人才培養(yǎng)的一座橋梁。本書以光刻工藝為主線,有機(jī)地將光刻設(shè)備、光刻材料、光刻成像的理論計(jì)算、光刻工藝中各種建模思想和推導(dǎo)、芯片制造的技術(shù)發(fā)展要求以及對(duì)光刻工藝各項(xiàng)參數(shù)的要求緊密地聯(lián)系在一起,給讀者一個(gè)整體的圖景。《衍射極限附近的光刻工藝》可供光刻技術(shù)領(lǐng)域科研院所的研究人員、大專院校的教師和學(xué)生、集成電路工廠的工程技術(shù)人員等參考。
高端集成電路制造工藝叢書衍射極限附近的光刻工藝 目錄
目錄
第1章光刻技術(shù)引論 1.1集成電路簡史 1.2我國集成電路的發(fā)展簡史(1958年—20世紀(jì)90年代) 1.3我國成像鏡頭的發(fā)展簡史和我國數(shù)碼相機(jī)的*新成果 1.4光刻機(jī)的發(fā)展簡史和我國光刻機(jī)的發(fā)展簡史 1.5我國光刻膠的發(fā)展簡史和*新進(jìn)展 1.6光刻工藝使用的其他設(shè)備的發(fā)展和我國的發(fā)展 1.7光刻工藝的仿真計(jì)算發(fā)展包括光學(xué)鄰近效應(yīng)修正的發(fā)展 1.8極紫外光刻的發(fā)展和導(dǎo)向自組裝的發(fā)展 結(jié)語 引文 第2章光刻工藝概覽 2.1光刻的整體技術(shù)要點(diǎn) 2.2光刻工藝的流程 2.2.1**步： 氣體硅片表面預(yù)處理 2.2.2第二步： 旋涂光刻膠，抗反射層 2.2.3第三步： 曝光前烘焙 2.2.4第四步： 對(duì)準(zhǔn)和曝光 2.2.5第五步： 曝光后烘焙 2.2.6第六步： 顯影和沖洗 2.2.7第七步： 顯影后烘焙，堅(jiān)膜烘焙 2.2.8第八步： 測量 2.3光刻工藝使用的設(shè)備 2.3.1光刻機(jī) 2.3.2涂膠顯影一體機(jī) 2.4光刻工藝使用的材料： 光刻膠、抗反射層、填隙材料 2.5光刻工藝的一整套建立方法，包括確定各種膜厚、照明條件、工藝窗口等 思考題 引文 第3章光學(xué)成像原理及分辨率 3.1光學(xué)成像原理 3.2分辨率的定義： 瑞利判據(jù)、全寬半高定義 3.3部分相干光的成像理論： 照明條件中的部分相干性 3.4光學(xué)照明系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)和功能： 科勒照明方式 3.5光學(xué)成像的傅里葉變換 思考題 引文
第4章光刻膠 4.1光刻材料綜述 4.1.1光刻膠 4.1.2溶劑 4.1.3光刻膠的生產(chǎn)流程 4.1.4抗反射層 4.1.5顯影液和清洗液 4.1.6剝離劑和清除劑 4.2負(fù)性光刻膠(光刻膠樹脂、負(fù)性光刻膠類型、交聯(lián)化學(xué)原理) 4.2.1負(fù)性光刻膠原理 4.2.2負(fù)性光刻膠類型 4.3非化學(xué)放大型正性光刻膠——紫外436nm、365nm光刻膠 4.3.1非化學(xué)放大型正性光刻膠——重氮萘醌酚醛樹脂
光刻膠 4.3.2重氮萘醌酚醛樹脂類型光刻膠體系的主要組成成分 4.4化學(xué)放大型的正性光刻膠——深紫外248nm、193nm光刻膠 4.4.1對(duì)更短波長深紫外光刻膠的需求 4.4.2化學(xué)放大的原理 4.4.3基于聚羥基苯乙烯及其衍生物的248nm光刻膠 4.4.4以聚甲基丙烯酸酯為主的193nm光刻膠 4.4.5193nm浸沒式光刻膠 4.4.6正性負(fù)顯影光刻膠 4.5極紫外光刻膠 4.5.1基于斷鏈作用的非化學(xué)放大光刻膠 4.5.2聚合物型化學(xué)放大光刻膠 4.5.3正性極紫外化學(xué)放大光刻膠 4.5.4負(fù)性有機(jī)小分子型光刻膠 4.5.5正性有機(jī)小分子型光刻膠 4.5.6基于無機(jī)物的新型光刻膠 4.6光刻膠的分辨率線邊粗糙度曝光靈敏度極限 4.7輻射化學(xué)與光化學(xué)概述 4.7.1輻射作用 4.7.2激發(fā)態(tài)復(fù)合物 4.7.3能量轉(zhuǎn)移 4.7.4光譜增感 4.7.5光化學(xué)與輻射化學(xué) 4.7.6輻射化學(xué)量子產(chǎn)率 4.7.7輻射曝光敏感度 4.7.8輻射與光刻膠材料相互作用機(jī)理 4.8描述光刻膠物理特性的基本參數(shù) 4.8.1迪爾參數(shù) 4.8.2光酸擴(kuò)散長度和系數(shù) 4.8.3光刻膠顯影液中溶解率對(duì)比度 思考題 引文 第5章抗反射層 5.1抗反射層和反射率控制 5.2抗反射層種類 5.2.1頂部抗反射層 5.2.2底部抗反射層 5.3有機(jī)、無機(jī)底部抗反射層對(duì)比 5.4底部抗反射層光刻膠相互作用 5.5含硅的抗反射層 5.6用于極紫外光刻的底部增感層 思考題 引文 第6章光刻機(jī) 6.1引言 6.2成像鏡頭的發(fā)展和像差消除原理 6.2.1單片凸透鏡的像差分析(三階塞得像差) 6.2.23片3組柯克鏡頭的成像和像差分析 6.2.34片3組天塞鏡頭的成像和像差分析 6.2.46片4組雙高斯鏡頭的成像和像差分析 6.3像差的種類和表征 6.3.1球差、彗差、像散、場曲、畸變、軸向色差、橫向色差 6.3.2鏡頭像差的分?jǐn)傇恚?6片4組鏡頭像差分析 6.4齊明點(diǎn)和零像差設(shè)計(jì) 6.5大數(shù)值孔徑光刻機(jī)鏡頭的介紹 6.5.1蔡司0.93NA、193nm深紫外投影物鏡的成像和像差分析、結(jié)構(gòu)分析 6.5.2蔡司1.35NA、193nm水浸沒式折反深紫外投影物鏡的成像和像差分析、
結(jié)構(gòu)分析 6.5.3蔡司0.33NA、6片6組13.5nm極紫外全反射式投影物鏡的成像和
