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半導體物理與器件(第三版 版權信息
- ISBN：9787121111808
- 條形碼：9787121111808 ; 978-7-121-11180-8
- 裝幀：暫無
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
半導體物理與器件(第三版 內容簡介
本書是微電子技術領域的基礎教程。全書涵蓋了量子力學、固體物理、半導體材料物理以及半導體器件物理等內容，共分為三部分，十五章。**部分是基礎物理，包括固體晶格結構、量子力學和固體物理；第二部分是半導體材料物理，主要討論平衡態和非平衡態半導體以及載流子輸運現象；第三部分是半導體器件物理，主要討論同質pn結、金屬半導體接觸、異質結以及雙極晶體管、mos場效應晶體管、結型場效應晶體管等。*后論述了光子器件和功率半導體器件。書中既講述了半導體基礎知識，也分析討論了小尺寸器件物理問題，具有一定的深度和廣度。全書內容豐富、概念清楚、講解深入淺出、理論分析透徹。另外，全書各章難點之后均列有例題、自測題，每章末均安排有復習要點、重要術語解釋及知識點。全書各章末列有習題和參考文獻，書后附有部分習題的答案；此外，部分章末引入了計算機仿真題。
本書可作為高等院校微電子技術專業本科生及相關專業研究生的教材或參考書，也可作為相關領域工程技術資料。
半導體物理與器件(第三版 目錄
緒論 半導體和集成電路
歷史
集成電路（ic）
制造
參考文獻
第1章 固體晶格結構
1.1 半導體材料
1.2 固體類型
1.3 空間晶格
1.4 原子價鍵
1.5 固體中的缺陷和雜質
1.6 半導體材料的生長
1.7 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第2章 量子力學初步
2.1 量子力學的基本原理
2.2 薛定諤波動方程
2.3 薛定諤波動方程的應用
2.4 原子波動理論的延伸
2.5 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第3章 固體量子理論初步
3.1 允帶與禁帶
3.2 固體中電的傳導
3.3 三維擴展
3.4 狀態密度函數
3.5 統計力學
3.6 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第4章 平衡半導體
4.1 半導體中的載流子
4.2 摻雜原子與能級
4.3 非本征半導體
4.4 施主和受主的統計學分布
4.5 電中性狀態
4.6 費米能級的位置
4.7 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第5章 載流子輸運現象
5.1 載流子的漂移運動
5.2 載流子擴散
5.3 雜質梯度分布
5.4 霍爾效應
5.5 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第6章 半導體中的非平衡過剩載流子
6.1 載流子的產生與復合
6.2 過剩載流子的性質
6.3 雙極輸運
6.4 準費米能級
6.5 過剩載流子的壽命
6.6 表面效應
6.7 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第7章 pn結
7.1 pn結的基本結構
7.2 零偏
7.3 反偏
7.4 非均勻摻雜pn結
7.5 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第8章 pn結二極管
8.1 pn結電流
8.2 pn結的小信號模型
8.3 產生復合電流
8.4 結擊穿
8.5 電荷存儲與二極管瞬態
8.6 隧道二極管
8.7 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第9章 金屬半導體和半導體異質結
9.1 肖特基勢壘二極管
9.2 金屬半導體的歐姆接觸
9.3 異質結
9.4 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第10章 雙極晶體管
10.1 雙極晶體管的工作原理
10.2 少子的分布
10.3 低頻共基極電流增益
10.4 非理想效應
10.5 等效電路模型
10.6 頻率上限
10.7 大信號開關
10.8 其他的雙極晶體管結構
10.9 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第11章 金屬氧化物半導體場效應晶體管基礎
11.1 雙端mos結構
11.2 電容電壓特性
11.3 mosfet基本工作原理
11.4 頻率限制特性
11.5 cmos技術
11.6 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第12章 金屬氧化物半導體場效應晶體管：概念的深入
12.1 非理想效應
12.2 mosfet按比例縮小理論
12.3 閾值電壓的修正
12.4 附加電學特性
12.5 輻射和熱電子效應
12.6 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第13章 結型場效應晶體管
13.1 jfet概念
13.2 器件的特性
13.3 非理想因素
13.4 等效電路和頻率限制
13.5 高電子遷移率晶體管
13.6 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第14章 光器件
14.1 光學吸收
14.2 太陽能電池
14.3 光電探測器
14.4 光致發光和電致發光
14.5 光電二極管
14.6 激光二極管
14.7 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第15章 半導體功率器件
15.1 功率雙極晶體管
15.2 功率mosfet
15.3 散熱片和結溫
15.4 半導體閘流管
15.5 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
附錄a 部分參數符號列表
附錄b 單位制、單位換算和通用常數
附錄c 元素周期表
