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空間微電子. 第二卷, 空間用集成電路設計 版權信息
- ISBN：9787515922997
- 條形碼：9787515922997 ; 978-7-5159-2299-7
- 裝幀：精裝
- 冊數(shù)：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>
空間微電子. 第二卷, 空間用集成電路設計 內容簡介
阿納托利貝盧斯、維塔利薩拉杜哈、西亞爾史維道三位專家基于俄羅斯和白俄羅斯航天工業(yè)微電子技術應用和發(fā)展實踐,編著了?空間微電子?,結合微電子技術和工藝制程的新發(fā)展,介紹了俄羅斯和白俄羅斯航天工業(yè)在微電子元器件選用、工藝制程、降耗、抗輻射等方面的實踐與思考,可為國內相關行業(yè)提供參考和借鑒.本書為?空間微電子?第二卷,共九章,主要介紹了空間微電子的設計、生產(chǎn)工藝、測試及應用等相關內容,特別是結合空間應用的環(huán)境對元器件的可靠性要求,就相關的設計和工藝原理結合數(shù)據(jù)和案例進行了細致的討論.
空間微電子. 第二卷, 空間用集成電路設計 目錄
緒論1
第1章國產(chǎn)航天器選用進口基礎電子元器件時應考慮的問題7
1.1空間工程用電子設備元器件選型工作的共性問題7
1.2國外針對俄羅斯的元器件出口限制8
1.2.1美國對ECB的出口限制9
1.2.2歐洲和其他國家對ECB的出口限制12
1.2.3國際出口管制組織13
1.3國外工業(yè)ECB在俄羅斯火箭和航天科技中應用的特點14
1.4偽造微電子產(chǎn)品及其甄別方法21
1.4.1偽造電子元器件的分類21
1.4.2甄別偽造產(chǎn)品的有效方法22
1.4.3航天應用微電子產(chǎn)品的電學測試24
1.5俄羅斯航天器在選擇和應用國外處理器方面的特點29
1.5.1國外處理器在俄羅斯航天器中的應用情況29
1.5.2UT 699和GR 712微處理器的版本和鑒定30
1.5.3Leon 3FT系列UT 699和GR 712微處理器的架構和硬件特性31
1.5.4微處理器Leon 3FT編程特點33
1.6航天和軍用抗輻射直流轉換器35
1.6.1總劑量效應(TID)35
1.6.2低劑量率輻照損傷敏感性增強效應(ELDRS)36
1.6.3單粒子效應（SEE）36
1.6.4*壞情況下的參數(shù)限制分析36
1.6.5MILPRF38534標準的 K級要求36
1.6.6無光耦混合型DCDC轉換器37
1.7生產(chǎn)空間系統(tǒng)機載設備用電子元器件工作部署的*佳實踐40
1.8面向空間應用的基礎電子元器件的加速可靠性試驗45
1.92009—2011年間俄羅斯購買微電路的測試結果分析49
參考文獻56
第2章亞微米級晶體管和肖特基二極管的工藝制程特點和基本結構58
2.1關于亞微米級微電子學的術語58
2.2現(xiàn)代微電子技術發(fā)展趨勢與展望59
2.2.1微縮問題62
2.2.2現(xiàn)代亞微米技術：微處理器生產(chǎn)應用實例64
2.3亞微米MOS晶體管的特性69
2.3.1超大規(guī)模集成電路中MOS晶體管結構69
2.3.2改善MOSFET性能的方法72
2.3.3絕緣體上硅結構的MOS晶體管75
2.3.4雙柵、三柵和圓柱形柵晶體管79
2.3.5其他類型的晶體管結構82
2.3.6模擬電路中晶體管特性85
2.4高溫環(huán)境下肖特基二極管構造技術特點86
2.4.1肖特基二極管工作的物理機制86
2.4.2耐高溫肖特基二極管的設計技術特點89
2.4.3確保*小反向電流和*小正向電壓的方法93
2.4.4獲得*小正向電壓和*大反向電壓的方法94
2.5具有增強抗靜電放電能力的肖特基二極管結構的設計技術特點98
參考文獻104
選定書目107
第3章微電子元器件的功耗*小化方法109
3.1微電子元器件功耗參數(shù)的主要變化趨勢109
3.2降低CMOS LSIC功耗等級的方法112
