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納米器件空間輻射效應 版權信息
- ISBN：9787030786104
- 條形碼：9787030786104 ; 978-7-03-078610-4
- 裝幀：平裝
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>
納米器件空間輻射效應 內容簡介
當前，我國空間技術發展對優選納米器件抗輻射加固技術提出了迫切需求，優選納米器件引入了許多新的材料、工藝和結構，給納米器件輻射效應機理、試驗技術和加固技術研究帶來了新的挑戰。本書以優選的納米工藝器件為研究載體，重點闡述納米材料輻射損傷微觀機制、納米器件輻射效應新機理、納米器件可靠性、納米電路輻射效應及加固設計新方法、納米器件和電路敏感區域分布和薄弱環節分析的重離子微束模擬試驗方法等，為我國未來宇航用高端核心器件的抗輻射加固奠定理論和技術基礎，推動我國抗輻射加固技術自主創新發展。
納米器件空間輻射效應 目錄
叢書序
前言
第1章 緒論
1.1 引言
1.2 空間輻射環境與效應
1.2.1 空間輻射環境
1.2.2 空間輻射效應
1.3 納米器件與工藝
1.3.1 新材料
1.3.2 新結構
1.3.3 新工藝
1.4 納米工藝材料、器件和電路空間輻射效應研究現狀
1.4.1 納米工藝材料空間輻射效應
1.4.2 納米器件空間輻射效應
1.4.3 納米電路空間輻射效應
1.5 本章小結
參考文獻
第2章 半導體材料的輻射效應
2.1 引言
2.2 荷能離子在固體中主要的能量損失方式
2.3 材料輻射損傷類型、形成機理及實驗表征方法
2.3.1 材料輻射損傷類型及形成機理
2.3.2 材料微觀輻射損傷實驗表征方法
2.4 典型器件材料的輻射效應
2.4.1 硅材料輻射效應
2.4.2 寬禁帶半導體材料輻射效應
2.4.3 低維材料輻射效應
2.4.4 高K材料輻射效應
2.5 粒子在材料中能量沉積和輻射損傷的計算機模擬方法
2.5.1 粒子在材料中能量沉積的蒙特卡羅模擬方法
2.5.2 粒子在材料中輻射損傷的分子動力學模擬方法
2.6 本章小結
參考文獻
第3章 納米器件總劑量效應與可靠性
3.1 引言
3.2 總劑量效應概述
3.3 納米MOSFET器件總劑量效應
3.3.1 總劑量效應對納米MOSFET器件電學參數的影響
3.3.2 納米MOSFET器件總劑量效應關鍵影響區域
3.3.3 多變量對納米MOSFET器件總劑量效應的影響
3.4 納米MOSFET器件長期可靠性
3.4.1 經時擊穿效應
3.4.2 熱載流子注入效應
3.4.3 偏置溫度不穩定效應
3.4.4 總劑量效應與電應力耦合作用
3.5 本章小結
參考文獻
第4章 納米器件單粒子效應
4.1 引言
4.2 單粒子效應概述
展開全部
納米器件空間輻射效應 作者簡介
主持國家自然科學基金重大項目，納米器件輻射效應機理及模擬試驗關鍵技術
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