附錄d 誤差函數
附錄e 薛定諤波動方程的推導
附錄f 能量單位——電子伏特
附錄g 部分習題參考答案
索引
歷史
集成電路（ic）
制造
參考文獻
第1章 固體晶格結構
1.1 半導體材料
1.2 固體類型
1.3 空間晶格
1.4 原子價鍵
1.5 固體中的缺陷和雜質
1.6 半導體材料的生長
1.7 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第2章 量子力學初步
2.1 量子力學的基本原理
2.2 薛定諤波動方程
2.3 薛定諤波動方程的應用
2.4 原子波動理論的延伸
2.5 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第3章 固體量子理論初步
3.1 允帶與禁帶
3.2 固體中電的傳導
3.3 三維擴展
3.4 狀態密度函數
3.5 統計力學
3.6 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第4章 平衡半導體
4.1 半導體中的載流子
4.2 摻雜原子與能級
4.3 非本征半導體
4.4 施主和受主的統計學分布
4.5 電中性狀態
4.6 費米能級的位置
4.7 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第5章 載流子輸運現象
5.1 載流子的漂移運動
5.2 載流子擴散
5.3 雜質梯度分布
5.4 霍爾效應
5.5 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第6章 半導體中的非平衡過剩載流子
6.1 載流子的產生與復合
6.2 過剩載流子的性質
6.3 雙極輸運
6.4 準費米能級
6.5 過剩載流子的壽命
6.6 表面效應
6.7 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第7章 pn結
7.1 pn結的基本結構
7.2 零偏
7.3 反偏
7.4 非均勻摻雜pn結
7.5 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第8章 pn結二極管
8.1 pn結電流
8.2 pn結的小信號模型
8.3 產生復合電流
8.4 結擊穿
8.5 電荷存儲與二極管瞬態
8.6 隧道二極管
8.7 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第9章 金屬半導體和半導體異質結
9.1 肖特基勢壘二極管
9.2 金屬半導體的歐姆接觸
9.3 異質結
9.4 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第10章 雙極晶體管
10.1 雙極晶體管的工作原理
10.2 少子的分布
10.3 低頻共基極電流增益
10.4 非理想效應
10.5 等效電路模型
10.6 頻率上限
10.7 大信號開關
10.8 其他的雙極晶體管結構
10.9 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第11章 金屬氧化物半導體場效應晶體管基礎
11.1 雙端mos結構
11.2 電容電壓特性
11.3 mosfet基本工作原理
11.4 頻率限制特性
11.5 cmos技術
11.6 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第12章 金屬氧化物半導體場效應晶體管：概念的深入
12.1 非理想效應
12.2 mosfet按比例縮小理論
12.3 閾值電壓的修正
12.4 附加電學特性
12.5 輻射和熱電子效應
12.6 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第13章 結型場效應晶體管
13.1 jfet概念
13.2 器件的特性
13.3 非理想因素
13.4 等效電路和頻率限制
13.5 高電子遷移率晶體管
13.6 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第14章 光器件
14.1 光學吸收
14.2 太陽能電池
14.3 光電探測器
14.4 光致發光和電致發光
14.5 光電二極管
14.6 激光二極管
14.7 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第15章 半導體功率器件
15.1 功率雙極晶體管
15.2 功率mosfet
15.3 散熱片和結溫
15.4 半導體閘流管
15.5 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
附錄a 部分參數符號列表
附錄b 單位制、單位換算和通用常數
附錄c 元素周期表
附錄d 誤差函數
附錄e 薛定諤波動方程的推導
附錄f 能量單位——電子伏特
附錄g 部分習題參考答案
索引
展開全部
半導體物理與器件(第三版 節選
本書是微電子技術領域的基礎教程。全書涵蓋了量子力學、固體物理、半導體材料物理以及半導體器件物理等內容，共分為三部分，十五章。**部分是基礎物理，包括固體晶格結構、量子力學和固體物理；第二部分是半導體材料物理，主要討論平衡態和非平衡態半導體以及載流子輸運現象；第三部分是半導體器件物理，主要討論同質pn結、金屬半導體接觸、異質結以及雙極晶體管、MOS場效應晶體管、結型場效應晶體管等。*后論述了光子器件和功率半導體器件。書中既講述了半導體基礎知識，也分析討論了小尺寸器件物理問題，具有一定的深度和廣度。全書內容豐富、概念清楚、講解深入淺出、理論分析透徹。另外，全書各章難點之后均列有例題、自測題，每章末均安排有復習要點、重要術語解釋及知識點。全書各章末列有習題和參考文獻，書后附有部分習題的答案；此外，部分章末引入了計算機仿真題。
半導體物理與器件(第三版 作者簡介
Donald A.eamen美國新墨西哥大學電氣與計算機工程系教授，在該系執教長達25年。他自新墨西哥大學獲釋博士學位后，成為Hanscom空軍基地固態科學實驗室的一名電子工程師。
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