3.3CMOS LSIC中功耗的主要來源120
3.4低功耗CMOS LSIC邏輯設計方法124
3.4.1低功耗CMOS電路的基本邏輯綜合124
3.4.2確定CMOS微電路的功耗來源125
3.4.3基于微電路單元開關活動預測的優(yōu)化選項概率評估126
3.4.4設計低功耗CMOS VLSIC時基礎元器件的選擇128
3.4.5基于元器件庫的CMOS LSIC邏輯綜合130
3.4.6針對功耗的兩層邏輯電路優(yōu)化131
3.4.7工藝無關功能電路的基本門選擇132
3.4.8多輸入門組成的多層邏輯電路的優(yōu)化132
3.4.9由兩輸入門組成的多層邏輯電路的優(yōu)化134
3.4.10工藝映射136
3.4.11在邏輯和電路級估計所設計CMOS大規(guī)模集成電路的功耗137
3.4.12使用PSLS設計低功耗CMOS大規(guī)模集成電路的技術139
3.4.13PSLS軟件包架構140
3.4.14軟件包PSLS的功能141
3.5現(xiàn)代接口LSIC的低功耗結構特性143
3.5.1RS485接口收發(fā)器微電路143
3.5.2RS232接口收發(fā)器微電路147
3.5.3低電源電壓IC接口電壓比較器的設計和原理性技術特色160
3.5.4低功耗接口LSIC發(fā)送器單元電路的設計特點165
3.5.5等同于半導體帶隙寬度的溫度無關基準電壓源168
3.5.6溫度無關基準電壓源的設計選項169
3.5.7提高微電路抗熱電子效應能力的電路結構方法171
參考文獻174
第4章輻射對亞微米集成電路影響的特點176
4.1輻射對亞微米CMOS集成電路影響的物理機理176
4.1.1MIC元器件輻照后的性能恢復180
4.1.2輻照條件對MIC元器件輻射容限的影響181
4.2輻照對雙極型模擬集成電路的影響184
4.2.1集成運算放大器的輻射效應185
4.2.2集成電壓比較器的輻射效應186
4.3保證集成電路抗輻射能力的主要方法187
4.4現(xiàn)代先進集成電路的抗輻射能力187
4.5推薦用于硅基微電路輻射效應實驗研究的元器件190
4.5.1CMOS集成電路基本邏輯單元190
4.5.2電可擦除可編程只讀存儲器元器件190
4.5.3CMOS邏輯集成電路191
4.5.4CMOS LSIC存儲器191
4.5.5基于SOI結構的CMOS LSIC SRAM191
4.5.6BiCMOS LSIC192
4.6微電路輻照測試結構及樣品研究的設備與方法192
4.7輻照后測試結構電參數(shù)的測量方法195
4.7.1EEPROM參數(shù)調節(jié)方法195
4.8穿透性輻射對雙極晶體管結構參數(shù)影響的實驗研究結果197
4.9電離輻射對雙極模擬集成電路參數(shù)影響的實驗研究200
4.10電離輻射對MOS晶體管參數(shù)及集成電路影響的實驗研究206
4.10.1γ輻射對MOS晶體管參數(shù)的影響206
4.10.2γ輻射對MOS電容器和MOS晶體管參數(shù)影響的實驗研究：
亞微米CMOS IC元器件 213
4.10.3γ輻射對EEPROM MOS單元參數(shù)影響的特性215
4.10.4穿透輻射對CMOS邏輯 IC參數(shù)影響的實驗研究217
4.10.5電離輻射對CMOS存儲器參數(shù)的影響221
4.10.6輻射對MOS/SOI結構及基于該結構的CMOS LSI RAM參數(shù)影響的
實驗研究226
4.10.7穿透輻射對BiCMOS邏輯 LSIC參數(shù)影響的實驗研究 232
4.11利用模擬方法研究BiCMOS微電路輻射效應的特點238
4.12太空因素對局部輻射效應影響機制的特點245
4.13中國制造抗輻射混合DC/DC轉換器的實驗研究250
參考文獻253
第5章預測及提高雙極和CMOS集成電路輻射容限的方法259
5.1CMOS大規(guī)模集成電路輻射容限的預測方法259
5.1.1MOS元器件輻射容限的計算試驗預測方法259
5.1.2CMOS集成電路基于輻射容限的預測(選擇)方法262
