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微加工技術工藝原理與實驗 版權信息
- ISBN：9787302661214
- 條形碼：9787302661214 ; 978-7-302-66121-4
- 裝幀：平裝-膠訂
- 冊數：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
微加工技術工藝原理與實驗 本書特色
（1） 內容豐富，體系完整，系統介紹微加工工藝技術原理和實驗教學案例，包括微加工工藝技術的基本概念、物理原理、設備組成、工藝實驗流程等，理論與實驗緊密結合，讀者易于獲得整體認知。
（2） 目標讀者群體定位清晰，原理清晰易懂，用詞準確簡明，以直白形象的講述風格貫穿始終。盡量減少公式推導，輔以大量的圖表，做到深入淺出。
（3） 提供的工藝集成的典型器件制備和測試分析案例，源自編者多年實驗教學的積累，具有很強的可操作性和可復現性，能夠準確映照理論知識。在實踐中學習，不僅趣味性強，還能加強和鞏固理論知識。
（4） 工藝實驗案例后都附有思考題和注意事項，在實驗中復盤理論知識，查漏補缺，幫助讀者掌握科學的分析問題和解決問題的能力。
微加工技術工藝原理與實驗 內容簡介
本書共分6篇12章，系統介紹了微加工技術工藝原理和實驗教程。本書內容理論和實驗相結合，涵蓋了微加工技術工藝中的光刻、刻蝕、薄膜沉積、氧化和摻雜等工藝。理論部分著重對各種工藝技術的原理進行闡述。實驗部分列舉了光刻、刻蝕、薄膜制備和摻雜四大類工藝的單項實驗，器件制造工藝實驗和器件特性測量實驗。 本書對初步涉足這一領域的高等院校本科生、研究生以及相關科研人員、工程技術人員具有很好的參考價值，可作為高等院校微電子科學與技術、光電信息科學與工程、電子科學與技術、電子信息工程等專業本科生或研究生的相關課程教材。
微加工技術工藝原理與實驗 目錄
**篇導論
第1章集成電路與微納加工技術
1．1引言
1．2集成電路產業發展簡史
1．3集成電路制造的發展路線
1．4集成電路制造的基本流程
第2章微加工工藝環境介紹
2．1微加工工藝環境的建設
2．1．1潔凈室簡介
2．1.2微電子工藝潔凈實驗室建設
2．2實驗室安全與注意事項
擴展閱讀： 《潔凈室消防安全工作管理條例》
第二篇單項工藝1： 光刻
第3章光刻技術
3．1光刻技術介紹
3．2光學光刻技術
3．2．1光學曝光原理與方式
3．2．2光刻的關鍵指標
3．2．3分辨率增強技術
3．2．4光刻膠的類型和特性
3．3其他的光學曝光技術
3．3．1極紫外曝光
3．3．2X射線曝光
3．3．3激光掃描無掩模曝光
3．3．4反射鏡陣列無掩模曝光
3．3．5LIGA技術
3．4非光學光刻技術
第4章光刻工藝實驗
4．1工藝原理
4．2光刻工藝
4．3光刻實例
4．4光刻圖形的檢查和表征
4．5實驗報告與數據分析
4．6思考題
擴展閱讀： 儀器操作與說明
第三篇單項工藝2： 刻蝕
第5章等離子體與刻蝕技術
5．1刻蝕工藝介紹
5．2刻蝕工藝基礎
5．3濕法刻蝕工藝
5．3．1介紹
5．3．2氧化物的濕法刻蝕
5．3．3硅的濕法刻蝕
5．3．4氮化物的濕法刻蝕
5．3．5金屬的濕法刻蝕
5．4等離子體(干法)刻蝕
5．4．1介紹
5．4．2等離子體
5．4．3刻蝕工藝的分類： 化學、物理和反應離子刻蝕
5．4．4等離子體刻蝕機理
5．4．5等離子體刻蝕的腔室
5．4．6刻蝕終止點
5．5等離子體刻蝕工藝
5．5．1介質的等離子體刻蝕
5．5．2單晶硅刻蝕
5．5．3多晶硅刻蝕
5．5．4金屬刻蝕
5．5．5光刻膠的去除
5．5．6無圖案干法刻蝕工藝