像差分析、結(jié)構(gòu)分析 6.5.4更加大數(shù)值孔徑極紫外投影物鏡的展望 6.5.5我國光刻投影物鏡的簡要發(fā)展歷程和*新發(fā)展 6.6光刻機(jī)的移動(dòng)平臺(tái)介紹 6.6.1移動(dòng)平臺(tái)系統(tǒng)、移動(dòng)平臺(tái)的功能、結(jié)構(gòu)和主要元件 6.6.2移動(dòng)平臺(tái)三維空間位置的校準(zhǔn) 6.6.3阿斯麥雙工件臺(tái)光柵尺測控系統(tǒng)的介紹 6.6.4我國在光刻機(jī)雙工件臺(tái)移動(dòng)平臺(tái)研制的*新成果 6.6.5光刻機(jī)中硅片的對(duì)準(zhǔn)和調(diào)平(阿斯麥雙工件臺(tái)方法、尼康串列
工件臺(tái)方法) 6.6.6掩模臺(tái)的對(duì)準(zhǔn) 6.6.7硅片平臺(tái)的高精度對(duì)準(zhǔn)補(bǔ)償 6.6.8浸沒式光刻機(jī)硅片臺(tái)的溫度補(bǔ)償、硅片吸附的局部受力導(dǎo)致的套刻
偏差補(bǔ)償 6.6.9掩模版受熱的k18畸變系數(shù)的補(bǔ)償 6.6.10鏡頭受熱的焦距和像散補(bǔ)償方法 6.6.11光刻機(jī)的產(chǎn)能計(jì)算方法介紹 6.6.12光刻機(jī)中的部分傳感器(空間像傳感器、光瞳像差傳感器、光強(qiáng)探測
傳感器、干涉儀等) 6.7光刻機(jī)的照明系統(tǒng)結(jié)構(gòu)和功能 6.7.1固定光圈的照明系統(tǒng)、帶可變照明方式的照明系統(tǒng)(阿斯麥的可變焦
互補(bǔ)型錐鏡) 6.7.2照明光的非相干化、均勻化及穩(wěn)定性 6.7.3偏振照明系統(tǒng) 6.7.4自定義照明系統(tǒng)(阿斯麥的Flexray) 6.8光刻機(jī)的使用和維護(hù) 6.8.1光刻機(jī)的定期檢查項(xiàng)目(焦距校準(zhǔn)、套刻校準(zhǔn)、照明系統(tǒng)校準(zhǔn)、
光束準(zhǔn)直) 6.8.2多臺(tái)光刻機(jī)的套刻匹配(標(biāo)準(zhǔn)) 6.8.3多臺(tái)光刻機(jī)的照明匹配 6.8.4多臺(tái)光刻機(jī)的焦距匹配 6.8.5阿斯麥光刻機(jī)的基線維持功能 6.9光刻機(jī)的延伸功能 6.9.1曝光均勻性的補(bǔ)償 6.9.2套刻分布的補(bǔ)償 6.9.3阿斯麥光刻機(jī)基于氣壓傳感器的精確調(diào)平測量 6.9.4硅片邊緣對(duì)焦調(diào)平的特殊處理 6.9.5硅片邊緣曝光的特殊處理 6.10193nm浸沒式光刻機(jī)的特點(diǎn) 6.10.1防水貼 6.10.2浸沒頭(水罩) 6.1113.5nm極紫外光刻機(jī)的一些特點(diǎn) 6.11.1激光激發(fā)的等離子體光源 6.11.2照明系統(tǒng)、自定義照明系統(tǒng) 6.11.3全反射式的掩模版和投影物鏡 6.11.4高數(shù)值孔徑的投影物鏡設(shè)計(jì)： X方向和Y方向放大率不同的
物鏡 思考題 引文 第7章涂膠烘焙顯影一體機(jī)： 軌道機(jī) 7.1軌道機(jī)的主要組成部分(涂膠機(jī)、熱板、顯影機(jī))和功能 7.1.1涂膠子系統(tǒng) 7.1.2熱板子系統(tǒng) 7.1.3顯影子系統(tǒng) 7.2光刻膠的容器類型(Nowpak和玻璃瓶)、輸送管道和輸送泵 7.3顯影后沖洗設(shè)備(含氮?dú)鈬婎^的先進(jìn)缺陷去除ADR沖洗設(shè)備) 7.4光刻設(shè)備使用的各種過濾器 思考題 引文 第8章光刻工藝的測量設(shè)備 8.1線寬掃描電子顯微鏡的原理和基本結(jié)構(gòu)(電子光學(xué)系統(tǒng)的基本參數(shù)) 8.2線寬掃描電子顯微鏡的測量程序和測量方法 8.3線寬掃描電子顯微鏡的校準(zhǔn)和調(diào)整 8.4套刻顯微鏡的原理和測量方法 8.5套刻顯微鏡的測量程序和測量方法 8.6套刻顯微鏡設(shè)備引入的誤差及其消除方法 8.7基于衍射的套刻探測原理 8.8套刻記號(hào)的設(shè)計(jì) 8.9光學(xué)線寬測量原理 8.10缺陷檢查設(shè)備原理 思考題 引文 第9章光掩模 9.1光掩模的種類 9.2光掩模的制作 9.2.1掩模版的數(shù)據(jù)處理 9.2.2掩模版的曝光刻蝕 9.2.3掩模版線寬、套刻、缺陷的檢測 9.2.4掩模版的修補(bǔ) 9.3光掩模制作過程中的問題 9.3.1掩模版電子束曝光的鄰近效應(yīng)及補(bǔ)償方法 9.3.2電子束曝光的其他問題(霧化、光刻膠過熱等) 9.4光掩模線寬均勻性在不同技術(shù)節(jié)點(diǎn)的參考要求 9.4.1各技術(shù)節(jié)點(diǎn)對(duì)掩模版線寬均勻性的要求 9.4.2線寬均勻性測量使用的圖形類型 9.5光掩模制作和檢測設(shè)備的其他資料 9.5.1電子束各種掃描方式及其優(yōu)缺點(diǎn)介紹 9.5.2電子束曝光機(jī)采用的電子槍 9.5.3多電子束的介紹和*新進(jìn)展 思考題 引文 第10章光刻工藝參數(shù)和工藝窗口 10.1曝光能量寬裕度、歸一化的圖像光強(qiáng)對(duì)數(shù)斜率 10.2對(duì)焦深度 10.3掩模版誤差因子 10.4線寬均勻性(包括圖形邊緣粗糙程度) 10.5光刻膠形貌 思考題 引文 第11章光刻工藝的仿真 11.1反射率仿真算法 11.2對(duì)準(zhǔn)記號(hào)對(duì)比度的算法 11.2.1阿斯麥Athena系統(tǒng)仿真算法和尼康FIA系統(tǒng)仿真算法 11.2.2兩種算法和實(shí)驗(yàn)的比較 11.3光刻空間像的仿真參數(shù) 11.4一維阿貝仿真算法 11.5二維阿貝仿真算法 11.6基于傳輸交叉系數(shù)的空間像算法 11.7矢量的考慮 