5.2用于評估雙極和BiCMOS元器件輻射容限的計算試驗方法265
5.3預測EEPROM MOS存儲單元輻射容限的計算試驗方法267
5.4提高集成電路抗穿透輻射能力的方法267
5.4.1提高CMOS和BiCMOS微電路輻射容限的結構工藝方法267
5.4.2提高集成電路輻射容限的標準結構和電路配置方法269
5.4.3提高CMOS LSIC抗輻射能力的新結構和電路配置方法276
參考文獻279
第6章超高速微電子元器件及系統(tǒng)的設計問題分析280
6.1亞微米微電路工藝尺寸縮減的問題280
6.2用深亞微米規(guī)則設計硅集成微電路的趨勢和問題281
6.2.1硅亞微米IC設計的尺寸縮減趨勢和問題282
6.2.2亞微米集成電路的功耗問題285
6.2.3在設計階段監(jiān)控整個芯片區(qū)域的功耗分布288
6.3硅MOS晶體管結構中的漏電流和靜態(tài)功耗290
6.3.1亞微米CMOS電路的功耗290
6.3.2亞微米硅MOS晶體管的電流分析292
6.3.3亞微米硅晶體管漏電流的物理原因294
6.3.4MOS晶體管的靜態(tài)功耗值分析297
6.3.5考慮靜態(tài)功耗的亞微米模擬IC的設計特點298
6.3.6考慮靜態(tài)功耗的亞微米模數(shù)集成電路設計的特點299
6.4典型結構亞微米MOS晶體管的動態(tài)功耗301
6.4.1有參考延遲值的亞微米數(shù)字集成電路302
6.4.2互連信號分布延遲302
6.4.3降低開關功耗的方法302
6.4.4漏電流引起的動態(tài)功耗分析與計算304
6.4.5硅微電路動態(tài)功耗分析306
6.5溫度和工藝參數(shù)散布對硅亞微米集成電路特性的影響308
6.5.1漏電流與溫度的關系308
6.5.2工藝參數(shù)散布與漏電流的關系313
6.6深亞微米設計原則下模擬集成電路版圖設計的特點318
6.6.1電源電壓降低的影響318
6.6.2工藝尺寸的縮減和互連線上的信號分布延遲319
6.7結論及建議320
參考文獻322
第7章基于SOS和SOI結構的空間應用微電路設計325
7.1基于SOI結構的抗輻射CMOS LSI電路326
7.2電離輻射對硅和二氧化硅的影響332
7.2.1硅在輻射下的輻射效應333
7.2.2Si/SiO2界面區(qū)域的特性334
7.2.3電離輻射對電介質層的影響337
7.2.4絕緣體上硅結構埋層介質內的輻射過程339
7.2.5不同方法得到的SOI結構的輻射特性的比較341
7.3MOS/SOI晶體管在電離輻射條件下的物理現(xiàn)象342
7.3.1電離輻射342
7.3.2總劑量效應346
7.3.3脈沖輻射效應348
7.4基于SOI結構的CMOS LSIC元器件樣品的實驗研究結果350
7.4.1測試樣品的組成350
7.4.2實驗流程351
7.4.3實驗結果353
參考文獻375
第8章片上系統(tǒng)和系統(tǒng)級封裝382
8.1芯片封裝技術發(fā)展的總體趨勢382
8.2芯片封裝的BGA技術385
8.3電路板芯片安裝技術386
8.4多芯片模塊和印制電路板388
8.5空間用微電子元器件封裝技術發(fā)展的主要趨勢391
8.5.1封裝引線間距的下降趨勢391
8.6電路板上SHF電路封裝技術的特性399
8.7空間相關應用的TSV芯片組裝技術404
8.8使用倒裝芯片技術的3D產(chǎn)品封裝的特點408
8.9粘接劑和焊膏在3D組裝過程中的應用特征409
8.10軍用空間微電子元器件的系統(tǒng)級封裝電子單元412
8.11自動設計工具的特點：系統(tǒng)級封裝415
8.11.1射頻模塊設計417
8.12在設計用于SIP的ULSIC時需考慮的深亞微米技術特點417
8.13SIP對衛(wèi)星系統(tǒng)研制概念演變的影響421
8.14用于SIP的已知良好芯片的選擇和應用特點424
8.15帶有集成輻射防護屏的封裝設計427
8.16MEMS技術的SHF應用431
8.16.1射頻MEMS/CMOS元器件的實現(xiàn)特點431
