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包郵 晶體管原理-(第2版)

作者:郭澎
出版社:國(guó)防工業(yè)出版社出版時(shí)間:2016-04-01
開(kāi)本: 32開(kāi) 頁(yè)數(shù): 366
中 圖 價(jià):¥42.8(7.4折) 定價(jià)  ¥58.0 登錄后可看到會(huì)員價(jià)
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晶體管原理-(第2版) 版權(quán)信息

  • ISBN:9787118107715
  • 條形碼:9787118107715 ; 978-7-118-10771-5
  • 裝幀:暫無(wú)
  • 冊(cè)數(shù):暫無(wú)
  • 重量:暫無(wú)
  • 所屬分類(lèi):>

晶體管原理-(第2版) 本書(shū)特色

《晶體管原理(第2版)》主要講述雙極型晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基本工作原理及其頻率特性、功率特性、開(kāi)關(guān)特性,并描述這些特性的相關(guān)參數(shù)。講述了新型半導(dǎo)體器件包括*新發(fā)明的石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管和常溫單電子晶體管的結(jié)構(gòu)和特性。為適應(yīng)計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)仿真的需求,書(shū)中介紹了半導(dǎo)體器件特別是國(guó)產(chǎn)軍品器件創(chuàng)建模型的方法。

晶體管原理-(第2版) 內(nèi)容簡(jiǎn)介

《晶體管原理(第2版)》主要講述雙極型晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基本工作原理及其頻率特性、功率特性、開(kāi)關(guān)特性,并描述這些特性的相關(guān)參數(shù)。講述了新型半導(dǎo)體器件包括*新發(fā)明的石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管和常溫單電子晶體管的結(jié)構(gòu)和特性。為適應(yīng)計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)仿真的需求,書(shū)中介紹了半導(dǎo)體器件特別是國(guó)產(chǎn)軍品器件創(chuàng)建模型的方法。