11.8偏振的計(jì)算 11.9像差的計(jì)算 11.10瓊斯矩陣 11.11時(shí)域有限元的算法 11.11.1掩模三維散射造成的掩模函數(shù)的修正 11.11.2麥克斯韋方程組 11.11.3Yee元胞 11.11.4麥克斯韋方程組的離散化 11.11.5二階吸收邊界條件 11.11.6完全匹配層邊界條件 11.11.7金屬介電常數(shù)避免發(fā)散的方法 11.11.8掩模版三維散射的效應(yīng)： 一維線條/溝槽 11.11.9掩模版三維散射的效應(yīng)： 二維線端/通孔 11.12嚴(yán)格的耦合波算法 11.13光源掩模聯(lián)合優(yōu)化 11.13.1不同光瞳照明條件對(duì)掩模版圖形的影響 11.13.2一個(gè)交叉互聯(lián)圖形的光源掩模聯(lián)合優(yōu)化舉例 11.14光刻膠曝光顯影模型 11.14.1一般光刻膠光化學(xué)反應(yīng)的閾值模型 11.14.2改進(jìn)型整合參數(shù)模型 11.14.3光刻膠光酸等效擴(kuò)散長度在不同技術(shù)節(jié)點(diǎn)上的列表 11.14.4負(fù)顯影光刻膠的模型特點(diǎn) 11.14.5負(fù)顯影光刻膠的物理模型 11.15逆光刻仿真算法 11.15.1逆光刻的思想 11.15.2逆光刻的主要算法 11.15.3逆光刻面臨的主要挑戰(zhàn) 11.16其他仿真算法 思考題 引文 第12章光學(xué)鄰近效應(yīng)修正 12.1光學(xué)鄰近效應(yīng) 12.1.1調(diào)制傳遞函數(shù) 12.1.2禁止周期 12.1.3光學(xué)鄰近效應(yīng)的圖示分析(一維線條/溝槽) 12.1.4照明離軸角和光酸擴(kuò)散長度對(duì)鄰近效應(yīng)的影響 12.1.5光學(xué)鄰近效應(yīng)在線端線端、線端橫線結(jié)構(gòu)的表現(xiàn) 12.2光學(xué)鄰近效應(yīng)的進(jìn)一步探討： 密集圖形和孤立圖形 12.3相干長度的理論和仿真計(jì)算結(jié)果 12.4基于規(guī)則的簡單光學(xué)鄰近效應(yīng)修正方法 12.5基于模型的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正中空間像計(jì)算的化簡 12.5.1傳輸交叉系數(shù)TCC的Cobb本征值分解 12.5.2傳輸交叉系數(shù)TCC的Yamazoe奇異值分解 12.5.3包含矢量信息的傳輸交叉系數(shù) 12.5.4掩模版多邊形圖形的基于邊的分解 12.5.5掩模三維效應(yīng)計(jì)算的區(qū)域分解法(DDM方法) 12.6基于模型的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正： 建模 12.6.1模型的數(shù)學(xué)表達(dá)式和重要參數(shù) 12.6.2建模采用的圖形類型 12.6.3類似20nm邏輯電路的前段線條層OPC建模舉例 12.6.4類似20nm邏輯電路的中后段通孔層OPC建模的特點(diǎn) 12.6.5類似20nm邏輯電路的后段溝槽層OPC建模的特點(diǎn) 12.7基于模型的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正： 修正程序 12.8光學(xué)鄰近效應(yīng)中的亞分辨輔助圖形的添加 12.8.1基于規(guī)則的添加 12.8.2基于模型的添加 12.9基于模型的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正： 薄弱點(diǎn)分析和去除 12.9.1薄弱點(diǎn)的分析和解決： 例1(線寬問題的尋找和修補(bǔ)) 12.9.2薄弱點(diǎn)的分析和解決： 例2(線寬問題的尋找和修補(bǔ)) 思考題 引文 第13章浸沒式光刻 13.1浸沒式光刻工藝產(chǎn)生的背景 13.2浸沒式光刻機(jī)使用的投影物鏡的特點(diǎn) 13.3浸沒式光刻工藝的分辨率提高 13.4浸沒式光刻工藝的工藝窗口提升 13.5浸沒式光刻工藝的新型光刻機(jī)的架構(gòu)改進(jìn) 13.5.1雙工件臺(tái) 13.5.2平面光柵板測控的硅片平臺(tái) 13.5.3紫外光源調(diào)平系統(tǒng) 13.5.4像素式自定義照明系統(tǒng)(靈活照明系統(tǒng)) 13.6浸沒式光刻工藝的光刻膠 13.6.1*初的頂部隔水涂層 13.6.2自分凝隔水層的光刻膠 13.6.3含有光可分解堿的光刻膠 13.7浸沒式光刻工藝的光刻材料膜層結(jié)構(gòu) 13.8浸沒式光刻工藝特有的缺陷 13.9浸沒式軌道機(jī)的架構(gòu) 13.10浸沒式光刻的輔助工藝技術(shù) 13.10.1多重成像技術(shù)的使用 13.10.2負(fù)顯影技術(shù) 13.11浸沒式光刻工藝的建立 13.11.1光刻工藝研發(fā)的一般流程 13.11.2目標(biāo)設(shè)計(jì)規(guī)則的研究和確認(rèn) 13.11.3基于設(shè)計(jì)規(guī)則，通過仿真進(jìn)行初始光源、掩模版類型的選取 13.11.4光刻材料的選取 思考題 引文 第14章光刻工藝的缺陷 14.1旋涂工藝缺陷 14.1.1表面疏水化處理工藝相關(guān)缺陷 14.1.2光刻膠旋涂缺陷 14.1.3洗邊工藝相關(guān)缺陷 14.2顯影工藝缺陷 14.2.1材料特性對(duì)顯影缺陷的影響 14.2.2顯影模塊硬件特點(diǎn)對(duì)顯影缺陷的影響 14.2.3顯影清洗工藝特性與缺陷的關(guān)系 14.3其他類型缺陷(前層和環(huán)境等影響) 