8.16.2射頻MEMS開關436
8.16.3可變電容值的射頻MEMS電容439
8.16.4集成MEMS/CMOS諧振器440
8.16.5MEMS技術在雷達裝置系統(tǒng)集成任務中的應用443
8.17金和鋁在功率微波晶體管組裝技術中的應用特點449
參考文獻454
第9章批量生產(chǎn)中剔除帶有潛在缺陷硅基微電路的方法457
9.1標稱工作模式下集成電路參數(shù)控制問題的構想457
9.2雙極集成微電路輸出參數(shù)敏感度系數(shù)的測定方法458
9.3基于工作范圍邊界分析的潛在缺陷微電路檢測461
9.4基于集成微電路試驗測試結果的可靠性指標數(shù)值評估465
9.5潛在缺陷對雙極IC的基礎統(tǒng)計參數(shù)值的影響機理研究467
9.6對CMOS微電路加速應力試驗結果的數(shù)學處理模型分析468
9.7在大規(guī)模制造中檢測和剔除潛在不可靠電路的主要方法471
9.7.1通過靜電放電確定潛在不可靠元器件的方法471
9.7.2一種微電路元器件老化試驗改進方法472
9.7.3基于臨界電源電壓參數(shù)檢驗高可靠集成電路的方法473
9.7.4通過動態(tài)電流損耗剔除潛在不可靠微電路的方法474
9.7.5降低電源電壓的方法476
參考文獻480
關于作者481
第1章國產(chǎn)航天器選用進口基礎電子元器件時應考慮的問題7
1.1空間工程用電子設備元器件選型工作的共性問題7
1.2國外針對俄羅斯的元器件出口限制8
1.2.1美國對ECB的出口限制9
1.2.2歐洲和其他國家對ECB的出口限制12
1.2.3國際出口管制組織13
1.3國外工業(yè)ECB在俄羅斯火箭和航天科技中應用的特點14
1.4偽造微電子產(chǎn)品及其甄別方法21
1.4.1偽造電子元器件的分類21
1.4.2甄別偽造產(chǎn)品的有效方法22
1.4.3航天應用微電子產(chǎn)品的電學測試24
1.5俄羅斯航天器在選擇和應用國外處理器方面的特點29
1.5.1國外處理器在俄羅斯航天器中的應用情況29
1.5.2UT 699和GR 712微處理器的版本和鑒定30
1.5.3Leon 3FT系列UT 699和GR 712微處理器的架構和硬件特性31
1.5.4微處理器Leon 3FT編程特點33
1.6航天和軍用抗輻射直流轉換器35
1.6.1總劑量效應(TID)35
1.6.2低劑量率輻照損傷敏感性增強效應(ELDRS)36
1.6.3單粒子效應（SEE）36
1.6.4*壞情況下的參數(shù)限制分析36
1.6.5MILPRF38534標準的 K級要求36
1.6.6無光耦混合型DCDC轉換器37
1.7生產(chǎn)空間系統(tǒng)機載設備用電子元器件工作部署的*佳實踐40
1.8面向空間應用的基礎電子元器件的加速可靠性試驗45
1.92009—2011年間俄羅斯購買微電路的測試結果分析49
參考文獻56
第2章亞微米級晶體管和肖特基二極管的工藝制程特點和基本結構58
2.1關于亞微米級微電子學的術語58
2.2現(xiàn)代微電子技術發(fā)展趨勢與展望59
2.2.1微縮問題62
2.2.2現(xiàn)代亞微米技術：微處理器生產(chǎn)應用實例64
2.3亞微米MOS晶體管的特性69
2.3.1超大規(guī)模集成電路中MOS晶體管結構69
2.3.2改善MOSFET性能的方法72
2.3.3絕緣體上硅結構的MOS晶體管75
2.3.4雙柵、三柵和圓柱形柵晶體管79
2.3.5其他類型的晶體管結構82
2.3.6模擬電路中晶體管特性85
2.4高溫環(huán)境下肖特基二極管構造技術特點86
2.4.1肖特基二極管工作的物理機制86
2.4.2耐高溫肖特基二極管的設計技術特點89
2.4.3確保*小反向電流和*小正向電壓的方法93
2.4.4獲得*小正向電壓和*大反向電壓的方法94
2.5具有增強抗靜電放電能力的肖特基二極管結構的設計技術特點98
參考文獻104
選定書目107
第3章微電子元器件的功耗*小化方法109
3.1微電子元器件功耗參數(shù)的主要變化趨勢109