5．5．7等離子體刻蝕的安全性
5．6化學機械拋光
5．7刻蝕工藝受參數影響的變化趨勢
5．8等離子體刻蝕技術的發展 第6章刻蝕工藝實驗 6．1工藝原理 6．1．1濕法刻蝕工藝原理 6．1．2干法刻蝕工藝原理 6．2濕法刻蝕工藝實驗 6．2．1實驗準備 6．2．2濕法刻蝕工藝流程 6．2．3實驗記錄 6．2．4注意事項 6．3干法刻蝕工藝實驗 6．3．1實驗準備 6．3．2干法刻蝕工藝流程 6．3．3實驗記錄 6．3．4注意事項 6．4實驗報告與數據分析 6．5思考題 擴展閱讀： 儀器操作與說明 第四篇單項工藝3： 薄膜制備 第7章薄膜制備技術 7．1薄膜基礎知識 7．1．1微納電子器件對薄膜的要求 7．1．2薄膜生長的基礎知識 7．1．3薄膜制備的特性指標 7．2薄膜沉積技術簡介 7．3物理氣相沉積技術 7．3．1蒸發法 7．3．2濺射法 7．3．3蒸發和濺射的鍍膜質量和改善方法 7．4化學氣相沉積技術 7．4．1化學氣相沉積的基本知識 7．4．2化學氣相沉積工藝與設備 7．4．3典型材料的CVD工藝 7．4．4采用CVD技術制備一維/二維納米材料 7．4．5原子層沉積技術 第8章薄膜制備工藝實驗 8．1工藝原理 8．1．1磁控濺射工藝原理 8．1．2等離子增強化學氣相沉積工藝原理 8．1．3原子層沉積工藝原理 8．2磁控濺射工藝 8．2．1實驗準備 8．2．2磁控濺射工藝流程 8．2．3實驗記錄 8．2．4注意事項 8．3化學氣相沉積工藝 8．3．1實驗準備 8．3．2化學氣相沉積工藝流程 8．3．3實驗記錄 8．3．4注意事項 8．4原子層沉積工藝 8．4．1實驗準備 8．4．2原子層沉積工藝流程 8．4．3實驗記錄 8．4．4注意事項 8．5實驗報告與數據分析 8．6思考題 擴展閱讀： 儀器操作與說明 第五篇單項工藝4： 摻雜 第9章熱處理和離子注入 9．1熱處理工藝 9．1．1介紹 9．1．2熱處理系統 9．2氧化工藝
9．2．1介紹 9．2．2氧化工藝的應用 9．2．3氧化前清洗 9．2．4熱氧化的速率 9．2．5干法氧化 9．2．6濕法氧化 9．2．7高壓氧化 9．2．8氧化層的測量 9．2．9氧化工藝的發展 9．3擴散摻雜工藝 9．3．1介紹 9．3．2擴散工藝步驟 9．3．3摻雜的測量 9．4離子注入摻雜工藝 9．4．1介紹 9．4．2離子注入的優點 9．4．3離子注入基礎 9．4．4離子注入系統 9．4．5離子注入的安全問題 9．5熱退火工藝 9．5．1離子注入后的熱退火工藝 9．5．2快速熱退火工藝 第10章熱氧化和擴散工藝實驗 10．1工藝原理 10．1．1熱氧化工藝原理 10．1．2擴散工藝原理 10．2熱氧化工藝 10．2．1實驗準備 10．2．2熱氧化工藝流程 10．2．3實驗記錄與測試 10．3擴散工藝 10．3．1實驗準備 10．3．2實驗過程 10．3．3實驗記錄與測試 10．4實驗報告與數據分析 10．5注意事項 10．6思考題 擴展閱讀： 儀器操作與說明 第六篇工 藝 集 成 第11章工藝集成與集成電路制造 11．1器件隔離 11．1．1PN結隔離 11．1．2LOCOS隔離 11．1．3STI淺溝道隔離 11．1．4DTI深溝道隔離 11．1．5SOI絕緣體上硅隔離 11．2金屬互連和多層金屬布線 11．2．1金屬互連 11．2．2多層金屬布線及工藝 11．2．3互連延遲問題與解決方法 11．2．4低K絕緣介質層 11．3歐姆接觸和金屬硅化物 11．3．1歐姆接觸 11．3．2金屬硅化物 第12章器件制造工藝及特性測試 12．1器件制造工藝原理 12．1．1電阻 12．1．2光電二極管 12．1．3MOSFET 12．2器件版圖設計 12．3器件制備流程 12．3．1光電二極管 12．3．2NMOS管制備流程
