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微加工技術(shù)工藝原理與實(shí)驗(yàn) 版權(quán)信息
- ISBN：9787302661214
- 條形碼：9787302661214 ; 978-7-302-66121-4
- 裝幀：平裝-膠訂
- 冊數(shù)：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
微加工技術(shù)工藝原理與實(shí)驗(yàn) 本書特色
（1） 內(nèi)容豐富，體系完整，系統(tǒng)介紹微加工工藝技術(shù)原理和實(shí)驗(yàn)教學(xué)案例，包括微加工工藝技術(shù)的基本概念、物理原理、設(shè)備組成、工藝實(shí)驗(yàn)流程等，理論與實(shí)驗(yàn)緊密結(jié)合，讀者易于獲得整體認(rèn)知。
（2） 目標(biāo)讀者群體定位清晰，原理清晰易懂，用詞準(zhǔn)確簡明，以直白形象的講述風(fēng)格貫穿始終。盡量減少公式推導(dǎo)，輔以大量的圖表，做到深入淺出。
（3） 提供的工藝集成的典型器件制備和測試分析案例，源自編者多年實(shí)驗(yàn)教學(xué)的積累，具有很強(qiáng)的可操作性和可復(fù)現(xiàn)性，能夠準(zhǔn)確映照理論知識。在實(shí)踐中學(xué)習(xí)，不僅趣味性強(qiáng)，還能加強(qiáng)和鞏固理論知識。
（4） 工藝實(shí)驗(yàn)案例后都附有思考題和注意事項(xiàng)，在實(shí)驗(yàn)中復(fù)盤理論知識，查漏補(bǔ)缺，幫助讀者掌握科學(xué)的分析問題和解決問題的能力。
微加工技術(shù)工藝原理與實(shí)驗(yàn) 內(nèi)容簡介
本書共分6篇12章，系統(tǒng)介紹了微加工技術(shù)工藝原理和實(shí)驗(yàn)教程。本書內(nèi)容理論和實(shí)驗(yàn)相結(jié)合，涵蓋了微加工技術(shù)工藝中的光刻、刻蝕、薄膜沉積、氧化和摻雜等工藝。理論部分著重對各種工藝技術(shù)的原理進(jìn)行闡述。實(shí)驗(yàn)部分列舉了光刻、刻蝕、薄膜制備和摻雜四大類工藝的單項(xiàng)實(shí)驗(yàn)，器件制造工藝實(shí)驗(yàn)和器件特性測量實(shí)驗(yàn)。 本書對初步涉足這一領(lǐng)域的高等院校本科生、研究生以及相關(guān)科研人員、工程技術(shù)人員具有很好的參考價(jià)值，可作為高等院校微電子科學(xué)與技術(shù)、光電信息科學(xué)與工程、電子科學(xué)與技術(shù)、電子信息工程等專業(yè)本科生或研究生的相關(guān)課程教材。
微加工技術(shù)工藝原理與實(shí)驗(yàn) 目錄
**篇導(dǎo)論
第1章集成電路與微納加工技術(shù)
1．1引言
1．2集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展簡史
1．3集成電路制造的發(fā)展路線
1．4集成電路制造的基本流程
第2章微加工工藝環(huán)境介紹
2．1微加工工藝環(huán)境的建設(shè)
2．1．1潔凈室簡介
2．1.2微電子工藝潔凈實(shí)驗(yàn)室建設(shè)
2．2實(shí)驗(yàn)室安全與注意事項(xiàng)
擴(kuò)展閱讀： 《潔凈室消防安全工作管理?xiàng)l例》
第二篇單項(xiàng)工藝1： 光刻
第3章光刻技術(shù)
3．1光刻技術(shù)介紹
3．2光學(xué)光刻技術(shù)
3．2．1光學(xué)曝光原理與方式
3．2．2光刻的關(guān)鍵指標(biāo)
3．2．3分辨率增強(qiáng)技術(shù)
3．2．4光刻膠的類型和特性
3．3其他的光學(xué)曝光技術(shù)
3．3．1極紫外曝光
3．3．2X射線曝光
3．3．3激光掃描無掩模曝光
3．3．4反射鏡陣列無掩模曝光
3．3．5LIGA技術(shù)
3．4非光學(xué)光刻技術(shù)
第4章光刻工藝實(shí)驗(yàn)
4．1工藝原理
4．2光刻工藝
4．3光刻實(shí)例
4．4光刻圖形的檢查和表征
4．5實(shí)驗(yàn)報(bào)告與數(shù)據(jù)分析
4．6思考題
擴(kuò)展閱讀： 儀器操作與說明
第三篇單項(xiàng)工藝2： 刻蝕
第5章等離子體與刻蝕技術(shù)