14.3.1化學(xué)放大光刻膠的“中毒”現(xiàn)象 14.3.2非化學(xué)放大光刻膠的“中毒”現(xiàn)象 14.4浸沒式光刻工藝缺陷 14.4.1浸沒式光刻機(jī)*早的專利結(jié)構(gòu)圖 14.4.2浸沒式光刻遇到的常見缺陷分類分析 14.4.3去除浸沒式光刻缺陷的方法 思考題 引文 第15章光刻工藝的線寬控制及改進(jìn) 15.1光刻線寬均勻性的定義 15.2光刻線寬均勻性的計(jì)算方法 15.2.1硅片范圍的線寬均勻性 15.2.2曝光場內(nèi)的線寬均勻性 15.3光刻線寬均勻性的改進(jìn)方法 15.3.1批次批次之間均勻性的改進(jìn) 15.3.2批次內(nèi)部線寬均勻性的改進(jìn) 15.3.3硅片內(nèi)部線寬均勻性的改進(jìn) 15.3.4曝光場內(nèi)部線寬均勻性的改進(jìn) 15.3.5局域線寬均勻性的改進(jìn) 15.4線寬粗糙度以及改進(jìn)方法介紹 15.4.1提高空間像對(duì)比度 15.4.2提高光刻膠的光化學(xué)反應(yīng)充分度 15.4.3錨點(diǎn)的掩模版偏置選取 15.4.4曝光后烘焙的充分度 15.4.5選擇抗刻蝕能力強(qiáng)的光刻膠 思考題 引文 第16章光刻工藝的套刻控制及改進(jìn) 16.1套刻控制的原理和參數(shù) 16.2套刻記號(hào)的設(shè)計(jì)和放置 16.2.1套刻記號(hào)的種類（歷史、現(xiàn)在） 16.2.2套刻記號(hào)的放置方式(切割道、芯片內(nèi)) 16.3影響套刻精度的因素 16.3.1設(shè)備的漂移 16.3.2套刻記號(hào)的設(shè)計(jì)和放置 16.3.3襯底的影響 16.3.4化學(xué)機(jī)械平坦化研磨料的殘留對(duì)套刻的影響 16.3.5刻蝕、熱過程工藝可能對(duì)套刻記號(hào)產(chǎn)生的變形 16.3.6掩模版圖形放置誤差對(duì)套刻的影響 16.3.7上下層掩模版線寬誤差對(duì)套刻的擠壓 16.3.8掩模版受熱可能導(dǎo)致的套刻偏差 16.3.9高階套刻偏差的補(bǔ)償——套刻測繪 16.3.10套刻誤差來源分解舉例 16.4套刻/對(duì)準(zhǔn)樹狀關(guān)系 16.4.1間接對(duì)準(zhǔn)的誤差來源和改進(jìn)方式 16.4.2光刻機(jī)指定硅片工件臺(tái)(對(duì)雙工件臺(tái)光刻機(jī))和掩模版曝光機(jī)
連續(xù)出片 16.4.3套刻前饋和反饋 16.4.4混合套刻測量和反饋 思考題 引文 第17章線邊粗糙度/線寬粗糙度 17.1線邊粗糙度/線寬粗糙度概論 17.2線邊粗糙度/線寬粗糙度數(shù)據(jù)分析方法 17.3影響線邊粗糙度/線寬粗糙度的因素 17.4線邊粗糙度/線寬粗糙度的改善方法 17.5小結(jié) 思考題 引文 第18章多重圖形技術(shù) 18.1背景 18.2光刻刻蝕、光刻刻蝕方法 18.3圖形的拆分方法——涂色法 18.3.1三角矛盾 18.3.2應(yīng)用范圍 18.4自對(duì)準(zhǔn)多重圖形方法 18.4.1優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn) 18.4.2應(yīng)用范圍 18.5套刻的策略和原理 18.6線寬均勻性的計(jì)算和分配 思考題 引文 第19章下一代光刻技術(shù) 19.1極紫外光刻技術(shù)的發(fā)展簡史 19.2極紫外光刻與193nm浸沒式光刻的異同點(diǎn) 19.2.1光刻設(shè)備的異同點(diǎn) 19.2.2光刻膠材料的異同點(diǎn) 19.2.3掩模版的異同點(diǎn) 19.2.4光刻工藝的異同點(diǎn) 19.2.5光學(xué)鄰近效應(yīng)的異同點(diǎn) 19.3極紫外技術(shù)的進(jìn)展 19.3.1光源的進(jìn)展 19.3.2光刻膠的現(xiàn)狀 19.3.3掩模版保護(hù)膜的進(jìn)展 19.3.4錫滴的供應(yīng)和循環(huán)系統(tǒng)的進(jìn)展 19.4導(dǎo)向自組裝DSA的技術(shù)介紹 19.4.1原理介紹 19.4.2類型： 物理限制型外延、化學(xué)表面編碼型外延 19.4.3缺陷的來源和改進(jìn) 19.4.4圖形設(shè)計(jì)流程介紹 19.5納米壓印技術(shù)介紹 19.6電子束直寫技術(shù)介紹 思考題 引文 第20章光刻技術(shù)發(fā)展展望 20.1光刻技術(shù)繼續(xù)發(fā)展的幾點(diǎn)展望 20.2光刻技術(shù)的發(fā)展將促進(jìn)我國相關(guān)技術(shù)的發(fā)展
附錄A典型光刻工藝測試圖形 附錄B光刻工藝建立過程中測試掩模板的繪制 專業(yè)詞匯索引
第1章光刻技術(shù)引論 1.1集成電路簡史 1.2我國集成電路的發(fā)展簡史(1958年—20世紀(jì)90年代) 1.3我國成像鏡頭的發(fā)展簡史和我國數(shù)碼相機(jī)的*新成果 1.4光刻機(jī)的發(fā)展簡史和我國光刻機(jī)的發(fā)展簡史 1.5我國光刻膠的發(fā)展簡史和*新進(jìn)展 1.6光刻工藝使用的其他設(shè)備的發(fā)展和我國的發(fā)展 1.7光刻工藝的仿真計(jì)算發(fā)展包括光學(xué)鄰近效應(yīng)修正的發(fā)展 1.8極紫外光刻的發(fā)展和導(dǎo)向自組裝的發(fā)展 結(jié)語 引文 第2章光刻工藝概覽 2.1光刻的整體技術(shù)要點(diǎn) 2.2光刻工藝的流程 2.2.1**步： 氣體硅片表面預(yù)處理 2.2.2第二步： 旋涂光刻膠，抗反射層 2.2.3第三步： 曝光前烘焙 2.2.4第四步： 