12．4特性測試 12．4．1光電特性測量介紹 12．4．2特性測量實驗 擴展閱讀： 儀器操作與說明
參考文獻
5．8等離子體刻蝕技術的發展 第6章刻蝕工藝實驗 6．1工藝原理 6．1．1濕法刻蝕工藝原理 6．1．2干法刻蝕工藝原理 6．2濕法刻蝕工藝實驗 6．2．1實驗準備 6．2．2濕法刻蝕工藝流程 6．2．3實驗記錄 6．2．4注意事項 6．3干法刻蝕工藝實驗 6．3．1實驗準備 6．3．2干法刻蝕工藝流程 6．3．3實驗記錄 6．3．4注意事項 6．4實驗報告與數據分析 6．5思考題 擴展閱讀： 儀器操作與說明 第四篇單項工藝3： 薄膜制備 第7章薄膜制備技術 7．1薄膜基礎知識 7．1．1微納電子器件對薄膜的要求 7．1．2薄膜生長的基礎知識 7．1．3薄膜制備的特性指標 7．2薄膜沉積技術簡介 7．3物理氣相沉積技術 7．3．1蒸發法 7．3．2濺射法 7．3．3蒸發和濺射的鍍膜質量和改善方法 7．4化學氣相沉積技術 7．4．1化學氣相沉積的基本知識 7．4．2化學氣相沉積工藝與設備 7．4．3典型材料的CVD工藝 7．4．4采用CVD技術制備一維/二維納米材料 7．4．5原子層沉積技術 第8章薄膜制備工藝實驗 8．1工藝原理 8．1．1磁控濺射工藝原理 8．1．2等離子增強化學氣相沉積工藝原理 8．1．3原子層沉積工藝原理 8．2磁控濺射工藝 8．2．1實驗準備 8．2．2磁控濺射工藝流程 8．2．3實驗記錄 8．2．4注意事項 8．3化學氣相沉積工藝 8．3．1實驗準備 8．3．2化學氣相沉積工藝流程 8．3．3實驗記錄 8．3．4注意事項 8．4原子層沉積工藝 8．4．1實驗準備 8．4．2原子層沉積工藝流程 8．4．3實驗記錄 8．4．4注意事項 8．5實驗報告與數據分析 8．6思考題 擴展閱讀： 儀器操作與說明 第五篇單項工藝4： 摻雜 第9章熱處理和離子注入 9．1熱處理工藝 9．1．1介紹 9．1．2熱處理系統 9．2氧化工藝
9．2．1介紹 9．2．2氧化工藝的應用 9．2．3氧化前清洗 9．2．4熱氧化的速率 9．2．5干法氧化 9．2．6濕法氧化 9．2．7高壓氧化 9．2．8氧化層的測量 9．2．9氧化工藝的發展 9．3擴散摻雜工藝 9．3．1介紹 9．3．2擴散工藝步驟 9．3．3摻雜的測量 9．4離子注入摻雜工藝 9．4．1介紹 9．4．2離子注入的優點 9．4．3離子注入基礎 9．4．4離子注入系統 9．4．5離子注入的安全問題 9．5熱退火工藝 9．5．1離子注入后的熱退火工藝 9．5．2快速熱退火工藝 第10章熱氧化和擴散工藝實驗 10．1工藝原理 10．1．1熱氧化工藝原理 10．1．2擴散工藝原理 10．2熱氧化工藝 10．2．1實驗準備 10．2．2熱氧化工藝流程 10．2．3實驗記錄與測試 10．3擴散工藝 10．3．1實驗準備 10．3．2實驗過程 10．3．3實驗記錄與測試 10．4實驗報告與數據分析 10．5注意事項 10．6思考題 擴展閱讀： 儀器操作與說明 第六篇工 藝 集 成 第11章工藝集成與集成電路制造 11．1器件隔離 11．1．1PN結隔離 11．1．2LOCOS隔離 11．1．3STI淺溝道隔離 11．1．4DTI深溝道隔離 11．1．5SOI絕緣體上硅隔離 11．2金屬互連和多層金屬布線 11．2．1金屬互連 11．2．2多層金屬布線及工藝 11．2．3互連延遲問題與解決方法 11．2．4低K絕緣介質層 11．3歐姆接觸和金屬硅化物 11．3．1歐姆接觸 11．3．2金屬硅化物 第12章器件制造工藝及特性測試 12．1器件制造工藝原理 12．1．1電阻 12．1．2光電二極管 12．1．3MOSFET 12．2器件版圖設計 12．3器件制備流程 12．3．1光電二極管 12．3．2NMOS管制備流程