5．1刻蝕工藝介紹
5．2刻蝕工藝基礎(chǔ)
5．3濕法刻蝕工藝
5．3．1介紹
5．3．2氧化物的濕法刻蝕
5．3．3硅的濕法刻蝕
5．3．4氮化物的濕法刻蝕
5．3．5金屬的濕法刻蝕
5．4等離子體(干法)刻蝕
5．4．1介紹
5．4．2等離子體
5．4．3刻蝕工藝的分類： 化學(xué)、物理和反應(yīng)離子刻蝕
5．4．4等離子體刻蝕機(jī)理
5．4．5等離子體刻蝕的腔室
5．4．6刻蝕終止點(diǎn)
5．5等離子體刻蝕工藝
5．5．1介質(zhì)的等離子體刻蝕
5．5．2單晶硅刻蝕
5．5．3多晶硅刻蝕
5．5．4金屬刻蝕
5．5．5光刻膠的去除
5．5．6無圖案干法刻蝕工藝
5．5．7等離子體刻蝕的安全性
5．6化學(xué)機(jī)械拋光
5．7刻蝕工藝受參數(shù)影響的變化趨勢
5．8等離子體刻蝕技術(shù)的發(fā)展 第6章刻蝕工藝實(shí)驗(yàn) 6．1工藝原理 6．1．1濕法刻蝕工藝原理 6．1．2干法刻蝕工藝原理 6．2濕法刻蝕工藝實(shí)驗(yàn) 6．2．1實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)備 6．2．2濕法刻蝕工藝流程 6．2．3實(shí)驗(yàn)記錄 6．2．4注意事項(xiàng) 6．3干法刻蝕工藝實(shí)驗(yàn) 6．3．1實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)備 6．3．2干法刻蝕工藝流程 6．3．3實(shí)驗(yàn)記錄 6．3．4注意事項(xiàng) 6．4實(shí)驗(yàn)報(bào)告與數(shù)據(jù)分析 6．5思考題 擴(kuò)展閱讀： 儀器操作與說明 第四篇單項(xiàng)工藝3： 薄膜制備 第7章薄膜制備技術(shù) 7．1薄膜基礎(chǔ)知識 7．1．1微納電子器件對薄膜的要求 7．1．2薄膜生長的基礎(chǔ)知識 7．1．3薄膜制備的特性指標(biāo) 7．2薄膜沉積技術(shù)簡介 7．3物理氣相沉積技術(shù) 7．3．1蒸發(fā)法 7．3．2濺射法 7．3．3蒸發(fā)和濺射的鍍膜質(zhì)量和改善方法 7．4化學(xué)氣相沉積技術(shù) 7．4．1化學(xué)氣相沉積的基本知識 7．4．2化學(xué)氣相沉積工藝與設(shè)備 7．4．3典型材料的CVD工藝 7．4．4采用CVD技術(shù)制備一維/二維納米材料 7．4．5原子層沉積技術(shù) 第8章薄膜制備工藝實(shí)驗(yàn) 8．1工藝原理 8．1．1磁控濺射工藝原理 8．1．2等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝原理 8．1．3原子層沉積工藝原理 8．2磁控濺射工藝 8．2．1實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)備 8．2．2磁控濺射工藝流程 8．2．3實(shí)驗(yàn)記錄 8．2．4注意事項(xiàng) 8．3化學(xué)氣相沉積工藝 8．3．1實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)備 8．3．2化學(xué)氣相沉積工藝流程 8．3．3實(shí)驗(yàn)記錄 8．3．4注意事項(xiàng) 8．4原子層沉積工藝 8．4．1實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)備 8．4．2原子層沉積工藝流程 8．4．3實(shí)驗(yàn)記錄 8．4．4注意事項(xiàng) 8．5實(shí)驗(yàn)報(bào)告與數(shù)據(jù)分析 8．6思考題 擴(kuò)展閱讀： 儀器操作與說明 第五篇單項(xiàng)工藝4： 摻雜 第9章熱處理和離子注入 9．1熱處理工藝 9．1．1介紹 9．1．2熱處理系統(tǒng) 9．2氧化工藝