對(duì)準(zhǔn)和曝光 2.2.5第五步： 曝光后烘焙 2.2.6第六步： 顯影和沖洗 2.2.7第七步： 顯影后烘焙，堅(jiān)膜烘焙 2.2.8第八步： 測量 2.3光刻工藝使用的設(shè)備 2.3.1光刻機(jī) 2.3.2涂膠顯影一體機(jī) 2.4光刻工藝使用的材料： 光刻膠、抗反射層、填隙材料 2.5光刻工藝的一整套建立方法，包括確定各種膜厚、照明條件、工藝窗口等 思考題 引文 第3章光學(xué)成像原理及分辨率 3.1光學(xué)成像原理 3.2分辨率的定義： 瑞利判據(jù)、全寬半高定義 3.3部分相干光的成像理論： 照明條件中的部分相干性 3.4光學(xué)照明系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)和功能： 科勒照明方式 3.5光學(xué)成像的傅里葉變換 思考題 引文
第4章光刻膠 4.1光刻材料綜述 4.1.1光刻膠 4.1.2溶劑 4.1.3光刻膠的生產(chǎn)流程 4.1.4抗反射層 4.1.5顯影液和清洗液 4.1.6剝離劑和清除劑 4.2負(fù)性光刻膠(光刻膠樹脂、負(fù)性光刻膠類型、交聯(lián)化學(xué)原理) 4.2.1負(fù)性光刻膠原理 4.2.2負(fù)性光刻膠類型 4.3非化學(xué)放大型正性光刻膠——紫外436nm、365nm光刻膠 4.3.1非化學(xué)放大型正性光刻膠——重氮萘醌酚醛樹脂
光刻膠 4.3.2重氮萘醌酚醛樹脂類型光刻膠體系的主要組成成分 4.4化學(xué)放大型的正性光刻膠——深紫外248nm、193nm光刻膠 4.4.1對(duì)更短波長深紫外光刻膠的需求 4.4.2化學(xué)放大的原理 4.4.3基于聚羥基苯乙烯及其衍生物的248nm光刻膠 4.4.4以聚甲基丙烯酸酯為主的193nm光刻膠 4.4.5193nm浸沒式光刻膠 4.4.6正性負(fù)顯影光刻膠 4.5極紫外光刻膠 4.5.1基于斷鏈作用的非化學(xué)放大光刻膠 4.5.2聚合物型化學(xué)放大光刻膠 4.5.3正性極紫外化學(xué)放大光刻膠 4.5.4負(fù)性有機(jī)小分子型光刻膠 4.5.5正性有機(jī)小分子型光刻膠 4.5.6基于無機(jī)物的新型光刻膠 4.6光刻膠的分辨率線邊粗糙度曝光靈敏度極限 4.7輻射化學(xué)與光化學(xué)概述 4.7.1輻射作用 4.7.2激發(fā)態(tài)復(fù)合物 4.7.3能量轉(zhuǎn)移 4.7.4光譜增感 4.7.5光化學(xué)與輻射化學(xué) 4.7.6輻射化學(xué)量子產(chǎn)率 4.7.7輻射曝光敏感度 4.7.8輻射與光刻膠材料相互作用機(jī)理 4.8描述光刻膠物理特性的基本參數(shù) 4.8.1迪爾參數(shù) 4.8.2光酸擴(kuò)散長度和系數(shù) 4.8.3光刻膠顯影液中溶解率對(duì)比度 思考題 引文 第5章抗反射層 5.1抗反射層和反射率控制 5.2抗反射層種類 5.2.1頂部抗反射層 5.2.2底部抗反射層 5.3有機(jī)、無機(jī)底部抗反射層對(duì)比 5.4底部抗反射層光刻膠相互作用 5.5含硅的抗反射層 5.6用于極紫外光刻的底部增感層 思考題 引文 第6章光刻機(jī) 6.1引言 6.2成像鏡頭的發(fā)展和像差消除原理 6.2.1單片凸透鏡的像差分析(三階塞得像差) 6.2.23片3組柯克鏡頭的成像和像差分析 6.2.34片3組天塞鏡頭的成像和像差分析 6.2.46片4組雙高斯鏡頭的成像和像差分析 6.3像差的種類和表征 6.3.1球差、彗差、像散、場曲、畸變、軸向色差、橫向色差 6.3.2鏡頭像差的分?jǐn)傇恚?6片4組鏡頭像差分析 6.4齊明點(diǎn)和零像差設(shè)計(jì) 6.5大數(shù)值孔徑光刻機(jī)鏡頭的介紹 6.5.1蔡司0.93NA、193nm深紫外投影物鏡的成像和像差分析、結(jié)構(gòu)分析 6.5.2蔡司1.35NA、193nm水浸沒式折反深紫外投影物鏡的成像和像差分析、
結(jié)構(gòu)分析 6.5.3蔡司0.33NA、6片6組13.5nm極紫外全反射式投影物鏡的成像和
像差分析、結(jié)構(gòu)分析 6.5.4更加大數(shù)值孔徑極紫外投影物鏡的展望 6.5.5我國光刻投影物鏡的簡要發(fā)展歷程和*新發(fā)展 6.6光刻機(jī)的移動(dòng)平臺(tái)介紹 6.6.1移動(dòng)平臺(tái)系統(tǒng)、移動(dòng)平臺(tái)的功能、結(jié)構(gòu)和主要元件 6.6.2移動(dòng)平臺(tái)三維空間位置的校準(zhǔn) 6.6.3阿斯麥雙工件臺(tái)光柵尺測控系統(tǒng)的介紹 6.6.4我國在光刻機(jī)雙工件臺(tái)移動(dòng)平臺(tái)研制的*新成果 6.6.5光刻機(jī)中硅片的對(duì)準(zhǔn)和調(diào)平(阿斯麥雙工件臺(tái)方法、尼康串列
工件臺(tái)方法) 6.6.6掩模臺(tái)的對(duì)準(zhǔn) 6.6.7硅片平臺(tái)的高精度對(duì)準(zhǔn)補(bǔ)償 6.6.8浸沒式光刻機(jī)硅片臺(tái)的溫度補(bǔ)償、硅片吸附的局部受力導(dǎo)致的套刻
偏差補(bǔ)償 6.6.9掩模版受熱的k18畸變系數(shù)的補(bǔ)償 6.6.10鏡頭受熱的焦距和像散補(bǔ)償方法 6.6.11光刻機(jī)的產(chǎn)能計(jì)算方法介紹 6.6.12光刻機(jī)中的部分傳感器(空間像傳感器、光瞳像差傳感器、光強(qiáng)探測
傳感器、干涉儀等) 6.7光刻機(jī)的照明系統(tǒng)結(jié)構(gòu)和功能 6.7.1固定光圈的照明系統(tǒng)、帶可變照明方式的照明系統(tǒng)(阿斯麥的可變焦
