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光刻膠材料評測技術(shù)-從酚醛樹脂光刻膠到最新的EUV光刻膠 版權(quán)信息
- ISBN：9787122438003
- 條形碼：9787122438003 ; 978-7-122-43800-3
- 裝幀：一般純質(zhì)紙
- 冊數(shù)：暫無
- 重量：暫無
- 所屬分類：>>
光刻膠材料評測技術(shù)-從酚醛樹脂光刻膠到最新的EUV光刻膠 本書特色
光刻膠是將圖形轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體基材上的關(guān)鍵材料之一，他是一個配方產(chǎn)品，由多種組分組成。光刻膠對純度、雜質(zhì)含量、固體顆粒等要求非常高，光刻膠的開發(fā)需要昂貴的設(shè)備、苛刻的環(huán)境及特殊專業(yè)技能人才。光刻膠的評測項(xiàng)目繁多，但光刻膠企業(yè)之間又相互保密。關(guān)于光刻膠評價方法的書籍少之又少，由于光刻膠的研究及產(chǎn)業(yè)化主要集中在日本、美國，相關(guān)資料也都是英文和日文，在國內(nèi)幾乎沒有相關(guān)書籍出版。 《光刻膠材料評測-從酚醛樹脂光刻膠到EUV光刻膠》一書由日本關(guān)口純先生撰寫，內(nèi)容涉及光刻技術(shù)概述、感光性樹脂涂覆、曝光技術(shù)、曝光后烘烤和顯影技術(shù)、g/i線光刻膠評測技術(shù)、KrF/ArF光刻膠評測技術(shù)、ArF浸沒式光刻膠和DP工藝評測技術(shù)、EUV光刻膠評測技術(shù)、納米壓印樹脂的評測技術(shù)等方面，詳細(xì)介紹了光刻膠的各種評價原理、方法、工藝及設(shè)備。另外本書還介紹了基于光刻膠的光學(xué)參數(shù)和顯影速度數(shù)據(jù)進(jìn)行光刻圖案逼真模擬的技術(shù)與方法，這樣可以大幅縮短光刻膠的開發(fā)周期，不僅節(jié)省資源而且效率更高。本書內(nèi)容豐富，既有基礎(chǔ)理論知識，又有實(shí)際操作流程；既涉及化學(xué)反應(yīng)，又講述設(shè)備原理及應(yīng)用；既有數(shù)據(jù)分析，還有理論計算；從g/i線光刻膠開始，一直到目前先進(jìn)的EUV光刻膠；對光刻膠的工作原理、工藝流程、檢測方法進(jìn)行了詳細(xì)的討論。
光刻膠材料評測技術(shù)-從酚醛樹脂光刻膠到最新的EUV光刻膠 內(nèi)容簡介
光刻膠是微電子技術(shù)中微細(xì)圖形加工的關(guān)鍵材料之一，在模擬半導(dǎo)體、發(fā)光二極管、微機(jī)電系統(tǒng)、太陽能光伏、微流道和生物芯片、光電子器件/光子器件中都有重要的應(yīng)用。本書從光刻技術(shù)基礎(chǔ)知識出發(fā)，系統(tǒng)介紹了多種類型光刻膠應(yīng)用工藝、評測技術(shù)。具體包括光刻膠涂布、曝光工藝、曝光后烘烤和顯影技術(shù)，以及g線和i線光刻膠、KrF和ArF光刻膠、ArF浸沒式光刻膠、EUV光刻膠等的特征、應(yīng)用工藝及評測技術(shù)，希望對國內(nèi)的研究人員有很好的啟發(fā)和指導(dǎo)意義。
光刻膠材料評測技術(shù)-從酚醛樹脂光刻膠到最新的EUV光刻膠 目錄
第1章 光刻技術(shù)概述001
參考文獻(xiàn)007
第2章 光刻膠的涂覆008
2.1 光刻膠涂覆裝置008
2.1.1 絲網(wǎng)印刷涂覆法008
2.1.2 旋涂法008
2.1.3 滾涂法010
2.1.4 膜壓法010
2.1.5 浸涂法010
2.1.6 噴涂法012
2.2 旋涂工藝013
2.2.1 旋涂工藝流程013
2.2.2 旋涂工藝影響因素015
2.3 HMDS處理021
2.3.1 HMDS處理原理021
2.3.2 HMDS處理效果021
2.4 預(yù)烘烤024
2.5 膜厚評測026
2.5.1 用高低差測量膜厚（數(shù)微米～500μm）026