3.2降低CMOS LSIC功耗等級的方法112
3.3CMOS LSIC中功耗的主要來源120
3.4低功耗CMOS LSIC邏輯設計方法124
3.4.1低功耗CMOS電路的基本邏輯綜合124
3.4.2確定CMOS微電路的功耗來源125
3.4.3基于微電路單元開關活動預測的優(yōu)化選項概率評估126
3.4.4設計低功耗CMOS VLSIC時基礎元器件的選擇128
3.4.5基于元器件庫的CMOS LSIC邏輯綜合130
3.4.6針對功耗的兩層邏輯電路優(yōu)化131
3.4.7工藝無關功能電路的基本門選擇132
3.4.8多輸入門組成的多層邏輯電路的優(yōu)化132
3.4.9由兩輸入門組成的多層邏輯電路的優(yōu)化134
3.4.10工藝映射136
3.4.11在邏輯和電路級估計所設計CMOS大規(guī)模集成電路的功耗137
3.4.12使用PSLS設計低功耗CMOS大規(guī)模集成電路的技術139
3.4.13PSLS軟件包架構140
3.4.14軟件包PSLS的功能141
3.5現(xiàn)代接口LSIC的低功耗結構特性143
3.5.1RS485接口收發(fā)器微電路143
3.5.2RS232接口收發(fā)器微電路147
3.5.3低電源電壓IC接口電壓比較器的設計和原理性技術特色160
3.5.4低功耗接口LSIC發(fā)送器單元電路的設計特點165
3.5.5等同于半導體帶隙寬度的溫度無關基準電壓源168
3.5.6溫度無關基準電壓源的設計選項169
3.5.7提高微電路抗熱電子效應能力的電路結構方法171
參考文獻174
第4章輻射對亞微米集成電路影響的特點176
4.1輻射對亞微米CMOS集成電路影響的物理機理176
4.1.1MIC元器件輻照后的性能恢復180
4.1.2輻照條件對MIC元器件輻射容限的影響181
4.2輻照對雙極型模擬集成電路的影響184
4.2.1集成運算放大器的輻射效應185
4.2.2集成電壓比較器的輻射效應186
4.3保證集成電路抗輻射能力的主要方法187
4.4現(xiàn)代先進集成電路的抗輻射能力187
4.5推薦用于硅基微電路輻射效應實驗研究的元器件190
4.5.1CMOS集成電路基本邏輯單元190
4.5.2電可擦除可編程只讀存儲器元器件190
4.5.3CMOS邏輯集成電路191
4.5.4CMOS LSIC存儲器191
4.5.5基于SOI結構的CMOS LSIC SRAM191
4.5.6BiCMOS LSIC192
4.6微電路輻照測試結構及樣品研究的設備與方法192
4.7輻照后測試結構電參數(shù)的測量方法195
4.7.1EEPROM參數(shù)調節(jié)方法195
4.8穿透性輻射對雙極晶體管結構參數(shù)影響的實驗研究結果197
4.9電離輻射對雙極模擬集成電路參數(shù)影響的實驗研究200
4.10電離輻射對MOS晶體管參數(shù)及集成電路影響的實驗研究206
4.10.1γ輻射對MOS晶體管參數(shù)的影響206
4.10.2γ輻射對MOS電容器和MOS晶體管參數(shù)影響的實驗研究：
亞微米CMOS IC元器件 213
4.10.3γ輻射對EEPROM MOS單元參數(shù)影響的特性215
4.10.4穿透輻射對CMOS邏輯 IC參數(shù)影響的實驗研究217
4.10.5電離輻射對CMOS存儲器參數(shù)的影響221
4.10.6輻射對MOS/SOI結構及基于該結構的CMOS LSI RAM參數(shù)影響的
實驗研究226
4.10.7穿透輻射對BiCMOS邏輯 LSIC參數(shù)影響的實驗研究 232
4.11利用模擬方法研究BiCMOS微電路輻射效應的特點238
4.12太空因素對局部輻射效應影響機制的特點245
4.13中國制造抗輻射混合DC/DC轉換器的實驗研究250
參考文獻253
第5章預測及提高雙極和CMOS集成電路輻射容限的方法259
5.1CMOS大規(guī)模集成電路輻射容限的預測方法259
5.1.1MOS元器件輻射容限的計算試驗預測方法259