互補(bǔ)型錐鏡) 6.7.2照明光的非相干化、均勻化及穩(wěn)定性 6.7.3偏振照明系統(tǒng) 6.7.4自定義照明系統(tǒng)(阿斯麥的Flexray) 6.8光刻機(jī)的使用和維護(hù) 6.8.1光刻機(jī)的定期檢查項(xiàng)目(焦距校準(zhǔn)、套刻校準(zhǔn)、照明系統(tǒng)校準(zhǔn)、
光束準(zhǔn)直) 6.8.2多臺(tái)光刻機(jī)的套刻匹配(標(biāo)準(zhǔn)) 6.8.3多臺(tái)光刻機(jī)的照明匹配 6.8.4多臺(tái)光刻機(jī)的焦距匹配 6.8.5阿斯麥光刻機(jī)的基線維持功能 6.9光刻機(jī)的延伸功能 6.9.1曝光均勻性的補(bǔ)償 6.9.2套刻分布的補(bǔ)償 6.9.3阿斯麥光刻機(jī)基于氣壓傳感器的精確調(diào)平測量 6.9.4硅片邊緣對(duì)焦調(diào)平的特殊處理 6.9.5硅片邊緣曝光的特殊處理 6.10193nm浸沒式光刻機(jī)的特點(diǎn) 6.10.1防水貼 6.10.2浸沒頭(水罩) 6.1113.5nm極紫外光刻機(jī)的一些特點(diǎn) 6.11.1激光激發(fā)的等離子體光源 6.11.2照明系統(tǒng)、自定義照明系統(tǒng) 6.11.3全反射式的掩模版和投影物鏡 6.11.4高數(shù)值孔徑的投影物鏡設(shè)計(jì)： X方向和Y方向放大率不同的
物鏡 思考題 引文 第7章涂膠烘焙顯影一體機(jī)： 軌道機(jī) 7.1軌道機(jī)的主要組成部分(涂膠機(jī)、熱板、顯影機(jī))和功能 7.1.1涂膠子系統(tǒng) 7.1.2熱板子系統(tǒng) 7.1.3顯影子系統(tǒng) 7.2光刻膠的容器類型(Nowpak和玻璃瓶)、輸送管道和輸送泵 7.3顯影后沖洗設(shè)備(含氮?dú)鈬婎^的先進(jìn)缺陷去除ADR沖洗設(shè)備) 7.4光刻設(shè)備使用的各種過濾器 思考題 引文 第8章光刻工藝的測量設(shè)備 8.1線寬掃描電子顯微鏡的原理和基本結(jié)構(gòu)(電子光學(xué)系統(tǒng)的基本參數(shù)) 8.2線寬掃描電子顯微鏡的測量程序和測量方法 8.3線寬掃描電子顯微鏡的校準(zhǔn)和調(diào)整 8.4套刻顯微鏡的原理和測量方法 8.5套刻顯微鏡的測量程序和測量方法 8.6套刻顯微鏡設(shè)備引入的誤差及其消除方法 8.7基于衍射的套刻探測原理 8.8套刻記號(hào)的設(shè)計(jì) 8.9光學(xué)線寬測量原理 8.10缺陷檢查設(shè)備原理 思考題 引文 第9章光掩模 9.1光掩模的種類 9.2光掩模的制作 9.2.1掩模版的數(shù)據(jù)處理 9.2.2掩模版的曝光刻蝕 9.2.3掩模版線寬、套刻、缺陷的檢測 9.2.4掩模版的修補(bǔ) 9.3光掩模制作過程中的問題 9.3.1掩模版電子束曝光的鄰近效應(yīng)及補(bǔ)償方法 9.3.2電子束曝光的其他問題(霧化、光刻膠過熱等) 9.4光掩模線寬均勻性在不同技術(shù)節(jié)點(diǎn)的參考要求 9.4.1各技術(shù)節(jié)點(diǎn)對(duì)掩模版線寬均勻性的要求 9.4.2線寬均勻性測量使用的圖形類型 9.5光掩模制作和檢測設(shè)備的其他資料 9.5.1電子束各種掃描方式及其優(yōu)缺點(diǎn)介紹 9.5.2電子束曝光機(jī)采用的電子槍 9.5.3多電子束的介紹和*新進(jìn)展 思考題 引文 第10章光刻工藝參數(shù)和工藝窗口 10.1曝光能量寬裕度、歸一化的圖像光強(qiáng)對(duì)數(shù)斜率 10.2對(duì)焦深度 10.3掩模版誤差因子 10.4線寬均勻性(包括圖形邊緣粗糙程度) 10.5光刻膠形貌 思考題 引文 第11章光刻工藝的仿真 11.1反射率仿真算法 11.2對(duì)準(zhǔn)記號(hào)對(duì)比度的算法 11.2.1阿斯麥Athena系統(tǒng)仿真算法和尼康FIA系統(tǒng)仿真算法 11.2.2兩種算法和實(shí)驗(yàn)的比較 11.3光刻空間像的仿真參數(shù) 11.4一維阿貝仿真算法 11.5二維阿貝仿真算法 11.6基于傳輸交叉系數(shù)的空間像算法 11.7矢量的考慮 11.8偏振的計(jì)算 11.9像差的計(jì)算 11.10瓊斯矩陣 11.11時(shí)域有限元的算法 11.11.1掩模三維散射造成的掩模函數(shù)的修正 11.11.2麥克斯韋方程組 11.11.3Yee元胞 11.11.4麥克斯韋方程組的離散化 11.11.5二階吸收邊界條件 11.11.6完全匹配層邊界條件 11.11.7金屬介電常數(shù)避免發(fā)散的方法 11.11.8掩模版三維散射的效應(yīng)： 一維線條/溝槽 11.11.9掩模版三維散射的效應(yīng)： 二維線端/通孔 11.12嚴(yán)格的耦合波算法 11.13光源掩模聯(lián)合優(yōu)化 11.13.1不同光瞳照明條件對(duì)掩模版圖形的影響 11.13.2一個(gè)交叉互聯(lián)圖形的光源掩模聯(lián)合優(yōu)化舉例 11.14光刻膠曝光顯影模型 11.14.1一般光刻膠光化學(xué)反應(yīng)的閾值模型 11.14.2改進(jìn)型整合參數(shù)模型 11.14.3光刻膠光酸等效擴(kuò)散長度在不同技術(shù)節(jié)點(diǎn)上的列表 11.14.4負(fù)顯影光刻膠的模型特點(diǎn) 11.14.5負(fù)顯影光刻膠的物理模型 11.15逆光刻仿真算法 11.15.1逆光刻的思想 11.15.2逆光刻的主要算法 11.15.3逆光刻面臨的主要挑戰(zhàn) 11.16其他仿真算法 思考題 引文 第12章光學(xué)鄰近效應(yīng)修正 12.1光學(xué)鄰近效應(yīng) 