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半導體物理基礎 版權信息
- ISBN：9787030287281
- 條形碼：9787030287281 ; 978-7-03-028728-1
- 裝幀：一般膠版紙
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
半導體物理基礎 內容簡介
《中國科學技術經典文庫·物理卷：半導體物理基礎》主要介紹與晶體管、集成電路等所謂硅平面器件有關的半導體物理基礎。第1章、第2章介紹半導體的一般原理；第3章、第4章對pn結、半導體表面和MOS晶體管的物理原理進行具體而深入的分析；第5章結合具體的半導體材料，介紹了有關晶體和缺陷的基礎知識！ 吨袊茖W技術經典文庫·物理卷：半導體物理基礎》對一些基本概念的講述做到了深入淺出、便于自學，在結合具體的半導體材料講述晶體缺陷方面做了新的嘗試，《中國科學技術經典文庫·物理卷：半導體物理基礎》可以作為高等學校有關課程的教學參考書，也可供從事半導體技術工作的科技人員和工人閱讀。
半導體物理基礎 目錄
前言
第1章 摻雜半導體的導電性
1．1 摻雜和載流子
1．2 電導率和電阻率
1．3 遷移率
1．4 測量電阻率的四探針方法
1．5 擴散薄層的方塊電阻
第2章 能級和載流子
2．1 量子態和能級
2．2 多子和少子的熱平衡
2．3 費米能級
2．4 電子的平衡統計分布規律
2．5 非平衡載流子的復合
2．6 非平衡載流子的擴散
第3章 pn結
3．1 pn結的電流一電壓關系
3．2 空間電荷區中的復合和產生電流
3．3 晶體管的電流放大作用
3．4 高摻雜的半導體和pn結
3．5 pn結的擊穿
3．6 pn結的電容效應
3．7 金屬-導體接觸
第4章 半導體表面
4．1 表面空間電荷區及反型層
4．2 MIS電容器——理想C（V）特性
4．3 實際MIS電容器的C（V）特性及應用
4．4 硅-二氧化硅系統的性質
4．5 MOS場效應晶體管
4．6 電荷耦合器件
第5章 晶格和缺陷
5．1 晶格
5．2 空位和間隙原子
5．3位錯
5．4 層錯
5．5 相變和相圖
第1章 摻雜半導體的導電性
1．1 摻雜和載流子
1．2 電導率和電阻率
1．3 遷移率
1．4 測量電阻率的四探針方法
1．5 擴散薄層的方塊電阻
第2章 能級和載流子
2．1 量子態和能級
2．2 多子和少子的熱平衡
2．3 費米能級
2．4 電子的平衡統計分布規律
2．5 非平衡載流子的復合
2．6 非平衡載流子的擴散
第3章 pn結
3．1 pn結的電流一電壓關系
3．2 空間電荷區中的復合和產生電流
3．3 晶體管的電流放大作用
3．4 高摻雜的半導體和pn結
3．5 pn結的擊穿
3．6 pn結的電容效應
3．7 金屬-導體接觸
第4章 半導體表面
4．1 表面空間電荷區及反型層
4．2 MIS電容器——理想C（V）特性
4．3 實際MIS電容器的C（V）特性及應用
4．4 硅-二氧化硅系統的性質
4．5 MOS場效應晶體管
4．6 電荷耦合器件
第5章 晶格和缺陷
5．1 晶格
5．2 空位和間隙原子
5．3位錯
5．4 層錯
5．5 相變和相圖
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