9．2．1介紹 9．2．2氧化工藝的應(yīng)用 9．2．3氧化前清洗 9．2．4熱氧化的速率 9．2．5干法氧化 9．2．6濕法氧化 9．2．7高壓氧化 9．2．8氧化層的測量 9．2．9氧化工藝的發(fā)展 9．3擴(kuò)散摻雜工藝 9．3．1介紹 9．3．2擴(kuò)散工藝步驟 9．3．3摻雜的測量 9．4離子注入摻雜工藝 9．4．1介紹 9．4．2離子注入的優(yōu)點(diǎn) 9．4．3離子注入基礎(chǔ) 9．4．4離子注入系統(tǒng) 9．4．5離子注入的安全問題 9．5熱退火工藝 9．5．1離子注入后的熱退火工藝 9．5．2快速熱退火工藝 第10章熱氧化和擴(kuò)散工藝實(shí)驗(yàn) 10．1工藝原理 10．1．1熱氧化工藝原理 10．1．2擴(kuò)散工藝原理 10．2熱氧化工藝 10．2．1實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)備 10．2．2熱氧化工藝流程 10．2．3實(shí)驗(yàn)記錄與測試 10．3擴(kuò)散工藝 10．3．1實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)備 10．3．2實(shí)驗(yàn)過程 10．3．3實(shí)驗(yàn)記錄與測試 10．4實(shí)驗(yàn)報(bào)告與數(shù)據(jù)分析 10．5注意事項(xiàng) 10．6思考題 擴(kuò)展閱讀： 儀器操作與說明 第六篇工 藝 集 成 第11章工藝集成與集成電路制造 11．1器件隔離 11．1．1PN結(jié)隔離 11．1．2LOCOS隔離 11．1．3STI淺溝道隔離 11．1．4DTI深溝道隔離 11．1．5SOI絕緣體上硅隔離 11．2金屬互連和多層金屬布線 11．2．1金屬互連 11．2．2多層金屬布線及工藝 11．2．3互連延遲問題與解決方法 11．2．4低K絕緣介質(zhì)層 11．3歐姆接觸和金屬硅化物 11．3．1歐姆接觸 11．3．2金屬硅化物 第12章器件制造工藝及特性測試 12．1器件制造工藝原理 12．1．1電阻 12．1．2光電二極管 12．1．3MOSFET 12．2器件版圖設(shè)計(jì) 12．3器件制備流程 12．3．1光電二極管 12．3．2NMOS管制備流程
12．4特性測試 12．4．1光電特性測量介紹 12．4．2特性測量實(shí)驗(yàn) 擴(kuò)展閱讀： 儀器操作與說明
參考文獻(xiàn)
5．8等離子體刻蝕技術(shù)的發(fā)展 第6章刻蝕工藝實(shí)驗(yàn) 6．1工藝原理 6．1．1濕法刻蝕工藝原理 6．1．2干法刻蝕工藝原理 6．2濕法刻蝕工藝實(shí)驗(yàn) 6．2．1實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)備 6．2．2濕法刻蝕工藝流程 6．2．3實(shí)驗(yàn)記錄 6．2．4注意事項(xiàng) 6．3干法刻蝕工藝實(shí)驗(yàn) 6．3．1實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)備 6．3．2干法刻蝕工藝流程 6．3．3實(shí)驗(yàn)記錄 6．3．4注意事項(xiàng) 6．4實(shí)驗(yàn)報(bào)告與數(shù)據(jù)分析 6．5思考題 擴(kuò)展閱讀： 儀器操作與說明 第四篇單項(xiàng)工藝3： 薄膜制備 第7章薄膜制備技術(shù) 7．1薄膜基礎(chǔ)知識 7．1．1微納電子器件對薄膜的要求 7．1．2薄膜生長的基礎(chǔ)知識 7．1．3薄膜制備的特性指標(biāo) 7．2薄膜沉積技術(shù)簡介 7．3物理氣相沉積技術(shù) 7．3．1蒸發(fā)法 7．3．2濺射法 7．3．3蒸發(fā)和濺射的鍍膜質(zhì)量和改善方法 7．4化學(xué)氣相沉積技術(shù) 7．4．1化學(xué)氣相沉積的基本知識 7．4．2化學(xué)氣相沉積工藝與設(shè)備 7．4．3典型材料的CVD工藝 7．4．4采用CVD技術(shù)制備一維/二維納米材料 7．4．5原子層沉積技術(shù) 第8章薄膜制備工藝實(shí)驗(yàn) 8．1工藝原理 8．1．1磁控濺射工藝原理 8．1．2等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝原理 8．1．3原子層沉積工藝原理 8．2磁控濺射工藝 8．2．1實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)備 8．2．2磁控濺射工藝流程 8．2．3實(shí)驗(yàn)記錄 8．2．4注意事項(xiàng) 8．3化學(xué)氣相沉積工藝 8．3．1實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)備 8．3．