12.1.1調(diào)制傳遞函數(shù) 12.1.2禁止周期 12.1.3光學(xué)鄰近效應(yīng)的圖示分析(一維線條/溝槽) 12.1.4照明離軸角和光酸擴(kuò)散長度對(duì)鄰近效應(yīng)的影響 12.1.5光學(xué)鄰近效應(yīng)在線端線端、線端橫線結(jié)構(gòu)的表現(xiàn) 12.2光學(xué)鄰近效應(yīng)的進(jìn)一步探討： 密集圖形和孤立圖形 12.3相干長度的理論和仿真計(jì)算結(jié)果 12.4基于規(guī)則的簡單光學(xué)鄰近效應(yīng)修正方法 12.5基于模型的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正中空間像計(jì)算的化簡 12.5.1傳輸交叉系數(shù)TCC的Cobb本征值分解 12.5.2傳輸交叉系數(shù)TCC的Yamazoe奇異值分解 12.5.3包含矢量信息的傳輸交叉系數(shù) 12.5.4掩模版多邊形圖形的基于邊的分解 12.5.5掩模三維效應(yīng)計(jì)算的區(qū)域分解法(DDM方法) 12.6基于模型的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正： 建模 12.6.1模型的數(shù)學(xué)表達(dá)式和重要參數(shù) 12.6.2建模采用的圖形類型 12.6.3類似20nm邏輯電路的前段線條層OPC建模舉例 12.6.4類似20nm邏輯電路的中后段通孔層OPC建模的特點(diǎn) 12.6.5類似20nm邏輯電路的后段溝槽層OPC建模的特點(diǎn) 12.7基于模型的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正： 修正程序 12.8光學(xué)鄰近效應(yīng)中的亞分辨輔助圖形的添加 12.8.1基于規(guī)則的添加 12.8.2基于模型的添加 12.9基于模型的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正： 薄弱點(diǎn)分析和去除 12.9.1薄弱點(diǎn)的分析和解決： 例1(線寬問題的尋找和修補(bǔ)) 12.9.2薄弱點(diǎn)的分析和解決： 例2(線寬問題的尋找和修補(bǔ)) 思考題 引文 第13章浸沒式光刻 13.1浸沒式光刻工藝產(chǎn)生的背景 13.2浸沒式光刻機(jī)使用的投影物鏡的特點(diǎn) 13.3浸沒式光刻工藝的分辨率提高 13.4浸沒式光刻工藝的工藝窗口提升 13.5浸沒式光刻工藝的新型光刻機(jī)的架構(gòu)改進(jìn) 13.5.1雙工件臺(tái) 13.5.2平面光柵板測控的硅片平臺(tái) 13.5.3紫外光源調(diào)平系統(tǒng) 13.5.4像素式自定義照明系統(tǒng)(靈活照明系統(tǒng)) 13.6浸沒式光刻工藝的光刻膠 13.6.1*初的頂部隔水涂層 13.6.2自分凝隔水層的光刻膠 13.6.3含有光可分解堿的光刻膠 13.7浸沒式光刻工藝的光刻材料膜層結(jié)構(gòu) 13.8浸沒式光刻工藝特有的缺陷 13.9浸沒式軌道機(jī)的架構(gòu) 13.10浸沒式光刻的輔助工藝技術(shù) 13.10.1多重成像技術(shù)的使用 13.10.2負(fù)顯影技術(shù) 13.11浸沒式光刻工藝的建立 13.11.1光刻工藝研發(fā)的一般流程 13.11.2目標(biāo)設(shè)計(jì)規(guī)則的研究和確認(rèn) 13.11.3基于設(shè)計(jì)規(guī)則，通過仿真進(jìn)行初始光源、掩模版類型的選取 13.11.4光刻材料的選取 思考題 引文 第14章光刻工藝的缺陷 14.1旋涂工藝缺陷 14.1.1表面疏水化處理工藝相關(guān)缺陷 14.1.2光刻膠旋涂缺陷 14.1.3洗邊工藝相關(guān)缺陷 14.2顯影工藝缺陷 14.2.1材料特性對(duì)顯影缺陷的影響 14.2.2顯影模塊硬件特點(diǎn)對(duì)顯影缺陷的影響 14.2.3顯影清洗工藝特性與缺陷的關(guān)系 14.3其他類型缺陷(前層和環(huán)境等影響) 14.3.1化學(xué)放大光刻膠的“中毒”現(xiàn)象 14.3.2非化學(xué)放大光刻膠的“中毒”現(xiàn)象 14.4浸沒式光刻工藝缺陷 14.4.1浸沒式光刻機(jī)*早的專利結(jié)構(gòu)圖 14.4.2浸沒式光刻遇到的常見缺陷分類分析 14.4.3去除浸沒式光刻缺陷的方法 思考題 引文 第15章光刻工藝的線寬控制及改進(jìn) 15.1光刻線寬均勻性的定義 15.2光刻線寬均勻性的計(jì)算方法 15.2.1硅片范圍的線寬均勻性 15.2.2曝光場內(nèi)的線寬均勻性 15.3光刻線寬均勻性的改進(jìn)方法 15.3.1批次批次之間均勻性的改進(jìn) 15.3.2批次內(nèi)部線寬均勻性的改進(jìn) 15.3.3硅片內(nèi)部線寬均勻性的改進(jìn) 15.3.4曝光場內(nèi)部線寬均勻性的改進(jìn) 15.3.5局域線寬均勻性的改進(jìn) 15.4線寬粗糙度以及改進(jìn)方法介紹 15.4.1提高空間像對(duì)比度 15.4.2提高光刻膠的光化學(xué)反應(yīng)充分度 15.4.3錨點(diǎn)的掩模版偏置選取 15.4.4曝光后烘焙的充分度 15.4.5選擇抗刻蝕能力強(qiáng)的光刻膠 思考題 引文 第16章光刻工藝的套刻控制及改進(jìn) 16.1套刻控制的原理和參數(shù) 16.2套刻記號(hào)的設(shè)計(jì)和放置 16.2.1套刻記號(hào)的種類（歷史、現(xiàn)在） 16.2.2套刻記號(hào)的放置方式(切割道、芯片內(nèi)) 