2.5.2 光譜反射儀測量膜厚（50nm～300μm）026
2.5.3 橢圓偏光計（橢偏計）測量膜厚（1nm～2μm）028
參考文獻(xiàn)029
第3章 曝光技術(shù)030
3.1 曝光設(shè)備概述030
3.1.1 接觸式對準(zhǔn)曝光030
3.1.2 近距離對準(zhǔn)曝光031
3.1.3 鏡面投影曝光031
3.1.4 縮小的投影曝光系統(tǒng)—步進(jìn)曝光機(jī)033
3.2 曝光原理035
3.2.1 近距離曝光的光學(xué)原理035
3.2.2 步進(jìn)曝光機(jī)的光學(xué)原理037
3.2.3 獲得高分辨率的方法039
3.3 光刻膠的感光原理和ABC參數(shù)041
參考文獻(xiàn)044
第4章 曝光后烘烤（PEB）和顯影技術(shù)045
4.1 曝光后烘烤概述045
4.2 PEB中感光劑的熱分解047
4.3 PEB法測定感光劑擴(kuò)散長度048
4.3.1 通過測量顯影速度計算感光劑的擴(kuò)散長度049
4.3.2 結(jié)果及分析053
4.3.3 小結(jié)059
4.4 表面難溶性參數(shù)的計算及評測059
4.4.1 引言059
4.4.2 顯影速度測量裝置的高精度化059
4.4.3 表面難溶性參數(shù)的計算061
4.4.4 表面難溶性參數(shù)的測量062
4.4.5 小結(jié)064
4.5 顯影技術(shù)064
4.5.1 浸漬顯影064
4.5.2 噴霧顯影065
4.5.3 旋覆浸潤顯影065
4.5.4 緩供液旋覆浸潤顯影067
參考文獻(xiàn)069
第5章 g線和i線光刻膠（酚醛樹脂光刻膠）評測技術(shù)071
5.1 酚醛樹脂光刻膠概述071
5.1.1 簡介071
5.1.2 高分辨率要求072
5.2 利用光刻模擬對酚醛樹脂光刻膠進(jìn)行評測077
5.2.1 簡介077
5.2.2 光刻模擬技術(shù)078
5.2.3 參數(shù)的實(shí)測和模擬082
5.2.4 小結(jié)094
5.3 利用模擬進(jìn)行工藝優(yōu)化095
5.3.1 簡介095
5.3.2 實(shí)驗(yàn)與結(jié)果095
5.3.3 模擬研究097
5.3.4 分析與討論100
5.3.5 小結(jié)101
參考文獻(xiàn)101
第6章 KrF和ArF光刻膠評測技術(shù)103
6.1 KrF光刻膠103
6.2 化學(xué)增幅型光刻膠的脫保護(hù)反應(yīng)106
6.2.1 實(shí)驗(yàn)裝置107
6.2.2 傳統(tǒng)模型的問題以及對Spence模型的探討108
6.2.3 實(shí)驗(yàn)與結(jié)果110
6.2.4 新脫保護(hù)反應(yīng)模型的提出和對脫保護(hù)反應(yīng)的分析113
6.2.5 小結(jié)117
6.3 曝光過程光刻膠的脫氣117
6.3.1 利用QCM觀察曝光過程光刻膠質(zhì)量變化118
6.3.2 利用GC-MS分析曝光過程光刻膠的脫氣119
6.3.3 利用FT-IR觀察曝光過程的脫保護(hù)反應(yīng)121
6.3.4 實(shí)驗(yàn)與結(jié)果121
6.3.5 小結(jié)127
6.4 ArF光刻膠127
6.5 PAG的產(chǎn)酸反應(yīng)131
6.5.1 實(shí)驗(yàn)裝置132
6.5.2 實(shí)驗(yàn)與結(jié)果133
6.5.3 分析與討論135
6.5.4 小結(jié)138
6.6 ArF光刻膠曝光過程的脫氣138
6.6.1 脫氣收集設(shè)備和方法139
6.6.2 實(shí)驗(yàn)與結(jié)果140
6.6.3 分析與討論145
6.6.4 小結(jié)146
6.7 光刻膠在顯影過程中的溶脹146
6.7.1 實(shí)驗(yàn)儀器147
6.7.2 減少熱沖擊148
6.7.3 實(shí)驗(yàn)與結(jié)果149