12．4特性測試 12．4．1光電特性測量介紹 12．4．2特性測量實驗 擴展閱讀： 儀器操作與說明
參考文獻
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微加工技術工藝原理與實驗 作者簡介
陳軍，中山大學教授、博士生生導師。長期從事真空微納電子器件研究工作，講授“微納電子器件”“數字電路與邏輯設計”等課程。發表SCI期刊論文250余篇，編著教材一部。主持完成國家自然科學基金委杰出青年基金、國家重點研發計劃項目等科研項目。獲國家自然科學獎二等獎、全國優秀博士學位論文等獎勵。
黃展云，中山大學實驗師。長期從事微電子工藝實驗室管理和微加工實驗教學工作，講授“微加工工藝實驗”“光電器件集成技術實驗”等課程。發表教學論文2篇，出版半導體工藝與測試方面教材1部。
張宇，中山大學教授、博士生導師。長期從事微納加工、微納電子器件和集成電路裝備關鍵部件等的教學和科研工作，講授“微加工技術”“微納電子器件與集成技術”等課程，獲校級課程思政示范課和教學成果二等獎。主持國家自然基金面上/青年項目4項，作為學術骨干參與國家重大研究計劃項目4項。發表SCI 論文60余篇，申請專利10項，授權6項。
盧星，中山大學副教授、碩士生導師。長期從事半導體材料與器件的教學和科研工作，講授“微納電子器件”“微加工工藝實驗”“半導體特性表征方法與技術”等課程。發表SCI源刊論文60余篇，主持或參與國家、省部級科研項目10余項，出版化合物半導體方面的全英文著作1部。陳軍，中山大學教授、博士生生導師。長期從事真空微納電子器件研究工作，講授“微納電子器件”“數字電路與邏輯設計”等課程。發表SCI期刊論文250余篇，編著教材一部。主持完成國家自然科學基金委杰出青年基金、國家重點研發計劃項目等科研項目。獲國家自然科學獎二等獎、全國優秀博士學位論文等獎勵。
黃展云，中山大學實驗師。長期從事微電子工藝實驗室管理和微加工實驗教學工作，講授“微加工工藝實驗”“光電器件集成技術實驗”等課程。發表教學論文2篇，出版半導體工藝與測試方面教材1部。
張宇，中山大學教授、博士生導師。長期從事微納加工、微納電子器件和集成電路裝備關鍵部件等的教學和科研工作，講授“微加工技術”“微納電子器件與集成技術”等課程，獲校級課程思政示范課和教學成果二等獎。主持國家自然基金面上/青年項目4項，作為學術骨干參與國家重大研究計劃項目4項。發表SCI 論文60余篇，申請專利10項，授權6項。
盧星，中山大學副教授、碩士生導師。長期從事半導體材料與器件的教學和科研工作，講授“微納電子器件”“微加工工藝實驗”“半導體特性表征方法與技術”等課程。發表SCI源刊論文60余篇，主持或參與國家、省部級科研項目10余項，出版化合物半導體方面的全英文著作1部。
王冰，中山大學副教授、博士生導師。長期從事化合物半導體異質外延生長和光電混合集成技術研究，承擔本科生的“光電器件集成技術實驗”課程教學，積累了豐富的半導體光電器件制造和測試的實驗授課經驗。近5年發表SCI源刊論文10多篇，承擔國家重點研發計劃任務2項。
陳暉，博士，中山大學實驗師。長期從事集成電路制造和光電子芯片制造的教學和科研工作，講授“集成電路工藝實驗”“微加工工藝實驗”等課程。 合著半導體工藝方面的教材1部。
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