16.3影響套刻精度的因素 16.3.1設(shè)備的漂移 16.3.2套刻記號(hào)的設(shè)計(jì)和放置 16.3.3襯底的影響 16.3.4化學(xué)機(jī)械平坦化研磨料的殘留對(duì)套刻的影響 16.3.5刻蝕、熱過程工藝可能對(duì)套刻記號(hào)產(chǎn)生的變形 16.3.6掩模版圖形放置誤差對(duì)套刻的影響 16.3.7上下層掩模版線寬誤差對(duì)套刻的擠壓 16.3.8掩模版受熱可能導(dǎo)致的套刻偏差 16.3.9高階套刻偏差的補(bǔ)償——套刻測繪 16.3.10套刻誤差來源分解舉例 16.4套刻/對(duì)準(zhǔn)樹狀關(guān)系 16.4.1間接對(duì)準(zhǔn)的誤差來源和改進(jìn)方式 16.4.2光刻機(jī)指定硅片工件臺(tái)(對(duì)雙工件臺(tái)光刻機(jī))和掩模版曝光機(jī)
連續(xù)出片 16.4.3套刻前饋和反饋 16.4.4混合套刻測量和反饋 思考題 引文 第17章線邊粗糙度/線寬粗糙度 17.1線邊粗糙度/線寬粗糙度概論 17.2線邊粗糙度/線寬粗糙度數(shù)據(jù)分析方法 17.3影響線邊粗糙度/線寬粗糙度的因素 17.4線邊粗糙度/線寬粗糙度的改善方法 17.5小結(jié) 思考題 引文 第18章多重圖形技術(shù) 18.1背景 18.2光刻刻蝕、光刻刻蝕方法 18.3圖形的拆分方法——涂色法 18.3.1三角矛盾 18.3.2應(yīng)用范圍 18.4自對(duì)準(zhǔn)多重圖形方法 18.4.1優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn) 18.4.2應(yīng)用范圍 18.5套刻的策略和原理 18.6線寬均勻性的計(jì)算和分配 思考題 引文 第19章下一代光刻技術(shù) 19.1極紫外光刻技術(shù)的發(fā)展簡史 19.2極紫外光刻與193nm浸沒式光刻的異同點(diǎn) 19.2.1光刻設(shè)備的異同點(diǎn) 19.2.2光刻膠材料的異同點(diǎn) 19.2.3掩模版的異同點(diǎn) 19.2.4光刻工藝的異同點(diǎn) 19.2.5光學(xué)鄰近效應(yīng)的異同點(diǎn) 19.3極紫外技術(shù)的進(jìn)展 19.3.1光源的進(jìn)展 19.3.2光刻膠的現(xiàn)狀 19.3.3掩模版保護(hù)膜的進(jìn)展 19.3.4錫滴的供應(yīng)和循環(huán)系統(tǒng)的進(jìn)展 19.4導(dǎo)向自組裝DSA的技術(shù)介紹 19.4.1原理介紹 19.4.2類型： 物理限制型外延、化學(xué)表面編碼型外延 19.4.3缺陷的來源和改進(jìn) 19.4.4圖形設(shè)計(jì)流程介紹 19.5納米壓印技術(shù)介紹 19.6電子束直寫技術(shù)介紹 思考題 引文 第20章光刻技術(shù)發(fā)展展望 20.1光刻技術(shù)繼續(xù)發(fā)展的幾點(diǎn)展望 20.2光刻技術(shù)的發(fā)展將促進(jìn)我國相關(guān)技術(shù)的發(fā)展
附錄A典型光刻工藝測試圖形 附錄B光刻工藝建立過程中測試掩模板的繪制 專業(yè)詞匯索引
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高端集成電路制造工藝叢書衍射極限附近的光刻工藝 作者簡介
伍強(qiáng)，1993年于復(fù)旦大學(xué)獲物理學(xué)學(xué)士學(xué)位，1999年于耶魯大學(xué)獲物理學(xué)博士學(xué)位。畢業(yè)后就職于IBM公司，擔(dān)任半導(dǎo)體集成電路光刻工藝研發(fā)工程師，在研發(fā)65nm邏輯光刻工藝時(shí)，在世界上首次通過建模精確地測量了光刻工藝的重要參數(shù)：等效光酸擴(kuò)散長度。2004年回國，先后擔(dān)任光刻工藝研發(fā)主管、光刻設(shè)備應(yīng)用部主管，就職于上海華虹NEC電子有限公司、荷蘭阿斯麥（ASML）光刻設(shè)備制造（中國）有限公司、中芯國際集成電路制造（上海）有限公司、中芯國際集成電路新技術(shù)研發(fā)（上海）有限公司和上海集成電路研發(fā)中心。先后研發(fā)或帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)研發(fā)0.18 ?m、0.13 ?m、90 nm、65 nm、40 nm、28 nm、20 nm、14 nm、10 nm等邏輯光刻工藝技術(shù)和0.11 ?m 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）光刻工藝技術(shù)，帶領(lǐng)設(shè)備應(yīng)用部團(tuán)隊(duì)將193 nm浸沒式光刻機(jī)成功引入中國。截至2019年5月，共獲得114項(xiàng)專利授權(quán)，其中26項(xiàng)美國專利，單獨(dú)或帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)發(fā)表光刻技術(shù)論文52篇。擔(dān)任國家“02”重大專項(xiàng)光刻機(jī)工程指揮部專家，入選“2018年度上海市優(yōu)秀技術(shù)帶頭人”計(jì)劃，2007-2009年 擔(dān)任ISTC（國際半導(dǎo)體技術(shù)大會(huì)）光刻分會(huì)主席。2010年-2019年擔(dān)任CSTIC（中國國際半導(dǎo)體技術(shù)大會(huì)）光刻分會(huì)副主席。
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