5.1.2CMOS集成電路基于輻射容限的預測(選擇)方法262
5.2用于評估雙極和BiCMOS元器件輻射容限的計算試驗方法265
5.3預測EEPROM MOS存儲單元輻射容限的計算試驗方法267
5.4提高集成電路抗穿透輻射能力的方法267
5.4.1提高CMOS和BiCMOS微電路輻射容限的結構工藝方法267
5.4.2提高集成電路輻射容限的標準結構和電路配置方法269
5.4.3提高CMOS LSIC抗輻射能力的新結構和電路配置方法276
參考文獻279
第6章超高速微電子元器件及系統(tǒng)的設計問題分析280
6.1亞微米微電路工藝尺寸縮減的問題280
6.2用深亞微米規(guī)則設計硅集成微電路的趨勢和問題281
6.2.1硅亞微米IC設計的尺寸縮減趨勢和問題282
6.2.2亞微米集成電路的功耗問題285
6.2.3在設計階段監(jiān)控整個芯片區(qū)域的功耗分布288
6.3硅MOS晶體管結構中的漏電流和靜態(tài)功耗290
6.3.1亞微米CMOS電路的功耗290
6.3.2亞微米硅MOS晶體管的電流分析292
6.3.3亞微米硅晶體管漏電流的物理原因294
6.3.4MOS晶體管的靜態(tài)功耗值分析297
6.3.5考慮靜態(tài)功耗的亞微米模擬IC的設計特點298
6.3.6考慮靜態(tài)功耗的亞微米模數(shù)集成電路設計的特點299
6.4典型結構亞微米MOS晶體管的動態(tài)功耗301
6.4.1有參考延遲值的亞微米數(shù)字集成電路302
6.4.2互連信號分布延遲302
6.4.3降低開關功耗的方法302
6.4.4漏電流引起的動態(tài)功耗分析與計算304
6.4.5硅微電路動態(tài)功耗分析306
6.5溫度和工藝參數(shù)散布對硅亞微米集成電路特性的影響308
6.5.1漏電流與溫度的關系308
6.5.2工藝參數(shù)散布與漏電流的關系313
6.6深亞微米設計原則下模擬集成電路版圖設計的特點318
6.6.1電源電壓降低的影響318
6.6.2工藝尺寸的縮減和互連線上的信號分布延遲319
6.7結論及建議320
參考文獻322
第7章基于SOS和SOI結構的空間應用微電路設計325
7.1基于SOI結構的抗輻射CMOS LSI電路326
7.2電離輻射對硅和二氧化硅的影響332
7.2.1硅在輻射下的輻射效應333
7.2.2Si/SiO2界面區(qū)域的特性334
7.2.3電離輻射對電介質層的影響337
7.2.4絕緣體上硅結構埋層介質內的輻射過程339
7.2.5不同方法得到的SOI結構的輻射特性的比較341
7.3MOS/SOI晶體管在電離輻射條件下的物理現(xiàn)象342
7.3.1電離輻射342
7.3.2總劑量效應346
7.3.3脈沖輻射效應348
7.4基于SOI結構的CMOS LSIC元器件樣品的實驗研究結果350
7.4.1測試樣品的組成350
7.4.2實驗流程351
7.4.3實驗結果353
參考文獻375
第8章片上系統(tǒng)和系統(tǒng)級封裝382
8.1芯片封裝技術發(fā)展的總體趨勢382
8.2芯片封裝的BGA技術385
8.3電路板芯片安裝技術386
8.4多芯片模塊和印制電路板388
8.5空間用微電子元器件封裝技術發(fā)展的主要趨勢391
8.5.1封裝引線間距的下降趨勢391
8.6電路板上SHF電路封裝技術的特性399
8.7空間相關應用的TSV芯片組裝技術404
8.8使用倒裝芯片技術的3D產(chǎn)品封裝的特點408
8.9粘接劑和焊膏在3D組裝過程中的應用特征409
8.10軍用空間微電子元器件的系統(tǒng)級封裝電子單元412
8.11自動設計工具的特點：系統(tǒng)級封裝415
8.11.1射頻模塊設計417
8.12在設計用于SIP的ULSIC時需考慮的深亞微米技術特點417
8.13SIP對衛(wèi)星系統(tǒng)研制概念演變的影響421
8.14用于SIP的已知良好芯片的選擇和應用特點424
8.15帶有集成輻射防護屏的封裝設計427
8.16MEMS技術的SHF應用431