2化學(xué)氣相沉積工藝流程 8．3．3實(shí)驗(yàn)記錄 8．3．4注意事項(xiàng) 8．4原子層沉積工藝 8．4．1實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)備 8．4．2原子層沉積工藝流程 8．4．3實(shí)驗(yàn)記錄 8．4．4注意事項(xiàng) 8．5實(shí)驗(yàn)報(bào)告與數(shù)據(jù)分析 8．6思考題 擴(kuò)展閱讀： 儀器操作與說明 第五篇單項(xiàng)工藝4： 摻雜 第9章熱處理和離子注入 9．1熱處理工藝 9．1．1介紹 9．1．2熱處理系統(tǒng) 9．2氧化工藝
9．2．1介紹 9．2．2氧化工藝的應(yīng)用 9．2．3氧化前清洗 9．2．4熱氧化的速率 9．2．5干法氧化 9．2．6濕法氧化 9．2．7高壓氧化 9．2．8氧化層的測量 9．2．9氧化工藝的發(fā)展 9．3擴(kuò)散摻雜工藝 9．3．1介紹 9．3．2擴(kuò)散工藝步驟 9．3．3摻雜的測量 9．4離子注入摻雜工藝 9．4．1介紹 9．4．2離子注入的優(yōu)點(diǎn) 9．4．3離子注入基礎(chǔ) 9．4．4離子注入系統(tǒng) 9．4．5離子注入的安全問題 9．5熱退火工藝 9．5．1離子注入后的熱退火工藝 9．5．2快速熱退火工藝 第10章熱氧化和擴(kuò)散工藝實(shí)驗(yàn) 10．1工藝原理 10．1．1熱氧化工藝原理 10．1．2擴(kuò)散工藝原理 10．2熱氧化工藝 10．2．1實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)備 10．2．2熱氧化工藝流程 10．2．3實(shí)驗(yàn)記錄與測試 10．3擴(kuò)散工藝 10．3．1實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)備 10．3．2實(shí)驗(yàn)過程 10．3．3實(shí)驗(yàn)記錄與測試 10．4實(shí)驗(yàn)報(bào)告與數(shù)據(jù)分析 10．5注意事項(xiàng) 10．6思考題 擴(kuò)展閱讀： 儀器操作與說明 第六篇工 藝 集 成 第11章工藝集成與集成電路制造 11．1器件隔離 11．1．1PN結(jié)隔離 11．1．2LOCOS隔離 11．1．3STI淺溝道隔離 11．1．4DTI深溝道隔離 11．1．5SOI絕緣體上硅隔離 11．2金屬互連和多層金屬布線 11．2．1金屬互連 11．2．2多層金屬布線及工藝 11．2．3互連延遲問題與解決方法 11．2．4低K絕緣介質(zhì)層 11．3歐姆接觸和金屬硅化物 11．3．1歐姆接觸 11．3．2金屬硅化物 第12章器件制造工藝及特性測試 12．1器件制造工藝原理 12．1．1電阻 12．1．2光電二極管 12．1．3MOSFET 12．2器件版圖設(shè)計(jì) 12．3器件制備流程 12．3．1光電二極管 12．3．2NMOS管制備流程
12．4特性測試 12．4．1光電特性測量介紹 12．4．2特性測量實(shí)驗(yàn) 擴(kuò)展閱讀： 儀器操作與說明
參考文獻(xiàn)
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微加工技術(shù)工藝原理與實(shí)驗(yàn) 作者簡介
陳軍，中山大學(xué)教授、博士生生導(dǎo)師。長期從事真空微納電子器件研究工作，講授“微納電子器件”“數(shù)字電路與邏輯設(shè)計(jì)”等課程。發(fā)表SCI期刊論文250余篇，編著教材一部。主持完成國家自然科學(xué)基金委杰出青年基金、國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目等科研項(xiàng)目。獲國家自然科學(xué)獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)、全國優(yōu)秀博士學(xué)位論文等獎(jiǎng)勵(lì)。
黃展云，中山大學(xué)實(shí)驗(yàn)師。長期從事微電子工藝實(shí)驗(yàn)室管理和微加工實(shí)驗(yàn)教學(xué)工作，講授“微加工工藝實(shí)驗(yàn)”“光電器件集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)”等課程。發(fā)表教學(xué)論文2篇，出版半導(dǎo)體工藝與測試方面教材1部。
