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硅基應變半導體物理 版權(quán)信息
- ISBN：9787560652948
- 條形碼：9787560652948 ; 978-7-5606-5294-8
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊數(shù)：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>
硅基應變半導體物理 內(nèi)容簡介
《硅基應變半導體物理（研究生）》共6章，主要介紹了硅基應變半導體物理的相關(guān)內(nèi)容，重點討論了如何建立硅基應變材料能帶結(jié)構(gòu)與載流子遷移率模型，并分析了應變對硅基應變材料能帶結(jié)構(gòu)與載流子遷移率的影響。通過該書的學習，可為讀者以后學習應變器件物理奠定重要的理論基礎(chǔ)。 《硅基應變半導體物理（研究生）》可作為高等院校微電子學與固體電子學專業(yè)研究生的參考書，也可供其他相關(guān)專業(yè)的學生參考。
硅基應變半導體物理 目錄
第1章 應變實現(xiàn)方法
1．1 應力引入方法
1．1．1 通過機械力引入應力
1．1．2 全局應變引入應力
1．1．3 源／漏（S/D）植入引入應力
1．1．4 SiN帽層引入應力
1．1．5 應力釋放引入應力
1．1．6 應力記憶引入應力
1．1．7 Ge預非晶化引入應力
1．2 臨界厚度及應變測定方法
1．2．1 臨界厚度
1．2．2 應變測定方法
1．3 本章小結(jié)
習題
第2章 硅基應變材料能帶E-k關(guān)系
2．1 應變張量模型
2．1．1 應變張量通解
2．1．2（001）、（111）、（101）面應變張量
2．2 硅基應變材料贗晶結(jié)構(gòu)模型
2．3 形變勢模型
2．4 定態(tài)微擾理論
2．4．1 能級非簡并情況
2．4．2 能級簡并情況
2．5 硅基應變材料導帶E-k關(guān)系
2．6 硅基應變材料價帶E-k關(guān)系
2．6．1 弛豫Si價帶E-k關(guān)系
2．6．2 硅基應變材料價帶E-k關(guān)系
2．7 本章小結(jié)
習題
第3章 硅基應變材料基本物理參數(shù)模型
3．1 硅基應變材料導帶結(jié)構(gòu)模型
3．1．1 硅基應變材料導帶能谷簡并度
3．1．2 硅基應變材料導帶能谷能級
3．2 硅基應變材料價帶結(jié)構(gòu)模型
3．2．1 硅基應變材料價帶r點處能級
3．2．2 應變Si價帶結(jié)構(gòu)
3．3 硅基應變材料空穴有效質(zhì)量
3．3．1 硅基應變材料空穴各向異性有效質(zhì)量
3．3．2 硅基應變材料空穴各向同性有效質(zhì)量
3．4 硅基應變材料態(tài)密度
3．4．1 硅基應變材料導帶底附近態(tài)密度
3．4．2 硅基應變材料價帶頂附近態(tài)密度
3．5 硅基應變材料有效狀態(tài)密度及本征載流子濃度
3．6 本章小結(jié)
習題
第4章 基于CASTEP的應變Si能帶結(jié)構(gòu)分析
4．1 CASTEP軟件的主要理論
4．1．1 密度泛函理論（DFT）
4．1．2 贗勢
4．1．3 分子軌道的自洽求解
4．1．4 CASTEP軟件的幾項關(guān)鍵技術(shù)
4．2 基于CASTEP的應變Si能帶結(jié)構(gòu)分析
4．2．1 能帶分析選項卡的設(shè)定
4．2．2 能帶分析結(jié)果
4．3 結(jié)果分析與討論
4．3．1（001）應變Si帶邊分析
4．3．2（101）應變Si帶邊分析
4．3．3（111）應變Si帶邊分析
4．4 本章小結(jié)
習題
第5章 Ge組分（x）與應力轉(zhuǎn)化模型
5．1 轉(zhuǎn)化原理及模型
5．2（101）面雙軸應力與Ge組分的關(guān)系
5．3 結(jié)果分析與討論
5．4 本章小結(jié)
習題
第6章 硅基應變材料載流子散射機制與遷移率
6．1 費米黃金法則
6．2 躍遷概率及散射概率模型
6．3 載流子遷移率模型
6．4 本章小結(jié)
習題
參考文獻
1．1 應力引入方法
1．1．1 通過機械力引入應力
1．1．2 全局應變引入應力
1．1．3 源／漏（S/D）植入引入應力
1．1．4 SiN帽層引入應力
1．1．5 應力釋放引入應力
1．1．6 應力記憶引入應力
1．1．7 Ge預非晶化引入應力
1．2 臨界厚度及應變測定方法
1．2．1 臨界厚度
1．2．2 應變測定方法
1．3 本章小結(jié)
習題
第2章 硅基應變材料能帶E-k關(guān)系
2．1 應變張量模型
2．1．1 應變張量通解
2．1．2（001）、（111）、（101）面應變張量
2．2 硅基應變材料贗晶結(jié)構(gòu)模型
2．3 形變勢模型
2．4 定態(tài)微擾理論
2．4．1 能級非簡并情況
2．4．2 能級簡并情況
2．5 硅基應變材料導帶E-k關(guān)系
2．6 硅基應變材料價帶E-k關(guān)系
2．6．1 弛豫Si價帶E-k關(guān)系
2．6．2 硅基應變材料價帶E-k關(guān)系
2．7 本章小結(jié)
習題
第3章 硅基應變材料基本物理參數(shù)模型
3．1 硅基應變材料導帶結(jié)構(gòu)模型
3．1．1 硅基應變材料導帶能谷簡并度
3．1．2 硅基應變材料導帶能谷能級
3．2 硅基應變材料價帶結(jié)構(gòu)模型
3．2．1 硅基應變材料價帶r點處能級
3．2．2 應變Si價帶結(jié)構(gòu)
3．3 硅基應變材料空穴有效質(zhì)量
3．3．1 硅基應變材料空穴各向異性有效質(zhì)量
3．3．2 硅基應變材料空穴各向同性有效質(zhì)量
3．4 硅基應變材料態(tài)密度
3．4．1 硅基應變材料導帶底附近態(tài)密度
3．4．2 硅基應變材料價帶頂附近態(tài)密度
3．5 硅基應變材料有效狀態(tài)密度及本征載流子濃度
3．6 本章小結(jié)
習題
第4章 基于CASTEP的應變Si能帶結(jié)構(gòu)分析
4．1 CASTEP軟件的主要理論
4．1．1 密度泛函理論（DFT）
4．1．2 贗勢
4．1．3 分子軌道的自洽求解
4．1．4 CASTEP軟件的幾項關(guān)鍵技術(shù)
4．2 基于CASTEP的應變Si能帶結(jié)構(gòu)分析
4．2．1 能帶分析選項卡的設(shè)定
4．2．2 能帶分析結(jié)果
4．3 結(jié)果分析與討論
4．3．1（001）應變Si帶邊分析
4．3．2（101）應變Si帶邊分析
4．3．3（111）應變Si帶邊分析
4．4 本章小結(jié)
習題
第5章 Ge組分（x）與應力轉(zhuǎn)化模型
5．1 轉(zhuǎn)化原理及模型
5．2（101）面雙軸應力與Ge組分的關(guān)系
5．3 結(jié)果分析與討論
5．4 本章小結(jié)
習題
第6章 硅基應變材料載流子散射機制與遷移率
6．1 費米黃金法則
6．2 躍遷概率及散射概率模型
6．3 載流子遷移率模型
6．4 本章小結(jié)
習題
參考文獻
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