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半導(dǎo)體器件建模與測(cè)試實(shí)驗(yàn)教程――基于華大九天器件建模與驗(yàn)證平臺(tái)XMODEL
包郵 半導(dǎo)體器件建模與測(cè)試實(shí)驗(yàn)教程――基于華大九天器件建模與驗(yàn)證平臺(tái)XMODEL
作者：杜江鋒 著
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224
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半導(dǎo)體器件建模與測(cè)試實(shí)驗(yàn)教程――基于華大九天器件建模與驗(yàn)證平臺(tái)XMODEL 版權(quán)信息
- ISBN：9787121493713
- 條形碼：9787121493713 ; 978-7-121-49371-3
- 裝幀：平塑
- 冊(cè)數(shù)：暫無(wú)
- 重量：暫無(wú)
- 所屬分類(lèi)：>
半導(dǎo)體器件建模與測(cè)試實(shí)驗(yàn)教程――基于華大九天器件建模與驗(yàn)證平臺(tái)XMODEL 內(nèi)容簡(jiǎn)介
本書(shū)基于國(guó)產(chǎn)EDA軟件Empyrean Xmodel器件模型提取工具，系統(tǒng)、全面地介紹硅基MOSFET和GaN HEMT的器件建模、測(cè)試分析和參數(shù)提取的設(shè)計(jì)和實(shí)驗(yàn)全流程。本書(shū)在簡(jiǎn)要介紹半導(dǎo)體器件的基本理論、測(cè)試結(jié)構(gòu)和測(cè)試方案的基礎(chǔ)上，詳細(xì)闡述MOSFET BSIM模型和參數(shù)提取實(shí)驗(yàn)、Xmodel集成的數(shù)據(jù)圖形化顯示系統(tǒng)、MOSFET器件直流模型和射頻模型的提取實(shí)驗(yàn)、基于ASM-HEMT模型的GaN功率器件和射頻器件的模型參數(shù)提取實(shí)驗(yàn)等，以及半導(dǎo)體器件中常見(jiàn)的各種二階效應(yīng)（如短溝道效應(yīng)、版圖鄰近效應(yīng)、工藝角模型和溫度特性等）非線(xiàn)性模型參數(shù)的提取和驗(yàn)證方法。本書(shū)力求做到理論與實(shí)踐相結(jié)合，可作為高校半導(dǎo)體相關(guān)專(zhuān)業(yè)高年級(jí)本科生和研究生的教材，也可供從事半導(dǎo)體器件研發(fā)的工程師參考。
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