6.7.4 可重復(fù)性151
6.7.5 TBAH顯影劑的溶脹行為152
6.7.6 小結(jié)154
6.8 通過香豆素添加法分析PAG的產(chǎn)酸反應(yīng)154
6.8.1 實(shí)驗(yàn)過程155
6.8.2 結(jié)果和討論158
6.8.3 小結(jié)162
參考文獻(xiàn)162
第7章 ArF浸沒式光刻膠和雙重圖形化（DP）工藝評測技術(shù)166
7.1 ArF浸沒式曝光技術(shù)166
7.2 浸沒式曝光過程的評測—水滲入光刻膠膜與感光度變化169
7.2.1 浸沒式曝光反應(yīng)分析設(shè)備170
7.2.2 浸沒式曝光的光刻膠材料評測172
7.2.3 實(shí)驗(yàn)與結(jié)果173
7.2.4 小結(jié)179
7.3 浸沒式曝光過程的評價—對溶出的評測179
7.3.1 WEXA-2系統(tǒng)和采樣方法179
7.3.2 分析方法182
7.3.3 分析系統(tǒng)可靠性驗(yàn)證186
7.3.4 實(shí)驗(yàn)與結(jié)果188
7.3.5 小結(jié)190
7.4 浸沒式DP曝光技術(shù)191
7.4.1 LLE方法192
7.4.2 雙重圖形工藝的評測194
7.4.3 小結(jié)195
參考文獻(xiàn)195
第8章 EUV光刻膠評測技術(shù)197
8.1 EUV曝光技術(shù)197
8.2 利用光刻模擬軟件評估EUV光刻膠200
8.2.1 系統(tǒng)配置200
8.2.2 實(shí)驗(yàn)與結(jié)果202
8.2.3 模擬分析204
8.2.4 小結(jié)206
8.3 EUV光刻膠的脫保護(hù)反應(yīng)207
8.3.1 傳統(tǒng)方法的問題207
8.3.2 與EUVL對應(yīng)的新型脫保護(hù)反應(yīng)分析裝置209
8.3.3 實(shí)驗(yàn)與結(jié)果211
8.3.4 小結(jié)214
8.4 EUV光刻膠脫氣評測214
8.4.1 脫氣評估裝置概述215
8.4.2 脫氣評估裝置EUVOM-9000216
8.4.3 小結(jié)220
參考文獻(xiàn)220
第9章 納米壓印工藝的優(yōu)化及評測技術(shù)222
9.1 使用光固化樹脂進(jìn)行納米壓印的工藝優(yōu)化和評測222
9.1.1 簡介222
9.1.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備223
9.1.3 預(yù)曝光工藝（PEP）223
9.1.4 實(shí)驗(yàn)與結(jié)果224
9.1.5 預(yù)曝光方法的影響226
9.1.6 分析與討論229
9.1.7 小結(jié)230
9.2 使用光和熱固化樹脂進(jìn)行納米壓印的工藝優(yōu)化和評測231
9.2.1 引言231
9.2.2 SU-8壓印存在的問題231
9.2.3 工藝條件優(yōu)化233
9.2.4 實(shí)驗(yàn)過程238
9.2.5 小結(jié)241
9.3 無需脫模工藝的復(fù)制轉(zhuǎn)印技術(shù)241
9.3.1 簡介241
9.3.2 制作復(fù)制模具（MXL模板）241
9.3.3 復(fù)制轉(zhuǎn)印實(shí)驗(yàn)243
9.3.4 實(shí)驗(yàn)結(jié)果244
9.3.5 復(fù)制轉(zhuǎn)印的尺寸限制246
9.3.6 小結(jié)247
9.4 納微米混合結(jié)構(gòu)的一次轉(zhuǎn)印技術(shù)247
9.4.1 簡介247
9.4.2 納米壓印機(jī)LTNIP-2000248
9.4.3 實(shí)驗(yàn)與結(jié)果250
9.4.4 小結(jié)253
參考文獻(xiàn)253
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