8.16.1射頻MEMS/CMOS元器件的實現(xiàn)特點431
8.16.2射頻MEMS開關436
8.16.3可變電容值的射頻MEMS電容439
8.16.4集成MEMS/CMOS諧振器440
8.16.5MEMS技術在雷達裝置系統(tǒng)集成任務中的應用443
8.17金和鋁在功率微波晶體管組裝技術中的應用特點449
參考文獻454
第9章批量生產(chǎn)中剔除帶有潛在缺陷硅基微電路的方法457
9.1標稱工作模式下集成電路參數(shù)控制問題的構想457
9.2雙極集成微電路輸出參數(shù)敏感度系數(shù)的測定方法458
9.3基于工作范圍邊界分析的潛在缺陷微電路檢測461
9.4基于集成微電路試驗測試結果的可靠性指標數(shù)值評估465
9.5潛在缺陷對雙極IC的基礎統(tǒng)計參數(shù)值的影響機理研究467
9.6對CMOS微電路加速應力試驗結果的數(shù)學處理模型分析468
9.7在大規(guī)模制造中檢測和剔除潛在不可靠電路的主要方法471
9.7.1通過靜電放電確定潛在不可靠元器件的方法471
9.7.2一種微電路元器件老化試驗改進方法472
9.7.3基于臨界電源電壓參數(shù)檢驗高可靠集成電路的方法473
9.7.4通過動態(tài)電流損耗剔除潛在不可靠微電路的方法474
9.7.5降低電源電壓的方法476
參考文獻480
關于作者481
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空間微電子. 第二卷, 空間用集成電路設計 作者簡介
阿納托利·貝盧斯（Anatoly Belous），是白俄羅斯共和國國家科學院院士、技術科學博士、教授、白俄羅斯共和國國家獎獲得者、白俄羅斯共和國功勛發(fā)明家。 他1973年畢業(yè)于明斯克無線電技術大學電子工程專業(yè)，是70多個航天火箭工業(yè)微電子器件開發(fā)項目的首席設計工程師，包括能源、安加拉和質子運載火箭，撒旦（SS-18）彈道導彈，量子系列航天器，軌道和平號空間站，暴風雪號航天飛機和國際軌道站的Kanopus系列地球遠程掃描衛(wèi)星。 他被授予蘇聯(lián)勞動英雄金質獎章，同時發(fā)表了300多篇科學論文，擁有150多項專利，編撰了18部專著和5部教程。他是四種科學期刊的編委也是白俄羅斯共和國微波電子學、光子學、微電子學和納米電子學國家專家委員會主席，還是兩屆國際微電子年會計劃起草委員會的副主席。 多年來，他在俄羅斯、白俄羅斯、中國、印度、保加利亞、越南、波蘭和烏克蘭的技術大學開設了空間電子學專題講座。他在俄羅斯航天局的會議、研討會和工作會議上定期發(fā)表有關空間電子學的報告。 維塔利·薩拉杜哈（Vitali Saladukha），是蘇聯(lián)境內最大的半導體制造商Integral控股公司（明斯克）的總經(jīng)理，該公司擁有設計中心、半導體工廠和裝配線。1980年，他畢業(yè)于白俄羅斯國立大學（明斯克），獲得放射物理學和電子學學士學位。目前，他擁有博士學位，是白俄羅斯共和國國家獎獲得者。他專攻微電子技術的設計開發(fā)和工業(yè)應用領域，發(fā)表了100多篇科學論文，出版了7本書，編寫了兩本教程。他是許多涉及空間應用微電子開發(fā)的重大科學項目的科學研究經(jīng)理。他在微電子領域的新技術解決方案受50項專利保護。他最著名的著作包括三卷本的《在硅上制造半導體器件和集成電路的基本工藝流程》和《集成電路和半導體器件封裝技術基礎》。 西亞爾·史維道（Siarhei Shvedau），是Integral控股公司（明斯克）設計中心的主管。1980年畢業(yè)于明斯克無線電技術大學半導體物理專業(yè)，是白俄羅斯共和國國家獎的獲得者他專門從事核工業(yè)和航天工業(yè)抗輻射元件封裝的設計和生產(chǎn)實施，是30多個項目的首席設計工程師，發(fā)表了100多篇科學論文，在抗輻射集成電路制造領域擁有20多項專利。
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