晶體管原理-(第2版) 作者簡(jiǎn)介

 第1章半導(dǎo)體物理與工藝概要 1.1晶體結(jié)構(gòu)和能帶結(jié)構(gòu) 1.1.1理想晶體的結(jié)構(gòu) 1.1.2理想晶體的能帶結(jié)構(gòu) 1.1.3晶格振動(dòng)和雜質(zhì)原子對(duì)半導(dǎo)體性質(zhì)的影響 1.2半導(dǎo)體中的載流子 1.2.1平衡載流子的統(tǒng)計(jì) 1.2.2半導(dǎo)體中的非平衡載流子 1.3載流子的運(yùn)動(dòng) 1.3.1漂移運(yùn)動(dòng) 1.3.2擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) 1.4半導(dǎo)體中的基本控制方程組 1.4.1電流密度方程 1.4.2連續(xù)性方程 1.5PN結(jié)的電學(xué)特性 1.5.1PN繕直流伏安特性 1.5.2勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容 1.5.3擊穿特性 1.6基本器件工藝 1.6.1襯底制備和外延生長(zhǎng) 1.6.2氧化和光刻 1.6.3擴(kuò)散與離子注入 習(xí)題 參考文獻(xiàn) 第2章晶體管的直流特性 2.1晶體管的基本結(jié)構(gòu)及其雜質(zhì)分布 2.1.1基本結(jié)構(gòu) 2.1.2晶體管工藝與雜質(zhì)分布 2.1.3均勻基區(qū)晶體管和緩變基區(qū)晶體管 2.2晶體管的放大機(jī)理 2.2.1晶體管的電流傳輸作用 2.2.2晶體管端電流的組成 2.2.3描述晶體管電流傳輸作用和放大性能的參數(shù) 2.2.4晶體管的放大能力 2.3晶體管的直流伏安特性 2.3.1均勻基區(qū)晶體管的伏安特性 2.3.2緩變基區(qū)晶體管有源放大區(qū)的伏安特性 2.4直流電流增益 2.4.1理想晶體管的直流增益 2.4.2影響直流增益的一些因素 2.5反向電流和擊穿電壓 2.5.1反向電流 2.5.2擊穿電壓 2.5.3穿通電壓 2.6基極電阻 2.6.1梳狀晶體管 2.6.2圓形晶體管 2.7特性曲線 2.7.1輸入特性曲線 2.7.2輸出特性曲線 2.7.3晶體管的直流小信號(hào)h參數(shù) 2.8晶體管模型 2.8.1埃伯斯一莫爾模型 2.8.2晶體管各工作區(qū)的模型 習(xí)題 參考文獻(xiàn) 第3章晶體管的頻率特性 3.1基本概念 3.1.1晶體管的交流小信號(hào)電流增益 3.1.2描述晶體管頻率特性的參數(shù) 3.2電流增益的頻率變化關(guān)系——截止頻率和特征頻率 3.2.1交流小信號(hào)電流的傳輸過(guò)程 3.2.2共基極電流增益和α截止頻率 3.2.3共射極電流增益、β截止頻率和特征頻率 3.3高頻功率增益和最高振蕩頻率 3.3.1晶體管的功率增益 3.3.2晶體管的高頻功率增益 3.4雙極型晶體管的噪聲特性 3.4.1晶體管的噪聲和噪聲系數(shù) 3.4.2晶體管的噪聲來(lái)源 3.4.3晶體管的噪聲頻譜特性 習(xí)題 參考文獻(xiàn) 第4章雙極型晶體管的功率特性 4.1基區(qū)大注入效應(yīng)對(duì)電流放大系數(shù)的影響 4.1.1大注入下基區(qū)少數(shù)載流子分布 4.1.2基區(qū)電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng) 4.1.3基區(qū)大注入對(duì)電流放大系數(shù)的影響 4.1.4大注入對(duì)基區(qū)渡越時(shí)間的影響 4.2基區(qū)擴(kuò)散效應(yīng) 4.2.1注入電流對(duì)集電結(jié)空間電荷區(qū)電場(chǎng)分布的影響 4.2.2基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng) 4.3發(fā)射極電流集邊效應(yīng) 4.3.1發(fā)射極電流的分布 4.3.2發(fā)射極有效條寬 4.3.3發(fā)射極有效長(zhǎng)度 4.4發(fā)射極單位周長(zhǎng)電流容量 4.4.1集電極最大允許工作電流ICM 4.4.2線電流密度 4.5晶體管最大耗散功率PCM 4.5.1耗散功率和最高結(jié)溫 4.5.2熱阻 4.5.3晶體管的最大耗散功率 4.6二次擊穿和安全工作區(qū) 4.6.1二次擊穿現(xiàn)象 4.6.2二次擊穿機(jī)理及改進(jìn)措施 4.6.3安全工作區(qū) 習(xí)題 參考文獻(xiàn) 第5章開(kāi)關(guān)特性 5.1晶體管的開(kāi)關(guān)作用 5.1.1晶體管開(kāi)關(guān)作用的定性分析 5.1.2截止區(qū)和飽和區(qū)的電荷分布 5.2晶體管的開(kāi)關(guān)過(guò)程和開(kāi)關(guān)時(shí)間 5.2.1幾個(gè)開(kāi)關(guān)時(shí)間的定義 5.2.2電荷控制理論 5.2.3延遲過(guò)程和延遲時(shí)間 5.2.4上升過(guò)程與上升時(shí)間 5.2.5電荷儲(chǔ)存效應(yīng)與儲(chǔ)存時(shí)間 5.2.6下降過(guò)程與下降時(shí)間 5.2.7提高開(kāi)關(guān)速度的措施 5.3開(kāi)關(guān)管正向壓降和飽和壓降 5.3.1正向壓降 5.3.2飽和壓降 習(xí)題 參考文獻(xiàn) 第6章結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 6.1結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)的基本工作原理 6.1.1JFET的基本結(jié)構(gòu) 6.1.2JFET的基本工作原理 6.1.3JFET的輸出特性和轉(zhuǎn)移特性 6.1.4肖特基柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MESFET) 6.1.5器件的類(lèi)型和代表符號(hào) 6.2JFET的直流參數(shù)和低頻小信號(hào)交流參數(shù) 6.2.1JFET的直流電流—電壓特性 6.2.2JFET的直流參數(shù) 6.2.3JFET交流小信號(hào)參數(shù) 6.2.4溝道雜質(zhì)任意分布時(shí)器件的伏安特性 6.2.5高場(chǎng)遷移率的影響 6.3結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的頻率特性 6.3.1交流小信號(hào)等效電路 6.3.2JFET的頻率參數(shù) 6.4結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)舉例 6.4.1MESFET 6.4.2JFET 6.4.3V形槽JFET 習(xí)題 參考文獻(xiàn) …… 第7章MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 第8章石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管 第9章新型半導(dǎo)體器件的仿真模型  

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