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石墨烯基礎(chǔ)及氫氣刻蝕 版權(quán)信息
- ISBN：9787502481971
- 條形碼：9787502481971 ; 978-7-5024-8197-1
- 裝幀：平裝-膠訂
- 冊數(shù)：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
石墨烯基礎(chǔ)及氫氣刻蝕 本書特色
石墨烯由于具有獨特的晶體結(jié)構(gòu)、優(yōu)異的電學(xué)、光學(xué)和力學(xué)性質(zhì)，在納米電子器件和儲能應(yīng)用等諸多領(lǐng)域引起科研人員的極大關(guān)注。近年來，石墨烯的基礎(chǔ)研究越來越深入，石墨烯器件的發(fā)展也隨之突飛猛進。《石墨烯基礎(chǔ)及氫氣刻蝕》內(nèi)容涵蓋了石墨烯的晶體結(jié)構(gòu)和電子結(jié)構(gòu)、石墨烯的性質(zhì)及應(yīng)用、石墨烯的制備和表征，以及石墨烯的氫氣刻蝕研究等。該書對推動石墨烯的基礎(chǔ)研究，特別是石墨烯的制備和刻蝕方面有著重要的指導(dǎo)作用。
《石墨烯基礎(chǔ)及氫氣刻蝕》面對的讀者大致可以分為兩類：□□類是剛開始從事石墨烯材料相關(guān)研究的科研人員，該書可以為其提供目前石墨烯發(fā)展的一個全面的、具體的介紹，使其能夠快速地掌握石墨烯的研究現(xiàn)狀；第二類是與石墨烯二維材料具有一定聯(lián)系的教育工作者或興趣愛好者，可以作為材料科學(xué)領(lǐng)域課程的一部分，也可以作為一本相關(guān)的科普讀物。
石墨烯基礎(chǔ)及氫氣刻蝕 內(nèi)容簡介
本書首先介紹了石墨烯的晶體和能帶結(jié)構(gòu), 石墨烯的制備方法以及在電子器件、熱傳導(dǎo)、場發(fā)射、傳感器、復(fù)合物和能量存儲等方面的應(yīng)用 ; 然后本書詳細介紹了利用CVD法在Mo膜和拋光Cu襯底上制備高質(zhì)量的石墨烯薄膜 ; *后詳細研究了石墨烯的H2刻蝕現(xiàn)象。
石墨烯基礎(chǔ)及氫氣刻蝕 目錄
1 緒論
參考文獻
2 石墨烯的晶體結(jié)構(gòu)和電子結(jié)構(gòu)
2．1 石墨烯的晶體結(jié)構(gòu)
2．2 石墨烯的電子結(jié)構(gòu)
2．2．1 單層石墨烯的電子結(jié)構(gòu)
2．2．2 石墨烯中無質(zhì)量的狄拉克費米子
2．2．3 雙層石墨烯的電子結(jié)構(gòu)
2．2．4 多層石墨烯的電子結(jié)構(gòu)
參考文獻
3 石墨烯的性質(zhì)及應(yīng)用
3．1 石墨烯能帶隙的打開
3．2 石墨烯基微電子器件和納米電子器件
3．2．1 石墨烯電路中的晶體管數(shù)量
3．2．2 數(shù)字邏輯門
3．2．3 數(shù)字非易失性存儲器
3．3 高頻電子器件
3．3．1 模擬電壓放大器
3．3．2 石墨烯環(huán)振蕩器
3．4 基于分層材料的器件
3．5 新型的垂直型／平面型晶體管和器件
3．5．1 垂直隧道晶體管和垂直熱電子晶體管
3．5．2 2d異質(zhì)結(jié)構(gòu)的面內(nèi)傳輸
3．6 電子發(fā)射
3．7 石墨烯飽和吸收劑和相關(guān)設(shè)備
3．8 石墨烯相關(guān)應(yīng)用舉例
3．8．1 透明電極
3．8．2 納米電子器件
3．8．3 儲能應(yīng)用
3．8．4 傳感器方面的應(yīng)用
3．8．5 復(fù)合材料方面的應(yīng)用
參考文獻
4 石墨烯的制備、表征及轉(zhuǎn)移
4．1 干法剝離
4．1．1 用于研究目的的機械剝離
4．1．2 陽極鍵合
4．1．3 激光燒蝕和光剝離
4．2 液相剝離
4．2．1 石墨的液相剝離
4．2．2 氧化石墨的液相剝離
4．2．3 插層石墨的液相剝離