張宇，中山大學(xué)教授、博士生導(dǎo)師。長期從事微納加工、微納電子器件和集成電路裝備關(guān)鍵部件等的教學(xué)和科研工作，講授“微加工技術(shù)”“微納電子器件與集成技術(shù)”等課程，獲校級課程思政示范課和教學(xué)成果二等獎(jiǎng)。主持國家自然基金面上/青年項(xiàng)目4項(xiàng)，作為學(xué)術(shù)骨干參與國家重大研究計(jì)劃項(xiàng)目4項(xiàng)。發(fā)表SCI 論文60余篇，申請專利10項(xiàng)，授權(quán)6項(xiàng)。
盧星，中山大學(xué)副教授、碩士生導(dǎo)師。長期從事半導(dǎo)體材料與器件的教學(xué)和科研工作，講授“微納電子器件”“微加工工藝實(shí)驗(yàn)”“半導(dǎo)體特性表征方法與技術(shù)”等課程。發(fā)表SCI源刊論文60余篇，主持或參與國家、省部級科研項(xiàng)目10余項(xiàng)，出版化合物半導(dǎo)體方面的全英文著作1部。陳軍，中山大學(xué)教授、博士生生導(dǎo)師。長期從事真空微納電子器件研究工作，講授“微納電子器件”“數(shù)字電路與邏輯設(shè)計(jì)”等課程。發(fā)表SCI期刊論文250余篇，編著教材一部。主持完成國家自然科學(xué)基金委杰出青年基金、國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目等科研項(xiàng)目。獲國家自然科學(xué)獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)、全國優(yōu)秀博士學(xué)位論文等獎(jiǎng)勵(lì)。
黃展云，中山大學(xué)實(shí)驗(yàn)師。長期從事微電子工藝實(shí)驗(yàn)室管理和微加工實(shí)驗(yàn)教學(xué)工作，講授“微加工工藝實(shí)驗(yàn)”“光電器件集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)”等課程。發(fā)表教學(xué)論文2篇，出版半導(dǎo)體工藝與測試方面教材1部。
張宇，中山大學(xué)教授、博士生導(dǎo)師。長期從事微納加工、微納電子器件和集成電路裝備關(guān)鍵部件等的教學(xué)和科研工作，講授“微加工技術(shù)”“微納電子器件與集成技術(shù)”等課程，獲校級課程思政示范課和教學(xué)成果二等獎(jiǎng)。主持國家自然基金面上/青年項(xiàng)目4項(xiàng)，作為學(xué)術(shù)骨干參與國家重大研究計(jì)劃項(xiàng)目4項(xiàng)。發(fā)表SCI 論文60余篇，申請專利10項(xiàng)，授權(quán)6項(xiàng)。
盧星，中山大學(xué)副教授、碩士生導(dǎo)師。長期從事半導(dǎo)體材料與器件的教學(xué)和科研工作，講授“微納電子器件”“微加工工藝實(shí)驗(yàn)”“半導(dǎo)體特性表征方法與技術(shù)”等課程。發(fā)表SCI源刊論文60余篇，主持或參與國家、省部級科研項(xiàng)目10余項(xiàng)，出版化合物半導(dǎo)體方面的全英文著作1部。
王冰，中山大學(xué)副教授、博士生導(dǎo)師。長期從事化合物半導(dǎo)體異質(zhì)外延生長和光電混合集成技術(shù)研究，承擔(dān)本科生的“光電器件集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)”課程教學(xué)，積累了豐富的半導(dǎo)體光電器件制造和測試的實(shí)驗(yàn)授課經(jīng)驗(yàn)。近5年發(fā)表SCI源刊論文10多篇，承擔(dān)國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃任務(wù)2項(xiàng)。
陳暉，博士，中山大學(xué)實(shí)驗(yàn)師。長期從事集成電路制造和光電子芯片制造的教學(xué)和科研工作，講授“集成電路工藝實(shí)驗(yàn)”“微加工工藝實(shí)驗(yàn)”等課程。 合著半導(dǎo)體工藝方面的教材1部。
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