4．3 SiC熱蒸發(fā)法
4．4 化學(xué)氣相沉積（CVD）
4．4．1 金屬襯底上熱CVD法制備石墨烯
4．4．2 絕緣襯底上熱CVD法制備石墨烯
4．4．3 CVD法制備大尺寸石墨烯晶疇
4．5 其他制備方法
4．5．1 過渡金屬表面析出法
4．5．2 碳納米管解理法
4．6 石墨烯的表征技術(shù)
4．6．1 光學(xué)顯微鏡
4．6．2 原子力顯微鏡
4．6．3 掃描電子顯微鏡
4．6．4 透射電子顯微鏡
4．6．5 拉曼光譜
4．7 石墨烯的轉(zhuǎn)移技術(shù)
參考文獻
……
5 CVD法在單晶Mo膜襯底上制備高質(zhì)量石墨烯薄膜
6 CVD法在拋光Cu襯底上制備高質(zhì)量石墨烯薄膜
7 CVD法制備的石墨烯晶疇的H2刻蝕現(xiàn)象研究
8 CVD石墨烯晶疇的邊緣刻蝕現(xiàn)象研究
參考文獻
2 石墨烯的晶體結(jié)構(gòu)和電子結(jié)構(gòu)
2．1 石墨烯的晶體結(jié)構(gòu)
2．2 石墨烯的電子結(jié)構(gòu)
2．2．1 單層石墨烯的電子結(jié)構(gòu)
2．2．2 石墨烯中無質(zhì)量的狄拉克費米子
2．2．3 雙層石墨烯的電子結(jié)構(gòu)
2．2．4 多層石墨烯的電子結(jié)構(gòu)
參考文獻
3 石墨烯的性質(zhì)及應(yīng)用
3．1 石墨烯能帶隙的打開
3．2 石墨烯基微電子器件和納米電子器件
3．2．1 石墨烯電路中的晶體管數(shù)量
3．2．2 數(shù)字邏輯門
3．2．3 數(shù)字非易失性存儲器
3．3 高頻電子器件
3．3．1 模擬電壓放大器
3．3．2 石墨烯環(huán)振蕩器
3．4 基于分層材料的器件
3．5 新型的垂直型／平面型晶體管和器件
3．5．1 垂直隧道晶體管和垂直熱電子晶體管
3．5．2 2d異質(zhì)結(jié)構(gòu)的面內(nèi)傳輸
3．6 電子發(fā)射
3．7 石墨烯飽和吸收劑和相關(guān)設(shè)備
3．8 石墨烯相關(guān)應(yīng)用舉例
3．8．1 透明電極
3．8．2 納米電子器件
3．8．3 儲能應(yīng)用
3．8．4 傳感器方面的應(yīng)用
3．8．5 復(fù)合材料方面的應(yīng)用
參考文獻
4 石墨烯的制備、表征及轉(zhuǎn)移
4．1 干法剝離
4．1．1 用于研究目的的機械剝離
4．1．2 陽極鍵合
4．1．3 激光燒蝕和光剝離
4．2 液相剝離
4．2．1 石墨的液相剝離
4．2．2 氧化石墨的液相剝離
4．2．3 插層石墨的液相剝離
4．3 SiC熱蒸發(fā)法
4．4 化學(xué)氣相沉積（CVD）
4．4．1 金屬襯底上熱CVD法制備石墨烯
4．4．2 絕緣襯底上熱CVD法制備石墨烯
4．4．3 CVD法制備大尺寸石墨烯晶疇
4．5 其他制備方法
4．5．1 過渡金屬表面析出法
4．5．2 碳納米管解理法
4．6 石墨烯的表征技術(shù)
4．6．1 光學(xué)顯微鏡
4．6．2 原子力顯微鏡
4．6．3 掃描電子顯微鏡
4．6．4 透射電子顯微鏡
4．6．5 拉曼光譜
4．7 石墨烯的轉(zhuǎn)移技術(shù)
參考文獻
……
5 CVD法在單晶Mo膜襯底上制備高質(zhì)量石墨烯薄膜
6 CVD法在拋光Cu襯底上制備高質(zhì)量石墨烯薄膜
7 CVD法制備的石墨烯晶疇的H2刻蝕現(xiàn)象研究
8 CVD石墨烯晶疇的邊緣刻蝕現(xiàn)象研究
展開全部
石墨烯基礎(chǔ)及氫氣刻蝕 作者簡介
王彬，1983年生，男，渤海大學(xué)新能源學(xué)院講師。科研成果：利用CVD法在過渡金屬襯底上制備出大面積均勻高質(zhì)量石墨烯薄膜。曾出版《激光技術(shù)與太陽能電池》(王月,王彬,王春杰 箸，冶金工業(yè)出版社)。
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